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公开(公告)号：CN113903904B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111495486.7
申请日：2021-12-09
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/04 , H01M10/054 , H01M10/058 , C01F17/32
Abstract: 本发明提供了NaLuO2在作为钠离子电池正极材料中的用途。含稀土元素层状氧化物NaLuO2作为可充电钠离子电池的正极材料，以NaLuO2为正极材料的钠离子电池每间隔20次充放电循环，充放电比容量会规律性地出现“突升”现象，并在随后的几个循环中快速回落，并且回落后的比容量比突变前的更高，而在随后的充放电循环中比容量稳定在50 mAh·g‑1左右。可以解决充电电池的容量随着使用次数增加而降低的问题，在延长充电电池寿命方面充分发挥优势。因此，可以将含稀土元素层状氧化物NaLuO2作为钠离子电池正极材料，大量应用在可充电的钠离子电池中。
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公开(公告)号：CN114249350A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202210195401.1
申请日：2022-03-02
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01G31/00 , H01M4/485 , H01M4/58 , H01M10/04 , H01M10/0525 , H01M10/058
Abstract: 本发明提供的钒酸二铁铜锂钒酸盐材料作为锂离子电池负极材料中的应用。主要通过简单的固相合成法合成钒酸二铁铜锂，将其作为负极材料应用在可充电锂离子电池中，容量会呈现“攀升”的现象，锂离子电池具有出色的比容量。
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公开(公告)号：CN113903904A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111495486.7
申请日：2021-12-09
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/04 , H01M10/054 , H01M10/058 , C01F17/32
Abstract: 本发明提供了NaLuO2在作为钠离子电池正极材料中的用途。含稀土元素层状氧化物NaLuO2作为可充电钠离子电池的正极材料，以NaLuO2为正极材料的钠离子电池每间隔20次充放电循环，充放电比容量会规律性地出现“突升”现象，并在随后的几个循环中快速回落，并且回落后的比容量比突变前的更高，而在随后的充放电循环中比容量稳定在50 mAh·g‑1左右。可以解决充电电池的容量随着使用次数增加而降低的问题，在延长充电电池寿命方面充分发挥优势。因此，可以将含稀土元素层状氧化物NaLuO2作为钠离子电池正极材料，大量应用在可充电的钠离子电池中。
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公开(公告)号：CN109873077B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910151565.2
申请日：2019-02-28
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了调节金属间化合物的交换偏置场的方法。本发明所提供的调节Mn3Zn1‑xCoxN金属间化合物的交换偏置场的方法，包括如下步骤：在0.5≤x≤0.9的范围内调节Mn3Zn1‑xCoxN金属间化合物的x值的大小，制备具有不同x值的Mn3Zn1‑xCoxN金属间化合物；和/或将制备得到的Mn3Zn1‑xCoxN金属间化合物在室温并且外加5T磁场条件下冷却至5K～65K，Mn3Zn1‑xCoxN金属间化合物即可产生不同大小的交换偏置场。在本发明公开的方法中，当x＝0.9时，在温度为5K～65K范围内，交换偏置场达到了罕见的11.02～13.3kOe，且交换偏置场在该温度区间内随着温度的升高而降低，可以预见该晶体可以被应用到需要通过调节温度而调节交换偏置场的应用中，如信息存储，磁场探测，磁指纹识别等领域。
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公开(公告)号：CN109873077A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910151565.2
申请日：2019-02-28
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了调节金属间化合物的交换偏置场的方法。本发明所提供的调节Mn3Zn1-xCoxN金属间化合物的交换偏置场的方法，包括如下步骤：在0.5≤x≤0.9的范围内调节Mn3Zn1-xCoxN金属间化合物的x值的大小，制备具有不同x值的Mn3Zn1-xCoxN金属间化合物；和/或将制备得到的Mn3Zn1-xCoxN金属间化合物在室温并且外加5T磁场条件下冷却至5K～65K，Mn3Zn1-xCoxN金属间化合物即可产生不同大小的交换偏置场。在本发明公开的方法中，当x＝0.9时，在温度为5K～65K范围内，交换偏置场达到了罕见的11.02～13.3kOe，且交换偏置场在该温度区间内随着温度的升高而降低，可以预见该晶体可以被应用到需要通过调节温度而调节交换偏置场的应用中，如信息存储，磁场探测，磁指纹识别等领域。
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