公开(公告)号：CN105378960B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201480040221.X

申请日：2014-07-11

申请人： 剑桥显示技术有限公司

发明人： C·纽桑姆

IPC分类号： H01L51/10

CPC分类号： H01L51/105 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： 公开了制备有机电子器件的改性电极的方法，其中所述改性电极包含表面改性层，该方法包括：(i)向所述电极的至少一个表面的至少一部分上沉积包含M(tfd)3和至少一种溶剂的溶液，其中M是Mo、Cr或W；和(ii)去除至少一些所述溶剂以在所述电极上形成所述表面改性层。

公开(公告)号：CN107925003A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680043384.2

申请日：2016-06-29

申请人： 弗莱克因艾伯勒有限公司 ,  剑桥企业有限公司

发明人： H·西林豪斯 ,  M·尼科尔卡 ,  I·纳斯鲁拉 ,  J·乔曼

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0558 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0541

摘要： 本发明公开了包括半导体层的电子或光电子器件，其中所述半导体层至少包含半导体有机材料、水物类和相对于所述半导体有机材料计至少0.1重量％的量的至少一种添加剂，所述添加剂至少部分抵消由水物类在半导体有机材料上造成的载荷子俘获效应。

公开(公告)号：CN107360720A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201680017582.1

申请日：2016-03-23

申请人： 日本化药株式会社

发明人： 滨田雅裕 ,  品村祥司 ,  贞光雄一

IPC分类号： C07D495/04 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L51/46 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/0074 ,  C07D495/04 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0028 ,  H01L51/05 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明的课题提供室温下有机溶剂溶解性、溶液保存稳定性及耐热性优异的有机化合物、含有该有机化合物的有机半导体材料、使用该有机半导体材料并通过室温印刷制程获得的有机薄膜、及含有该有机薄膜而成的具有高移动率和耐热性的有机半导体装置。本发明提供一种下述式(A)所示的有机化合物及含有该有机化合物的有机半导体材料。(式中，R1及R2的任一者表示烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的杂环基，另一者表示脂肪族烃基、芳香族烃基或杂环基。但排除R1及R2两者皆表示烷基的情形)。

公开(公告)号：CN107271679A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710200722.5

申请日：2017-03-30

申请人： 株式会社NDD

发明人： 安世荣 ,  权贤花

IPC分类号： G01N33/68 ,  G01N33/574 ,  G01N33/543

CPC分类号： G01N33/5438 ,  G01N27/4145 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0562 ,  G01N33/68 ,  G01N33/543 ,  G01N33/574 ,  G01N33/6893 ,  G01N2333/47 ,  G01N2800/32

摘要： 本发明提供一种生物传感装置，其包括单元体，所述单元体具备：源极以及漏极，彼此隔开配置；敏感膜，其为源极与漏极之间的通道；以及栅极，其与敏感膜隔开配置，所述栅极配置在层级(level)低于所述源极、所述漏极以及所述敏感膜的下部。

公开(公告)号：CN106883383A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201710029610.8

申请日：2013-02-25

申请人： 斯马特凯姆有限公司

发明人： R.J.格里菲思

IPC分类号： C08G61/10 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C09D165/00 ,  C09D11/52 ,  C08K5/01 ,  C08L65/00 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46 ,  H01L51/54

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  C08G61/12 ,  C08G61/126 ,  C08G61/128 ,  C08G75/06 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/5222 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C08G2261/94 ,  C08G2261/95 ,  C08K5/01 ,  C09D11/52 ,  C09D165/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H01L2251/30 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  C08L65/00

摘要： 本发明涉及有机半导体组合物。更具体地，本发明涉及有机共聚物和包含这些材料的有机半导体组合物，包括包含这样的有机半导体组合物的层和器件。本发明还涉及这样的有机半导体组合物和层的制备方法及其用途。本发明具有在印刷电子器件领域中的应用并且作为用于显示器用有机薄膜晶体管(OTFT)背板、集成电路、有机发光二极管(OLED)、光电探测器、有机光伏(OPV)电池、传感器、存储元件和逻辑电路的配制物的半导体材料是特别有用的。

公开(公告)号：CN104105726B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201380008858.6

