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公开(公告)号：CN108560045A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810594166.9
申请日：2018-06-11
申请人： 南京大学
IPC分类号： C30B23/02
摘要： 本发明公开了一种八面超高真空腔体。包括超高真空主腔室；所述的超高真空腔室是由不锈钢整体机械加工，真空腔室的形状是八棱柱形，在确保腔室的机械强度情况下，实现了腔室的8个侧面8-16个法兰接口，不锈钢棒加工成八棱柱形式，在八棱柱内镗出圆柱形空腔，将八棱柱上下两个面加工为法兰；腔室主体成型后，在其八棱柱的每个腔壁分别镗一或二个孔，孔直接制备法兰接口或焊接法兰。实现腔室的16个侧面法兰接口，能够很方便地观察到腔室内的情况，其真空度及对称性完全可以达到MBE生长腔室的要求。
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公开(公告)号：CN110040150A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910298170.5
申请日：2019-04-15
申请人： 南京大学
IPC分类号： B61B13/10
摘要： 一种非直线互联真空管道间的样品中转装置，设有一中转腔位于若干条不同直线上的真空直通管道的交叉点位置，此中转腔的侧面设有法兰将若干不都在同一直线上的真空直通管道连接到中转腔，中转腔的底部有一转盘，转盘的转轴延伸到腔外，腔外设有与转轴固定的旋钮，旋钮能使转盘旋转，转盘上设有导轨；中转腔内靠近直通管道的位置有一齿轮，通过腔外旋钮使齿轮旋转；载样小车在直通管道内部导轨上运行，直通管道内部导轨与转盘上设有的导轨在同一平面上；在直通管道中载样小车是通过管道外部设有导轨上的磁铁引导移动。
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公开(公告)号：CN102768951A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210234331.2
申请日：2012-07-06
申请人： 南京大学
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 本发明公开了采用金属铜离子辅助刻蚀制备黑硅的方法，（1）配置腐蚀溶液，所述的腐蚀溶液为氢氟酸、过氧化氢以及硝酸铜所组成的混合溶液；（2）将单晶或多晶硅片置于含有金属铜离子的腐蚀溶液中，控制腐蚀溶液温度以及反应时间；（3）将反应完成的硅片取出用氧化性酸液清洗，以去除金属残留，再用去离子水清洗烘干，得到黑硅材料；通过金属铜离子的催化作用，对单晶硅或多晶硅表面进行织构化刻蚀，制备表面具有均匀纳米孔洞的黑硅材料，从而显著降低单晶或多晶硅材料在其光吸收波段的反射率，实现提高硅基太阳能电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN209813977U
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201920502721.0
申请日：2019-04-15
申请人： 南京大学
IPC分类号： B61B13/10
摘要： 一种非直线互联真空管道间的样品中转装置，设有一中转腔位于若干条不同直线上的真空直通管道的交叉点位置，此中转腔的侧面设有法兰将若干不都在同一直线上的真空直通管道连接到中转腔，中转腔的底部有一转盘，转盘的转轴延伸到腔外，腔外设有与转轴固定的旋钮，旋钮能使转盘旋转，转盘上设有导轨；中转腔内靠近直通管道的位置有一齿轮，通过腔外旋钮使齿轮旋转；载样小车在直通管道内部导轨上运行，直通管道内部导轨与转盘上设有的导轨在同一平面上；在直通管道中载样小车是通过管道外部设有导轨上的磁铁引导移动。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208762603U
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201820896600.4
申请日：2018-06-11
申请人： 南京大学
IPC分类号： C30B23/02
摘要： 本实用新型公开了一种八面超高真空腔体。包括超高真空主腔室；所述的超高真空腔室是由不锈钢整体机械加工，真空腔室的形状是八棱柱形，在确保腔室的机械强度情况下，实现了腔室的8个侧面8-16个法兰接口，不锈钢棒加工成八棱柱形式，在八棱柱内镗出圆柱形空腔，将八棱柱上下两个面加工为法兰；腔室主体成型后，在其八棱柱的每个腔壁分别镗一或二个孔，孔直接制备法兰接口或焊接法兰。实现腔室的16个侧面法兰接口，能够很方便地观察到腔室内的情况，其真空度及对称性完全可以达到MBE生长腔室的要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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