一种用于热障涂层的陶瓷纳米复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102786303A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201210283418.9

    申请日:2012-08-07

    摘要: 本发明属于陶瓷纳米复合材料技术领域,提供了一种用于热障涂层的陶瓷纳米复合材料及其制备方法。使用价格低廉的Ln(NO3)3·6H2O、Sr(NO3)2和Zr(NO3)4·5H2O为原料,经溶液制备、沉淀、抽滤、烘干、煅烧,获得所需的陶瓷纳米复合材料。所制备的陶瓷纳米复合材料中各相晶粒尺寸都小于70nm,且各相分布均匀,具有良好的高温化学稳定性、抗冲刷性和隔热性,有利于抑制高温条件下晶粒长大,并提高陶瓷纳米复合材料本身的力学性能,特别是韧性,是用作热障涂层的优良侯选材料。该陶瓷纳米复合材料制备方法简单,合成温度相对较低、时间短、相纯度高,节约能源,适合大量合成,具有较强的推广及应用价值。

    一种利用发孔铝箔制备石墨烯铝基复合材料的方法

    公开(公告)号:CN108179326B

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201810091196.8

    申请日:2018-01-30

    发明人: 李明 龚沛 吴秀峰

    IPC分类号: C22C21/00 C22C1/10 C23F1/20

    摘要: 本发明公开了一种利用发孔铝箔制备石墨烯铝基复合材料的方法,属于无机材料合成技术领域。该方法包括:铝箔发孔、石墨烯附着以及热等静压三个过程,首先将铝合金在硫酸‑盐酸体系中腐蚀发孔,冷冻切片,使其表面带正电荷;将发孔铝箔进行石墨烯附着,将石墨烯纳米片使用乙醇分散并分两份,向一份中加入发孔铝箔,将另一份逐滴加入,真空下搅拌、加热、干燥完成石墨烯附;然后将该复合发孔铝箔进行热等静压烧结,得到石墨烯铝基复合材料。本发明提供的制备方法简单,条件温和,石墨烯纳米片分布均匀且保留原始结构,石墨烯/铝界面结合良好,石墨烯铝基复合材料的性能显著提高,其中热等静压烧结温度为600℃时合成的石墨烯铝基复合材料性能最佳。

    铁镓铽合金磁致伸缩微位移传感器

    公开(公告)号:CN117367257A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311289156.1

    申请日:2023-10-08

    IPC分类号: G01B7/02

    摘要: 本发明涉及一种铁镓铽合金磁致伸缩微位移传感器。为满足超微米位移测量需要。包括依次配置的微位移测量接近装置和配检测线圈及其磁场检测机构的铁镓铽合金磁致伸缩材料部件以及前设钨探针的压电陶瓷;使用应变λ‑磁场H曲线重复性好的材料,制定传感器定标曲线,加工出所述铁镓铽合金磁致伸缩材料部件;通过微位移测量接近装置实现接近被测工件的粗调定位,通过压电陶瓷上钨探针与被测工件之间生产的隧道电流控制微位移传感器与被探测部件的终点距离实现微调定位,通过检测线圈磁场的增加或降低实现铁镓铽合金磁致伸缩材料部件的伸长和缩短,使用基于位置反馈的闭环控制电路来实现铁镓铽合金磁致伸缩材料部件的伸缩定位测量。具有磁致伸缩应变精度高,相应速度快,导电和非导电部件都能测量,能很好地满足超微米微位移测量需要的优点。

    一种利用发孔铝箔制备石墨烯铝基复合材料的方法

    公开(公告)号:CN108179326A

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201810091196.8

    申请日:2018-01-30

    发明人: 李明 龚沛 吴秀峰

    IPC分类号: C22C21/00 C22C1/10 C23F1/20

    摘要: 本发明公开了一种利用发孔铝箔制备石墨烯铝基复合材料的方法,属于无机材料合成技术领域。该方法包括:铝箔发孔、石墨烯附着以及热等静压三个过程,首先将铝合金在硫酸-盐酸体系中腐蚀发孔,冷冻切片,使其表面带正电荷;将发孔铝箔进行石墨烯附着,将石墨烯纳米片使用乙醇分散并分两份,向一份中加入发孔铝箔,将另一份逐滴加入,真空下搅拌、加热、干燥完成石墨烯附;然后将该复合发孔铝箔进行热等静压烧结,得到石墨烯铝基复合材料。本发明提供的制备方法简单,条件温和,石墨烯纳米片分布均匀且保留原始结构,石墨烯/铝界面结合良好,石墨烯铝基复合材料的性能显著提高,其中热等静压烧结温度为600℃时合成的石墨烯铝基复合材料性能最佳。

    一种NiMnFeGaAl-RE系磁致伸缩材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102816973B

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201210167430.3

    申请日:2012-05-18

    IPC分类号: C22C38/08 C22C30/00 H01L41/20

    摘要: 本发明涉及一种NiMnFeGaAl-RE系磁致伸缩材料及其制备方法。其中,该磁致伸缩材料的材料成分由Ni、Mn、Fe、Ga、Al和RE元素组成,各元素在合金中的原子数比Ni∶Mn∶Fe∶Ga∶Al∶RE为5~20∶5~30∶40~60∶18~25∶0.01~2,其中RE是La、Ce、Pr、Nd、Tb、Dy和Y中的一种或两种。本发明的磁致伸缩材料通过用高温度梯度快速凝固法,对精炼后的合金棒进行晶体定向生长,得到 和 织构的取向多晶材料。本发明的磁致伸缩材料的磁致伸缩应变在低场(<1500Oe)下随磁场的增加而线性增加,可用线性函数表征,无磁滞,这个特性可以使传感器的设计简化,并且该材料的成本低、机械加工性能良好、制备工艺简单。

    一种NiMnFeGaAl-RE系磁致伸缩材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102816973A

    公开(公告)日:2012-12-12

    申请号:CN201210167430.3

    申请日:2012-05-18

    IPC分类号: C22C38/08 C22C30/00 H01L41/20

    摘要: 本发明涉及一种NiMnFeGaAl-RE系磁致伸缩材料及其制备方法。其中,该磁致伸缩材料的材料成分由Ni、Mn、Fe、Ga、Al和RE元素组成,各元素在合金中的原子数比Ni∶Mn∶Fe∶Ga∶Al∶RE为5~20∶5~30∶40~60∶18~25∶0.01~2,其中RE是La、Ce、Pr、Nd、Tb、Dy和Y中的一种或两种。本发明的磁致伸缩材料通过用高温度梯度快速凝固法,对精炼后的合金棒进行晶体定向生长,得到 和 织构的取向多晶材料。本发明的磁致伸缩材料的磁致伸缩应变在低场(<1500Oe)下随磁场的增加而线性增加,可用线性函数表征,无磁滞,这个特性可以使传感器的设计简化,并且该材料的成本低、机械加工性能良好、制备工艺简单。