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公开(公告)号：CN107436402A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710646098.1
申请日：2017-08-01
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: G01R31/2601 , G05D23/30
Abstract: 本发明公开一种恒温装置温度的调节方法及系统，调节方法包括：将恒温装置的温度调整为极限结温；当恒温装置的温度稳定在极限结温时，在待测器件的阳极和阴极之间施加幅值为0.8倍待测器件的耐压值的单脉冲方波电压，使待测器件产生期望漏电流且待测器件的结温不会升高；将恒温装置的温度调整为预设壳温；当恒温装置的温度稳定在预设壳温时，在待测器件的阳极和阴极之间施加电压值为0.8倍待测器件的耐压值的反向偏置电压；根据待测器件的实际漏电流与期望漏电流的差值调整恒温装置的温度，使待测器件的实际漏电流达到期望漏电流。采用本发明提供的调节方法及系统，能够使进行高温反偏实验的待测器件的结温快速准确地达到极限结温。
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公开(公告)号：CN105895184A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610429437.6
申请日：2016-06-16
Applicant: 华北电力大学
IPC: G21F9/02
CPC classification number: G21F9/02
Abstract: 本发明公开了一种以超临界二氧化碳为工质的颗粒脱除器，其包括管道进口(1)、管道壁(2)、电凝并区(3)、颗粒收集区(4)和管道出口(5)，其中，在管道进口(1)处设置有电荷网(11)，进行预电荷化，所述电凝并区(3)用于进行颗粒间的凝并作用，使小颗粒逐渐聚集形成大颗粒物，所述颗粒收集区(4)用于收集经凝并后形成的大颗粒物；在管道壁(2)的外侧设置有热泳涂层(6)，用于产生热泳效应，这样可以有效防止小颗粒粘附在颗粒脱除器的管壁内侧。本发明所提供的颗粒脱除器结构简单，能够脱除粒径小于2.5μm的小颗粒物，且本发明所提供的颗粒脱除器在管道中心进行颗粒收集，有效防止了细小颗粒物粘附在管道内壁的问题。
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公开(公告)号：CN105529612A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510779284.3
申请日：2015-11-13
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H01S3/30
Abstract: 一种利用交叉受激散射增强装置进行受激散射增强的方法，第一全反射镜(6)与第二全反射镜(7)和/或二向色镜(3)将剩余的激励光以与信号光同光路同方向或反方向的形式反射到受激散射介质(5)内。
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公开(公告)号：CN105241383A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510733621.5
申请日：2015-10-26
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: G01B11/00
Abstract: 一种光斑形状检测装置，包括沿光路依次设置的激光器，扩束器，光阑和光探测器，扩束器对激光器发出的激光束进行各方向上等比例扩束，所述光阑的中央设置有长方形狭缝，所述狭缝的宽度大于引起激光器衍射的宽度，所述光探测器为二维长方形结构，其大小不小于长方形狭缝的大小，所述光阑和光探测器设置在可移动的支架上，光阑和光探测器的相对位置不会发生变化，通过支架的移动完成对扩束后激光束的扫描。
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公开(公告)号：CN108387774B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201810565149.2
申请日：2018-06-04
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R21/02
Abstract: 本发明公开一种基于750A半导体器件的功率循环试验系统，包括：循环试验装置、750A直流电源、n个半导体开关、n‑1个待测半导体器件组、辅助旁路、水冷系统、温度传感器组和测量与控制系统；所述测量与控制系统包括：数据采集装置、移动终端；本发明将测量系统区、开关控制区、电源放置区、待测器件放置区、水冷系统放置区集成在一个循环试验装置内，不同区域放置不同的器件，不仅满足了功能性的要求，还满足了产品实用性和便携性的要求，提高了功率循环试验系统的集成度与可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108387831A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810565170.2
