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公开(公告)号:CN118117294A
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202211518691.5
申请日:2022-11-29
申请人: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本申请涉及一种液晶天线及电子设备。其中,液晶天线包括:贴片层、液晶层与缝隙层;所述液晶层位于所述贴片层与所述缝隙层之间,所述贴片层位于所述液晶层远离所述缝隙层的一侧;所述缝隙层包括缝隙板;所述缝隙板上设有顺序排列的缝隙,所述缝隙贯穿所述缝隙板;所述贴片层包括顺序排列的贴片;每一所述贴片在所述液晶层上的正投影与对应的所述缝隙在所述液晶层上的正投影至少部分重合。
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公开(公告)号:CN117977207A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202211320995.0
申请日:2022-10-26
申请人: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本发明提供一种天线及电子设备,包括:馈电网络,用于将微波信号传输到辐射单元;辐射单元,包括:基板,所述基板与所述馈电网络相邻设置;漏波金属层,所述漏波金属层设置于所述基板的远离所述馈电网络的一侧,在所述漏波金属层上开有多个漏波缝隙,所述漏波金属层连接第一参考电位;多组缝隙挡板,所述多组缝隙挡板设置于所述漏波金属层的远离所述基板的一侧,所述多组缝隙挡板与所述多个漏波缝隙一一对应,所述多组缝隙挡板分别连接第二参考电位,根据控制信号,每组所述缝隙挡板中的至少部分缝隙挡板遮挡至少部分的相应的漏波缝隙;绝缘层,所述绝缘层设置于所述漏波金属层与多组缝隙挡板之间。实现天线波束重构和较快的响应速度,易于集成。
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公开(公告)号:CN117950195A
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202211326568.3
申请日:2022-10-27
申请人: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G02B27/09 , G02F1/1337 , G02F1/1343 , G02B3/00
摘要: 本申请涉及一种波束整形装置、电子设备及波束整形装置的制备方法。其中,波束整形装置包括:超表面透镜、镜面组与光源;所述超表面透镜位于所述镜面组与所述光源之间;所述超表面透镜包括第一电极、第二电极、液晶层与超表面结构;所述第一电极与所述第二电极为透明电极;所述液晶层位于所述第一电极与所述第二电极之间,所述超表面结构位于所述液晶层内;所述光源位于所述第一电极远离所述液晶层的一侧,所述镜面组位于所述第二电极远离所述液晶层的一侧。根据本申请实施例,可以降低波束整形装置的重量与尺寸,便于波束整形装置的集成化。
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公开(公告)号:CN113345925B
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202110600680.0
申请日:2021-05-31
申请人: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
发明人: 周健
IPC分类号: H01L27/146 , G01J3/28
摘要: 本发明提供一种像素单元、图像传感器及光谱仪,其中,像素单元包括光电转换结构和超透镜结构,光电转换结构能够在光照下产生电流;超透镜结构设置在光电转换结构上,超透镜结构能够从光像中筛选出预设波长的光,并将预设波长的光聚焦在光电转换结构上。本发明提供的像素单元、图像传感器及光谱仪,能够提高像素单元的集成度,并改善色偏以及色差,从而能够减小图像传感器及光谱仪的体积,并提高成像效果。
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公开(公告)号:CN116147775A
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202310165256.7
申请日:2023-02-21
申请人: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本申请实施例提供一种光感知结构组、光谱成像仪及其使用方法。所述光感知结构组包括热光探测器,包括至少一个特征单元结构,所述特征单元结构包括多个金属纳米结构体;以及移动装置,包括至少一个移动部件,所述移动部件与所述特征单元结构一一成组对应设置;所述移动部件被设置为带动所述特征单元结构移动,以改变所述特征单元结构与待检测光源的相对位置。本申请实施例所提供的光感知结构组通过设置移动部件,利用移动部件带动特征单元结构移动,以改变特征单元结构与待检测光源两者的相对位置,降低了光谱成像仪的结构复杂性,且实现了在超宽带范围内频谱的感知。
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公开(公告)号:CN115986419A
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202211678723.8
申请日:2022-12-26
申请人: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 一种波束调控结构,包括:基板、以及设置在基板上的反射层、多个超结构单元以及控制电路。反射层位于所述多个超结构单元靠近所述基板的一侧,反射层配置为反射入射波束。超结构单元包括:第一电极、第二电极、以及位于第一电极和第二电极之间的介质层。控制电路配置为确定多个超结构单元对应的相位分布信息,并根据多个超结构单元对应的相位分布信息,给多个超结构单元的第一电极和第二电极施加电压,控制多个超结构单元对入射波束进行相位调控。
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公开(公告)号:CN113589535B
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202110939655.5
申请日:2021-08-16
申请人: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
发明人: 周健
IPC分类号: G02B27/01
摘要: 本发明公开了一种光学成像系统及头戴式显示设备,包括显示模组以及超透镜,显示模组显示目标对象时发出的第一线偏振光经超透镜准直并成像到人眼上。其中,超透镜包括第一基板以及预设旋转规律排布在第一基板表面的多种超结构单元,每种超结构单元在可见光波段的补偿相位与入射光角频率满足线性关系,从超透镜的中心位置到边缘位置,不同超结构单元对应的所述线性关系的斜率依次降低。相比于传统成像系统,有利于实现头戴式显示设备的轻薄化。
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公开(公告)号:CN113075757B
公开(公告)日:2022-12-23
申请号:CN202110357505.3
申请日:2021-04-01
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号: G02B5/18
摘要: 本公开提供一种光栅结构,包括多个在第一方向上依次排列的光栅单元,光栅单元包括不透光部和透光部,不透光部和透光部均呈沿第二方向延伸的条状,光栅结构被配置为使反射光线与入射光线位于同一路径上,第二方向与第一方向不平行,反射光线为入射光线经光栅结构反射后的光线。本公开实施例的光栅结构,可以实现防窥。
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公开(公告)号:CN115373167A
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202211168275.7
申请日:2022-09-23
申请人: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G02F1/133 , G02F1/1343 , G02F1/1335
摘要: 一种相位调制装置及其制备方法、相位调制设备。相位调制装置包括基底、设置在基底上的波导层以及设置在波导层远离基底一侧的相位调制层,相位调制层包括相对设置的控制电极以及夹设在控制电极之间的液晶层,波导层在基底上的正投影位于液晶层在基底上的正投影的范围内,控制电极在基底上的正投影位于波导层在基底上的正投影的两侧。
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公开(公告)号:CN114552382A
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN202210152363.1
申请日:2022-02-18
申请人: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本公开提供了反射薄膜结构及其制备方法,该反射薄膜结构包括:在基板上依次沉积的预设数量的反射薄膜单元;其中,每个反射薄膜单元至少包括:第一薄膜层和第二薄膜层,第一薄膜层和第二薄膜层均由相同的相变材料制成,第一薄膜层为相变材料的晶体态,第二薄膜层为相变材料的非晶体态,以使第一薄膜层的第一折射率和第二薄膜层的第二折射率不同。本实施例通过使用同种相变材料的沉积作为反射薄膜结构的基本层级,并改变其中一部分薄膜层级的晶相形态实现层级之间不同折射率的实现,在保证反射薄膜结构的反射效率的基础上,使反射薄膜结构在制备过程中工艺流程更简单,更适用于低成本大面积制备。
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