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公开(公告)号：CN109856441B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201910297476.9
申请日：2019-04-15
申请人： 华北电力大学
摘要： 本发明公开了一种压接型IGBT器件芯片电流在线测量系统，该系统包括：积分电路和至少两组PCB板，每组PCB板上设置有多个电流测量线圈，凸台从电流测量线圈中穿过，凸台电流等于芯片电流，电流测量线圈包括线圈骨架、第一导线和第二导线，第一导线一端和积分电路第一输入连接，第一导线环绕线圈骨架均匀缠绕成线圈绕组，第一导线另一端和第二导线一端连接，第二导线另一端和积分电路第二输入连接，积分电路根据电流测量线圈的电压信号确定芯片中的电流，本发明提出的在线测量系统能够集成在器件内部，实现对压接型IGBT器件中所有芯片中的电流同时在线测量。
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公开(公告)号：CN109827693B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201910220725.4
申请日：2019-03-22
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01L5/00
摘要： 本发明公开了一种压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统，包括集电极、发射极和子模组；集电极、子模组和发射极依次接触连接；子模组设置在集电极和发射极之间；其中，子模组包括半导体芯片、热流及电流传导结构和压力传感器，集电极、半导体芯片、热流及电流传导结构及发射极依次接触连接；压力传感器分别与热流及电流传导结构内壁底面和端面接触连接。本发明提供的压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统能够降低对压力传感器的要求，实现对任意工况下芯片压力分布情况准确测量，突破现有测量方法在正常工况条件下测量的局限性。
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公开(公告)号：CN111398799B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010186702.9
申请日：2020-03-17
申请人： 华北电力大学
发明人： 张一鸣
IPC分类号： G01R31/327 , G01R1/04
摘要： 一种智能高压真空断路器的状态参数在线监测装置，包括座板，座板的底面四角处均安装带有锁止功能的滚轮，座板上方设有八个正方体形的盒体，八个盒体组合成一个上下各四个盒体的完整的正方体形的箱体，相邻两盒体的L型接触侧的拐角处均开设第一凹槽，第一凹槽内均固定安装活动端朝外的电动伸缩杆。本发明适用于高压真空断路器的在线监测，通过电动伸缩杆使得相邻的两个盒体之间可以进行密封接触配合和分离，从而实现壳体与外部的连通与分离，同时采用弹力伸缩杆对壳体的六个面进行支撑，不仅可以使得壳体始终处于平衡状态，还能有效的减少和消除外部对在线检测仪本体的晃动，从而确保在线监测仪本体监测结果的准确度。
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公开(公告)号：CN109856441A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910297476.9
申请日：2019-04-15
申请人： 华北电力大学
摘要： 本发明公开了一种压接型IGBT器件芯片电流在线测量系统，该系统包括：积分电路和至少两组PCB板，每组PCB板上设置有多个电流测量线圈，凸台从电流测量线圈中穿过，凸台电流等于芯片电流，电流测量线圈包括线圈骨架、第一导线和第二导线，第一导线一端和积分电路第一输入连接，第一导线环绕线圈骨架均匀缠绕成线圈绕组，第一导线另一端和第二导线一端连接，第二导线另一端和积分电路第二输入连接，积分电路根据电流测量线圈的电压信号确定芯片中的电流，本发明提出的在线测量系统能够集成在器件内部，实现对压接型IGBT器件中所有芯片中的电流同时在线测量。
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公开(公告)号：CN109855752A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910220838.4
申请日：2019-03-22
申请人： 华北电力大学
摘要： 本发明公开了一种压接型半导体器件内部温度分布的接触式测温系统，包括接触式测温元件(10)和从上到下依次连接的集电极(1)、子模组、PCB板(8)和发射极(9)；所述子模组从上至下依次包括上钼片(2)、芯片(3)、下钼片(4)和银垫片(5)；所述下钼片(4)开有凹槽，所述下钼片(4)开有凹槽的一面与所述芯片接触；所述接触式测温元件(10)，置于所述凹槽内，与所述芯片(3)接触，输出端连接所述PCB板(8)。本发明钼片凹槽的设置使得接触式测温元件免受应力的影响，使得接触式测温元件得以在压接型半导体器件中应用，可以准确获得各芯片结温分布。
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公开(公告)号：CN109671686B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201910084700.6
