公开(公告)号：CN111819706B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN201980017398.0

申请日：2019-03-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 古川大祐 ,  荒木贵史

IPC: H10K30/20 ,  H10K30/60 ,  H10K85/10 ,  H10K85/20 ,  H10K101/30

Abstract: 本发明提高光电转换元件的SN比。光电转换元件(10)具备：阳极(12)、阴极(16)、设置于阳极和阴极之间的活性层(14)、以及设置于阳极和活性层之间的空穴传输层(13)，活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料，所述p型半导体材料是吸收峰波长为900nm以上的高分子化合物，活性层中包含的n型半导体材料的LUMO与空穴传输层中包含的空穴传输性材料的HOMO的能量差小于0.9eV。

公开(公告)号：CN111247654A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201880068481.6

申请日：2018-10-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 古川大祐 ,  猪口大辅

IPC: H01L51/42 ,  H01L31/10 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明提高比探测率。在包含阳极(12)、阴极(16)、以及设置于该阳极与该阴极之间的活性层(14)的光电转换元件(10)中，活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料，该p型半导体材料是吸收峰波长为800nm以上的高分子化合物；活性层的厚度为300nm以上且小于600nm。

公开(公告)号：CN111819706A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201980017398.0

申请日：2019-03-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 古川大祐 ,  荒木贵史

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明提高光电转换元件的SN比。光电转换元件(10)具备：阳极(12)、阴极(16)、设置于阳极和阴极之间的活性层(14)、以及设置于阳极和活性层之间的空穴传输层(13)，活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料，所述p型半导体材料是吸收峰波长为900nm以上的高分子化合物，活性层中包含的n型半导体材料的LUMO与空穴传输层中包含的空穴传输性材料的HOMO的能量差小于0.9eV。