申请日：2013-01-29

申请人： 默克专利股份有限公司 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

发明人： P·维尔兹乔维克 ,  P·米斯基韦茨 ,  T·巴克隆德 ,  陈莉惠 ,  P·C·布鲁克斯 ,  I·阿福尼娜 ,  L·F·罗迪斯 ,  A·贝尔

IPC分类号： C08F232/08 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/107 ,  C08F232/08 ,  C08G2261/418 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及包含聚环烯烃平坦化层的有机电子器件，更具体地涉及位于基板与功能层，例如半导体层、介电层或电极，之间的平坦化层，进一步涉及此类平坦化层在有机电子器件中的用途，和涉及此类聚环烯烃平坦化层和有机电子器件的生产方法。

公开(公告)号：CN106711330A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201611022500.0

申请日：2016-11-17

申请人： 武汉华星光电技术有限公司

发明人： 谢应涛

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L51/0516 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76895 ,  H01L51/0541 ,  H01L2221/101

摘要： 一种有机薄膜晶体管及其制造方法。本发明是要解决现有薄膜晶体管中自图案化绝缘层形成的过孔较难实现上下电极层互联的问题。有机薄膜晶体管包括绝缘基板、源漏电极层、有机半导体层、自图案化有机栅绝缘层、栅电极层、有机平坦化层和像素电极。方法：形成依次包括绝缘基板、源漏电极层、有机半导体层、自图案化有机栅绝缘层、栅电极层和有机平坦化层在内的多层结构。本发明继承了自图案化绝缘层工艺简单的优点，同时解决了上下电极层互联断线的问题，实现了低成本制备有机薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN104091886B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201410319179.7

申请日：2014-07-04

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 方汉铿 ,  谢应涛 ,  欧阳世宏 ,  蔡述澄 ,  石强 ,  刘则

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0541 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

摘要： 本发明实施例提供一种有机薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可在封装和保护有机半导体有源层的同时，形成厚度较薄成膜均匀的有机绝缘层，降低形成过孔的工艺难度，提高工艺可靠性。该方法包括形成包括源极、漏极的源漏金属层，以及有机半导体有源层；所述有机半导体有源层与所述源极、所述漏极接触；在形成有包括所述源极、所述漏极的源漏金属层以及所述有机半导体有源层上形成有机绝缘薄膜，采用刻蚀减薄工艺减薄所述有机绝缘薄膜的厚度，并采用固化工艺固化减薄后的所述有机绝缘薄膜，形成有机绝缘层；其中，所述方法还包括形成栅极。用于有机薄膜晶体管及包括该有机薄膜晶体管的阵列基板的制备。

公开(公告)号：CN103261250B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201180042505.9

申请日：2011-08-26

申请人： 默克专利股份有限公司 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

发明人： D·C·穆勒 ,  T·库尔 ,  P·米斯基韦茨 ,  M·卡拉斯克-奥罗兹可 ,  A·贝尔 ,  E·埃尔斯 ,  L·F·罗迪斯 ,  藤田一羲 ,  H·恩格 ,  P·坎达纳拉什切 ,  S·史密斯

IPC分类号： C08F232/00 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/052 ,  C08F32/04 ,  C08F232/00 ,  C08L45/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0537 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/107

摘要： 根据本发明的实施方案提供了聚环烯烃在电子器件中的用途且更特别涉及这种聚环烯烃作为栅绝缘层在电子器件制造中的用途、包括这种聚环烯烃栅绝缘体的电子器件，以及用于制备这种聚环烯烃栅绝缘层和电子器件的方法。

公开(公告)号：CN106068569A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201580012647.9

申请日：2015-02-13

申请人： 默克专利股份有限公司 ,  普罗米鲁斯有限责任公司

发明人： I·阿福尼娜 ,  T·库尔

IPC分类号： H01L51/05 ,  C08F232/00

CPC分类号： H01L51/0034 ,  C08F232/00 ,  C08F232/08 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： 本发明涉及有机电子器件，和更具体地涉及有机场效应晶体管，其包含含有多环烯属聚合物的介电层，该多环烯属聚合物具有烯属侧链。