申请日：2019-01-29
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本发明公开了一种压接型IGBT的封装结构。该装置包括第一支撑片、散热装置、弹性元件、铜片和IGBT芯片结构；第一支撑片设置在散热装置上，用于支撑安装于压接型IGBT的封装结构上的电子器件；散热装置设置在第一支撑片与铜片之间，用于对IGBT芯片结构散热；弹性元件贯穿设置在散热装置内部，弹性元件一端与第一支撑片连接，另一端与铜片连接；弹性元件用于补偿IGBT芯片结构因发热产生的压力差；铜片设置在散热装置与IGBT芯片结构之间，铜片用于将IGBT芯片结构产生的热量传递至散热装置，还用于将弹性元件的弹力传递至IGBT芯片结构。本发明的装置，在实现IGBT芯片表面压力均匀分布的同时能有效的降低芯片表面温度，具有提高IGBT芯片寿命的优点。
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公开(公告)号：CN111398799A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010186702.9
申请日：2020-03-17
申请人： 华北电力大学
发明人： 张一鸣
IPC分类号： G01R31/327 , G01R1/04
摘要： 一种智能高压真空断路器的状态参数在线监测装置，包括座板，座板的底面四角处均安装带有锁止功能的滚轮，座板上方设有八个正方体形的盒体，八个盒体组合成一个上下各四个盒体的完整的正方体形的箱体，相邻两盒体的L型接触侧的拐角处均开设第一凹槽，第一凹槽内均固定安装活动端朝外的电动伸缩杆。本发明适用于高压真空断路器的在线监测，通过电动伸缩杆使得相邻的两个盒体之间可以进行密封接触配合和分离，从而实现壳体与外部的连通与分离，同时采用弹力伸缩杆对壳体的六个面进行支撑，不仅可以使得壳体始终处于平衡状态，还能有效的减少和消除外部对在线检测仪本体的晃动，从而确保在线监测仪本体监测结果的准确度。
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公开(公告)号：CN109827693A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910220725.4
申请日：2019-03-22
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01L5/00
摘要： 本发明公开了一种压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统，包括集电极、发射极和子模组；集电极、子模组和发射极依次接触连接；子模组设置在集电极和发射极之间；其中，子模组包括半导体芯片、热流及电流传导结构和压力传感器，集电极、半导体芯片、热流及电流传导结构及发射极依次接触连接；压力传感器分别与热流及电流传导结构内壁底面和端面接触连接。本发明提供的压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统能够降低对压力传感器的要求，实现对任意工况下芯片压力分布情况准确测量，突破现有测量方法在正常工况条件下测量的局限性。
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公开(公告)号：CN113805023A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010460936.8
申请日：2020-05-27
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统。压接型功率半导体器件，将每一半导体芯片的栅极分别连接于PCB板的接口端子上，以便于对压接型功率半导体器件中的每一半导体芯片的结温进行测量，进而提高温度分布测量的准确性。压接型功率半导体器件的温度分布测量系统，通过采用时序驱动电路使得待测压接型功率半导体器件进行周期开断，以模拟压接型功率半导体器件在不同工况下的发热情况。且通过与测量支路开关的时序配合，能够实现各半导体芯片的结温分布的时序准确测量，突破了现有测量方法仅能获得各半导体芯片平均结温的局限性。
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公开(公告)号：CN109671686A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201910084700.6
申请日：2019-01-29
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本发明公开了一种压接型IGBT的封装结构。该装置包括第一支撑片、散热装置、弹性元件、铜片和IGBT芯片结构；第一支撑片设置在散热装置上，用于支撑安装于压接型IGBT的封装结构上的电子器件；散热装置设置在第一支撑片与铜片之间，用于对IGBT芯片结构散热；弹性元件贯穿设置在散热装置内部，弹性元件一端与第一支撑片连接，另一端与铜片连接；弹性元件用于补偿IGBT芯片结构因发热产生的压力差；铜片设置在散热装置与IGBT芯片结构之间，铜片用于将IGBT芯片结构产生的热量传递至散热装置，还用于将弹性元件的弹力传递至IGBT芯片结构。本发明的装置，在实现IGBT芯片表面压力均匀分布的同时能有效的降低芯片表面温度，具有提高IGBT芯片寿命的优点。
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