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公开(公告)号：CN116387365A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310298051.6
申请日：2023-03-24
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/808 , H01L21/337 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种降低衬底漏电流的GaN基JFET场效应晶体管，其特征在于其结构依次包括：一衬底层；一p‑GaN缓冲层；一AlN层；一p‑GaN层；一n‑GaN沟道层；n‑GaN沟道层填充有两片p‑GaN，p‑GaN与两边的n‑GaN沟道层形成两个背靠背的p‑n结，控制沟道宽度，使沟道在零偏压下处于耗尽状态；源电极、漏电极，分别设置在n‑GaN沟道层n‑GaN顶表面的两端；叉指结构的栅电极，覆盖沟道内填充的p‑GaN的顶表面，并在一端联结。并公开了其制备方法。本发明实现了加入AlN层的增强型GaN基结型场效应晶体管。在运用适当掺杂浓度的p‑GaN作为缓冲层并加入AlN层后有效的降低了衬底漏电流，提高器件使用寿命。
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