公开(公告)号：CN110283346A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910592399.X

申请日：2019-07-03

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 孙晓丽 ,  王梦宇 ,  闫寿科 ,  李慧慧 ,  任忠杰

IPC: C08J7/00 ,  C08J7/04 ,  H01G4/33 ,  H01G4/18 ,  C08L27/16

Abstract: 本发明公开了一种聚合物薄膜及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：(1)将取向的聚偏氟乙烯膜附着在基底上，得到初始膜；(2)将偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物溶液施加于初始膜上，得到预处理膜；(3)将预处理膜在100～180℃下退火处理，获得聚合物薄膜。本发明的聚合物薄膜具有优良的铁电性能和压电性能。

公开(公告)号：CN110283346B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201910592399.X

申请日：2019-07-03

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 孙晓丽 ,  王梦宇 ,  闫寿科 ,  李慧慧 ,  任忠杰

IPC: C08J7/00 ,  C08J7/04 ,  H01G4/33 ,  H01G4/18 ,  C08L27/16

Abstract: 本发明公开了一种聚合物薄膜及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：(1)将取向的聚偏氟乙烯膜附着在基底上，得到初始膜；(2)将偏氟乙烯‑三氟乙烯共聚物溶液施加于初始膜上，得到预处理膜；(3)将预处理膜在100～180℃下退火处理，获得聚合物薄膜。本发明的聚合物薄膜具有优良的铁电性能和压电性能。