-
公开(公告)号：CN1689173A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03823552.8
申请日：2003-09-03
申请人： 剑桥显示技术有限公司 , 通用电气公司
发明人： R·阿切尔 , N·贝尼斯 , T·巴特勒 , S·西纳 , C·弗丹 , D·弗塞瑟 , M·里德比特 , C·墨菲 , N·帕特尔 , N·飞利浦斯 , M·罗伯茨 , A·R·杜加尔 , 刘杰
IPC分类号： H01L51/40
摘要： 一种形成光学器件的方法，包括如下步骤：提供包括能够注入或接受第一类型的电荷载体的第一电极的基层；通过沉积无可交联乙烯基或乙炔基的并且在沉积时可溶于溶剂中的第一半导体材料，在第一电极上形成至少部分不溶于溶剂的第一层；通过从溶剂的溶液中沉积第二半导体材料而形成与第一层接触并包括第二半导体材料的第二层；和在第二层上形成能够注入或接受第二类型电荷载体的第二电极，其中在沉积第一半导体材料后通过热、真空和环境干燥处理中的一种或多种方式使该第一层至少部分不可溶。
-
公开(公告)号：CN100583486C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN03823552.8
申请日：2003-09-03
申请人： 剑桥显示技术有限公司 , 通用电气公司
发明人： R·阿切尔 , N·贝尼斯 , T·巴特勒 , S·西纳 , C·弗丹 , D·弗塞瑟 , M·里德比特 , C·墨菲 , N·帕特尔 , N·飞利浦斯 , M·罗伯茨 , A·R·杜加尔 , 刘杰
IPC分类号： H01L51/40
摘要： 一种形成光学器件的方法，包括如下步骤：提供包括能够注入或接受第一类型的电荷载体的第一电极的基层；通过沉积无可交联乙烯基或乙炔基的并且在沉积时可溶于溶剂中的第一半导体材料，在第一电极上形成至少部分不溶于溶剂的第一层；通过从溶剂的溶液中沉积第二半导体材料而形成与第一层接触并包括第二半导体材料的第二层；和在第二层上形成能够注入或接受第二类型电荷载体的第二电极，其中在沉积第一半导体材料后通过热、真空和环境干燥处理中的一种或多种方式使该第一层至少部分不可溶。
-
公开(公告)号：CN102017209A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115154.2
申请日：2009-02-25
申请人： 剑桥显示技术有限公司 , 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L51/05
摘要： 有机薄膜晶体管，其包括：基板；设置在基板上方的源极和漏极，其间具有沟道区；设置在沟道区中的有机半导体层；栅极；和设置在有机半导体层和栅极之间的栅极电介质，其中栅极电介质包含交联聚合物和含氟聚合物。
-
公开(公告)号：CN101926016A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200880125795.1
申请日：2008-12-17
申请人： 剑桥显示技术有限公司
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L27/3248 , H01L27/3274 , H01L51/0005 , H01L51/0541
摘要： 一种制造有机薄膜晶体管的方法，包括：提供包含限定沟道区的源电极和漏电极的基板；使至少沟道区经历清洗处理步骤；以及通过喷墨印刷将有机半导体材料由溶液沉积到沟道区中。
-
公开(公告)号：CN102017209B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200980115154.2
申请日：2009-02-25
申请人： 剑桥显示技术有限公司 , 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L51/05
摘要： 有机薄膜晶体管，其包括：基板；设置在基板上方的源极和漏极，其间具有沟道区；设置在沟道区中的有机半导体层；栅极；和设置在有机半导体层和栅极之间的栅极电介质，其中栅极电介质包含交联聚合物和含氟聚合物。
-
公开(公告)号：CN101926016B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200880125795.1
申请日：2008-12-17
申请人： 剑桥显示技术有限公司
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L27/3248 , H01L27/3274 , H01L51/0005 , H01L51/0541
摘要： 一种制造有机薄膜晶体管的方法，包括：提供包含限定沟道区的源电极和漏电极的基板；使至少沟道区经历清洗处理步骤；以及通过喷墨印刷将有机半导体材料由溶液沉积到沟道区中。
-
公开(公告)号：CN101911329A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880123725.2
申请日：2008-11-27
申请人： 剑桥显示技术有限公司
IPC分类号： H01L51/10
CPC分类号： H01L51/105 , H01L51/002 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要： 一种薄膜晶体管及其制造方法，包括：源电极(2)和漏电极(4)及布置在其之间的沟道区中的有机半导体材料(8)，其中，源电极和漏电极具有设置在其上面的薄自组装材料层(14)，该薄自组装材料层(14)包括用于通过接受电子在化学上对有机半导体材料进行掺杂的掺杂剂部分，该掺杂剂部分具有相对于乙腈中的饱和甘汞电极至少0.3eV的氧化还原电位。
-
公开(公告)号：CN101911329B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880123725.2
申请日：2008-11-27
申请人： 剑桥显示技术有限公司
IPC分类号： H01L51/10
CPC分类号： H01L51/105 , H01L51/002 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要： 一种薄膜晶体管及其制造方法，包括：源电极(2)和漏电极(4)及布置在其之间的沟道区中的有机半导体材料(8)，其中，源电极和漏电极具有设置在其上面的薄自组装材料层(14)，该薄自组装材料层(14)包括用于通过接受电子在化学上对有机半导体材料进行掺杂的掺杂剂部分，该掺杂剂部分具有相对于乙腈中的饱和甘汞电极至少0.3eV的氧化还原电位。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.049 秒)