申请日：2018-06-04
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种3000A半导体器件的功率循环试验系统。该系统包括：焊接式半导体器件测试柜、压接式半导体器件测试柜、控制柜和水冷系统；控制柜与焊接式半导体器件测试柜或压接式半导体器件测试柜电连接；控制柜内的电源放置区设置3000A直流电源；水冷系统通过管道与测试柜连接；焊接式半导体器件测试柜的内部设置多组待测焊接式半导体器件组，每组所述待测焊接式半导体器件组均包括多个待测焊接式半导体器件；压接式半导体器件测试柜的内部设置多组待测压接式半导体器件组，每组待测压接式半导体器件组均包括多个待测压接式半导体器件。本发明可同时测试三个以上数量的半导体器件，测试效率高；能够满足对不同封装形式的器件的测试的需求；操作简单。
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公开(公告)号：CN108387774A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810565149.2
申请日：2018-06-04
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R21/02
Abstract: 本发明公开一种基于750A半导体器件的功率循环试验系统，包括：循环试验装置、750A直流电源、n个半导体开关、n-1个待测半导体器件组、辅助旁路、水冷系统、温度传感器组和测量与控制系统；所述测量与控制系统包括：数据采集装置、移动终端；本发明将测量系统区、开关控制区、电源放置区、待测器件放置区、水冷系统放置区集成在一个循环试验装置内，不同区域放置不同的器件，不仅满足了功能性的要求，还满足了产品实用性和便携性的要求，提高了功率循环试验系统的集成度与可靠性。
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公开(公告)号：CN107315877A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710508574.3
申请日：2017-06-28
Applicant: 华北电力大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开一种预测功率器件结温的方法及系统，方法包括：获取被测器件的积分结构函数曲线；根据被测器件的封装形式、封装材料、积分结构函数曲线的起点确定第一芯片层；根据积分结构函数曲线中对应第一芯片层的曲线段的斜率对第一芯片层进行分层，得到各热等效层及对应的热阻值；根据各热等效层及对应的热阻值建立被测器件的芯片层的热等效分层模型，以预测被测器件的结温。本发明对芯片层建立热等效分层模型时，采用的是热等效分层结构，而不是物理性的分层，因此，热等效分层模型可准确表征功率半导体器件中芯片层的热分布特性，该模型能精确预测功率器件的结温，而且建立该热等效分层模型的方法适用于一切功率半导体芯片，便于实施和推广。
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公开(公告)号：CN105895185A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610443006.5
申请日：2016-06-20
IPC: G21F9/02
CPC classification number: G21F9/02
Abstract: 本发明公开了一种以超临界二氧化碳为工质的颗粒脱除器，其包括流体通道(11)和冷却水通道(12)，用于在冷却水作用下形成热泳效应；在流体通道(11)的管道内壁设置有“碳海绵”吸附层(111)，所述“碳海绵”吸附层(111)为有机高分子气凝胶，用于吸附经热泳效应移动至流体通道(11)内壁处的颗粒；其中，所述过度段(2)的内径大于工作段(1)的内径，用于产生突扩突缩效应，使颗粒在突扩突缩过程中进行凝并；在本发明中，所述流体通道(11)为多个，其可以为圆形柱体或多边形柱体。本发明所提供的颗粒脱除器结构简单，能够有效脱除超临界二氧化碳工质中小于2.5μm的小颗粒物。
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公开(公告)号：CN113805023B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202010460936.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统。压接型功率半导体器件，将每一半导体芯片的栅极分别连接于PCB板的接口端子上，以便于对压接型功率半导体器件中的每一半导体芯片的结温进行测量，进而提高温度分布测量的准确性。压接型功率半导体器件的温度分布测量系统，通过采用时序驱动电路使得待测压接型功率半导体器件进行周期开断，以模拟压接型功率半导体器件在不同工况下的发热情况。且通过与测量支路开关的时序配合，能够实现各半导体芯片的结温分布的时序准确测量，突破了现有测量方法仅能获得各半导体芯片平均结温的局限性。
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