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公开(公告)号：CN114514621A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202080067923.2
申请日：2020-09-08
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/46 , C07D519/00 , H01L27/30
Abstract: 本发明提高耐热性。一种光电转换元件，其为包含阳极(12)、阴极(16)、和设置于该阳极与该阴极之间的有源层(14)的光电转换元件(10)，其中，有源层包含n型半导体材料和p型半导体材料，n型半导体材料为下述式(I)所示的化合物，p型半导体材料为包含下述式(II)所示的结构单元的高分子化合物。(式(I)中，R1和R2如说明书中所定义。)(式(II)中，Ar1、Ar2和Z如说明书中所定义。)
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公开(公告)号：CN111819706B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN201980017398.0
申请日：2019-03-22
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H10K30/20 , H10K30/60 , H10K85/10 , H10K85/20 , H10K101/30
Abstract: 本发明提高光电转换元件的SN比。光电转换元件(10)具备：阳极(12)、阴极(16)、设置于阳极和阴极之间的活性层(14)、以及设置于阳极和活性层之间的空穴传输层(13)，活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料，所述p型半导体材料是吸收峰波长为900nm以上的高分子化合物，活性层中包含的n型半导体材料的LUMO与空穴传输层中包含的空穴传输性材料的HOMO的能量差小于0.9eV。
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公开(公告)号：CN115052916A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202180012511.3
申请日：2021-01-28
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 荒木贵史
IPC: C08G61/12 , C08L65/00 , C09D11/00 , C09D11/102 , H01L27/146 , H01L27/30 , H01L51/42
Abstract: 本发明提供在用于光电转换元件的情况下在波长1000nm以上的特定波长范围能够实现高EQE的高分子化合物。一种高分子化合物，其包含式(1)所表示的结构单元和式(2)所表示的结构单元。(式中，X1、X2各自独立地表示硫原子或氧原子，Z表示氮原子或‑C(Ra)＝所表示的基团，R1、R2、R3和Ra如说明书中所记载。)，另外，高分子化合物可以包含式(1)所表示的结构单元与式(2)所表示的结构单元直接键合而成的单元。
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公开(公告)号：CN116134037A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180061226.0
申请日：2021-07-20
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: C07D495/22
Abstract: 本发明提供一种下述式(I)所表示的新的半导体材料。A1‑B1‑A1(I)(式(I)中，A1表示吸电子性基团，B1表示包含由单键连结而构成π共轭系的2个以上的结构单元的2价基团，该2个以上的结构单元中的至少一个为下述式(II)所表示的第1结构单元，并且该第1结构单元以外的剩余的第2结构单元为包含不饱和键的2价基团、亚芳基或杂亚芳基)。(式(II)中，Ar1、Ar2、Y和R如说明书中所定义。)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115336022A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024405.7
申请日：2021-03-22
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明的课题在于降低暗电流。解决手段为一种光检测元件(10)，其具备阳极(12)、阴极(16)、以及设于该阳极与该阴极之间且包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层(14)，从上述n型半导体材料的HOMO的能级的绝对值减去p型半导体材料的HOMO的能级的绝对值而得到的值为0.35以下。此外，上述n型半导体材料的HOMO与p型半导体材料的HOMO之差优选为0～0.10eV，p型半导体材料优选为包含下式(I)所表示的结构单元的高分子化合物。(式(I)中，Ar1和Ar2表示具有或不具有取代基的3价芳香族杂环基或者具有或不具有取代基的3价芳香族碳环基，Z表示下述式(Z‑1)～式(Z‑7)所表示的基团。)
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公开(公告)号：CN115336021A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024384.9
申请日：2021-03-22
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供暗电流比小的光检测元件。解决手段为一种光检测元件，其包含第一电极、第二电极、以及设置于上述第一电极与上述第二电极之间的有源层，上述有源层包含p型半导体材料和n型半导体材料，上述p型半导体材料包含具有‑5.45eV以下的HOMO的聚合物，上述n型半导体材料包含非富勒烯化合物。优选上述p型半导体材料中包含的上述聚合物包含具有给电子性的结构单元DU和具有受电子性的结构单元AU，上述非富勒烯化合物包含具有给电子性的部分DP和具有受电子性的部分AP。
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公开(公告)号：CN119907823A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380066966.2
申请日：2023-09-21
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: C08G85/00 , C08G61/12 , C08L65/00 , C08L101/12 , C09D5/24 , C09D11/102 , C09D165/00 , H10K30/50 , H10K30/60 , H10K39/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种抑制光电转换元件的暗电流的聚合物。本发明涉及一种聚合物，其为包含具有主链和侧链的结构单元的聚合物，其中，以上述聚合物中包含的上述结构单元的摩尔比率加权的上述侧链的式量的加权平均为160以上，吸收限强度为0.08以下。
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公开(公告)号：CN115336023A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024466.3
申请日：2021-03-22
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提高比检测率。解决手段为一种光检测元件(10)，其具备阳极(12)、阴极(16)、以及设置于该阳极与该阴极之间且包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层(14)，从n型半导体材料的HOMO的能级的绝对值减去上述p型半导体材料的HOMO的能级的绝对值而得到的值(ΔEA)与从上述n型半导体材料的LUMO的能级的绝对值减去上述p型半导体材料的LUMO的能级的绝对值而得到的值(ΔEB)之和的值(ΔEA+ΔEB)为大于0且小于0.88的范围。
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公开(公告)号：CN111819706A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017398.0
申请日：2019-03-22
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明提高光电转换元件的SN比。光电转换元件(10)具备：阳极(12)、阴极(16)、设置于阳极和阴极之间的活性层(14)、以及设置于阳极和活性层之间的空穴传输层(13)，活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料，所述p型半导体材料是吸收峰波长为900nm以上的高分子化合物，活性层中包含的n型半导体材料的LUMO与空穴传输层中包含的空穴传输性材料的HOMO的能量差小于0.9eV。
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