一种高硬高纯黄金首饰材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114351002B

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202210025722.7

    申请日:2022-01-11

    发明人: 秦国义 张科

    IPC分类号: C22C5/02 C22C1/02 A44C27/00

    摘要: 本发明公开了一种高硬高纯黄金首饰材料及其制备方法,由下列原料按照质量百分比制备而成:0.02‑0.05%Ge、0.003‑0.01%Ir,余量为Au;本发明的首饰材料可采熔炼、轧制、拉拔等传统工艺加工制作各种款式首饰,工艺简单、效率高、环保、制作成本低,可以很好满足市场对高硬度高纯度黄金首饰的需求。

    一种钯合金复合丝电刷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109672064A

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201811344442.2

    申请日:2018-11-13

    发明人: 秦国义 张科

    IPC分类号: H01R39/20 H01R39/24 H01R43/12

    摘要: 本发明公开了一种钯合金复合丝电刷材料及其制备方法,所述复合丝电刷材料由钯合金包复层、银合金或铜合金芯线构成;所述钯合金包复层为PdNi合金,所述银合金芯为AgCu合金;所述铜合金芯为CuBe、CuCoBe、CuNiBe、CuNiSn、CuAgFe合金,所述钯合金包复层质量百分比为5~40%,银合金或铜合金芯质量百分比为60~95%。本发明获得的钯合金包复银合金或铜合金复合丝电刷材料,与钯合金电接触材料相比材料成本大幅减低;与银铜合金电接触材料相比,耐腐蚀性能、耐磨性能、接触稳定性等显著提高。

    一种滑环电刷用银铜合金丝及其应用

    公开(公告)号:CN118880098A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202411365715.7

    申请日:2024-09-29

    发明人: 张科 秦国义

    摘要: 本发明公开了一种滑环电刷用银铜合金丝及其应用,属于导电材料技术领域。本发明提供的滑环电刷用银铜合金丝由主体元素Ag、Cu、Ni、C和微量元素Ir、Pt、Rh、Ru、W、Re、Fe、V中的一种或几种元素组成,C以石墨烯包覆铜粉的形式加入,所得滑环电刷用银铜合金丝的导电性、耐磨性、弹性、常温和高温屈服强度、使用寿命远远高于市售同类合金,其电导率>75%IACS,显微硬度>195HV,弹性模量>90GPa,室温25℃屈服强度>700MPa,250℃屈服强度>650MPa,使用寿命大于1100万转。当使用寿命达到最高1400万转时,材料的屈服强度几乎未变,保证了滑环与电刷丝之间信号传输稳定。

    一种高硬高纯黄金首饰材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114351002A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202210025722.7

    申请日:2022-01-11

    发明人: 秦国义 张科

    IPC分类号: C22C5/02 C22C1/02 A44C27/00

    摘要: 本发明公开了一种高硬高纯黄金首饰材料及其制备方法,由下列原料按照质量百分比制备而成:0.02‑0.05%Ge、0.003‑0.01%Ir,余量为Au;本发明的首饰材料可采熔炼、轧制、拉拔等传统工艺加工制作各种款式首饰,工艺简单、效率高、环保、制作成本低,可以很好满足市场对高硬度高纯度黄金首饰的需求。

    一种铂薄膜温度计用银铂复合丝引线材料

    公开(公告)号:CN118703824A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202410759422.0

    申请日:2024-06-13

    发明人: 秦国义 张科 胡龙

    摘要: 本发明公开了一种铂薄膜温度计用银铂复合丝引线材料,复合丝引线材料包括复合丝覆层与复合丝芯材,所述复合丝覆层的厚度为4~15微米,所述复合丝覆层采用银铂合金,所述复合丝芯材采用Ni或镍合金其中的一种。本发明成本降低40%以上,强度更高,具有更好的综合性能和更高的性价比,可以有效替代铂镍复合丝用于铂薄膜温度计引线材料,还可以满足其它需要抗腐蚀、抗氧化的电子器件引线材料方面的应用。

    一种半导体晶圆测试探针用钯合金及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN118854113A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202411338058.7

    申请日:2024-09-25

    发明人: 张科 秦国义

    摘要: 本发明提出了一种半导体晶圆测试探针用钯合金及其制备方法与应用,属于探针材料技术领域。本发明的钯合金按质量百分比计原料包括:Cu 35~40%和Ag 8~13%,余量为Pd、痕量元素和微量元素;所述痕量元素包括B、Si、Mn和Al中的至少一种;所述微量元素包括Nb、Ti、Ta、Ru、W、Mo、V和Fe中的至少一种,该钯合金可进一步用于制备半导体晶圆测试用钯合金探针。本发明制备得到的半导体晶圆测试探针用钯合金具有较低的电阻率、高的导电率、高强韧性和热稳定性,制备方法较传统的制备方法生产效率高、原料损耗少、适于批量工业化低成本生产。