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公开(公告)号：CN110283346B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910592399.X
申请日：2019-07-03
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物薄膜及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：(1)将取向的聚偏氟乙烯膜附着在基底上，得到初始膜；(2)将偏氟乙烯‑三氟乙烯共聚物溶液施加于初始膜上，得到预处理膜；(3)将预处理膜在100～180℃下退火处理，获得聚合物薄膜。本发明的聚合物薄膜具有优良的铁电性能和压电性能。
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公开(公告)号：CN108084477B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810102667.0
申请日：2018-02-01
Applicant: 北京化工大学
IPC: C08J7/04 , C08L23/06 , C09D167/02 , C09D167/04 , C09D133/12 , C09D127/06 , C09D171/02 , C09D123/12 , C09D165/00
Abstract: 本发明公开了一种高分子取向薄膜及其制备方法和应用。该方法包括如下步骤：(1)采用熔融拉伸法制备第一聚合物取向薄膜，将所述第一聚合物取向薄膜附着在基板上；(2)采用旋涂法将第二聚合物共混溶液附着在第一聚合物取向薄膜上，形成第二聚合物薄膜，然后进行热处理得到具有平行片晶的高分子取向薄膜。本发明还提供一种高分子取向薄膜纳米级别相分离的调控方法。本发明的方法操作简单、可以大面积制备高取向度且取向均匀的高分子取向薄膜。
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公开(公告)号：CN108840965B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810567609.5
申请日：2018-06-05
Applicant: 北京化工大学
IPC: C08F112/32 , C07D417/04 , C09K11/06
Abstract: 本发明公开了一种荧光聚合物的制备方法，包括如下步骤：以二苯并噻吩为原料合成3‑乙烯基‑6‑吩噻嗪二苯并噻吩砜；以3‑乙烯基‑6‑吩噻嗪二苯并噻吩砜为荧光单体，在自由基引发剂和2,2,6,6‑四烷基哌啶氧化物存在的条件下进行活性自由基聚合反应得到所述荧光聚合物；2,2,6,6‑四烷基哌啶氧化物中的烷基为C1～C3的烷基；自由基引发剂选自偶氮引发剂或过氧化物引发剂；自由基引发剂与荧光单体的摩尔比为0.003～0.03:1，自由基引发剂与2,2,6,6‑四烷基哌啶氧化物的摩尔比为1:1～2。本发明还提供一种2,2,6,6‑四烷基哌啶氧化物的用途。本发明的方法可以获得性能可控的荧光聚合物。
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公开(公告)号：CN114524956A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011186886.5
申请日：2020-10-30
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种取向且可拉伸的有机半导体薄膜的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)将基材浸入聚噻吩浓度为1～15mg/mL的聚噻吩溶液中，保留5～30s，然后以0.1～0.9cm/s的提拉速率将基材取出，干燥后，在基材表面形成取向聚噻吩膜；其中，所述聚噻吩溶液包括聚噻吩、三氯苯和溶剂；(2)将道康宁的sylgard 184A溶液与sylgard 184B溶液的混合物施于所述取向聚噻吩膜上，固化后得到复合膜；(3)将复合膜从基材上剥离，得到取向且可拉伸的有机半导体薄膜。本发明可以避免有机半导体薄膜因拉伸而导致导电性能显著变劣的现象。
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公开(公告)号：CN111205496B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010129673.2
申请日：2020-02-28
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚偏氟乙烯γ型晶体的制备方法，包括如下步骤：将聚偏氟乙烯薄膜在180～260℃的剪切温度下用纤维进行剪切，得到剪切后的聚偏氟乙烯薄膜；然后将剪切后的聚偏氟乙烯薄膜在150～165℃的结晶温度下进行结晶，得到聚偏氟乙烯γ型晶体。本发明的方法可以得到聚偏氟乙烯γ型晶体。
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公开(公告)号：CN109853025A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910014168.0
申请日：2019-01-08
Applicant: 北京化工大学
IPC: C25D15/00
Abstract: 本发明公开了一种复合薄膜及其制备方法和用途。采用熔融拉伸法制备取向的聚合物薄膜，然后采用该聚合物薄膜修饰电化学聚合的工作电极以形成修饰电极；将含碳纳米管与导电聚合物单体的电荷转移复合物在所述修饰电极上进行电化学聚合，采用循环伏安法形成含碳纳米管和导电聚合物的各向异性的复合薄膜；在所述电荷转移复合物中，以克计的碳纳米管的质量与以摩尔计的导电聚合物单体的摩尔量之比为2～8g:0.01～0.5mol。本发明可以获得各向异性的复合薄膜。
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公开(公告)号：CN115746272A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211482316.X
申请日：2022-11-24
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种发光材料及其制备方法和应用。该发光材料的结构如式(I)所示；式(I)中，R1和R2表示苯环上任意位置的取代基；R1和R2分别独立地选自氢、C1‑C10直链烷基或C3‑C8环烷基；Host为具有调控光物理特性的主体单元；m、a、b、c、d为摩尔百分比，相互独立地选自1％～99％，且m+a+b+c+d＝100％。本发明的发光材料可以作为发红光的热激发延迟荧光材料用于制备有机电致发光器件，器件的开启电压较低。
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公开(公告)号：CN110283346A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910592399.X
申请日：2019-07-03
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物薄膜及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：(1)将取向的聚偏氟乙烯膜附着在基底上，得到初始膜；(2)将偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物溶液施加于初始膜上，得到预处理膜；(3)将预处理膜在100～180℃下退火处理，获得聚合物薄膜。本发明的聚合物薄膜具有优良的铁电性能和压电性能。
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公开(公告)号：CN109320743A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811414141.2
申请日：2018-11-26
Applicant: 北京化工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，包括：(1)将聚偏氟乙烯PVDF分散于溶剂中，形成浓度为1～100mg/mL的PVDF溶液；PVDF的重均分子量为3.5×105～8×105；(2)将所述PVDF溶液施加于基底上、并在40～130℃干燥成型，得到初始膜；(3)将所述初始膜进一步干燥，形成预处理膜；(4)以1～20℃/min的升温速率将所述预处理膜升温至150～170℃，并持续退火1～60min，然后以1～20℃/min的降温速率降温至23±2℃，形成γ晶型聚偏氟乙烯薄膜。采用本发明的方法可以获得γ晶型含量很高的聚偏氟乙烯薄膜。
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