一种有机半导体薄膜的高速退火设备及退火方法

    公开(公告)号:CN115568267A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202211179092.5

    申请日:2022-09-27

    IPC分类号: H10K71/40 H01L21/67

    摘要: 本发明公开了一种有机半导体薄膜的高速退火设备及退火方法,涉及有机半导体薄膜技术领域。其中,该有机半导体薄膜的高速退火设备,包括:密封腔体,用于有机半导体薄膜退火;加热板,设置于所述密封腔体内;测温元件,设置于所述加热板表面,且位于薄膜下方;液氮喷口,与所述密封腔体顶部内壁相连,且位于所述薄膜正上方;电源,与所述加热板电性连接;及PID控制器,分别与所述加热板、所述测温元件和所述电源电性连接。本发明,解决目前的热退火方法难以做到高速精确的温度控制,这使得针对有机半导体薄膜的退火设备及退火方法并不成熟的问题。

    一种柔性有机半导体纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN115513374A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202211179101.0

    申请日:2022-09-27

    IPC分类号: H01L51/00 B82Y30/00 B82Y40/00

    摘要: 本发明提供了一种柔性有机半导体纳米线的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1)将一定质量的有机半导体材料与弹性体和溶剂混合后得到共混溶液;S2)将掩膜版覆盖在基底表面,通过刻蚀对基底进行表面修饰,在基底上形成凹槽;S3)将基底固定于旋转台一侧,在基底上滴加所述共混溶液后开启旋转台,溶液沿着基底凹槽固化形成纳米线。使用有机半导体与弹性体的共混溶液,在离心旋涂过程中,使得半导体材料在弹性体内部形成相分离连续网络,并同时在基底凹槽内固化形成纳米线,可以高效制备宽度窄,长度长,高柔性抗拉伸,并且载流子迁移率高的有机半导体纳米线。