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公开(公告)号:CN106133862A
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201480077438.8
申请日:2014-01-27
Applicant: 哈钦森公司
CPC classification number: H01G11/28 , C09D109/02 , C09D131/04 , H01G11/68 , H01G11/86 , H01M4/667 , Y02E60/13 , Y02T10/7022
Abstract: 本发明涉及用于具有含水电解质溶液的存储电能的系统(1)的导电电极,所述电极包括金属集流体(3)和活性材料(7),所述集流体(3)包括至少一个对于电解质是不漏的并且放置在所述金属集流体(3)和所述活性材料(7)之间的导电性保护层(5),所述导电性保护层(5)包括:‑包括至少50%的氯乙烯单元的聚合物或共聚物粘合剂,‑交联的弹性体,‑至少一种用于使所述交联的弹性体交联的试剂,‑导电填料。
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公开(公告)号:CN104813499B
公开(公告)日:2018-09-11
申请号:CN201380061839.X
申请日:2013-10-02
Applicant: 哈钦森公司
Abstract: 本发明涉及多层导电透明电极,其包括:‑基底层(1),‑包括至少一种任选地被取代的聚噻吩导电聚合物的导电层(2),和导电层(2)与基底层(1)直接接触并且导电层(2)还包括至少一种疏水性粘合聚合物,所述疏水性粘合聚合物具有与所述任选地被取代的聚噻吩导电聚合物的化学相容性,使得所述多层导电透明电极具有小于或等于3%的雾度系数。本发明还涉及用于制造这样的多层导电透明电极的工艺。
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公开(公告)号:CN104813498A
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201380061804.6
申请日:2013-10-02
Applicant: 哈钦森公司
CPC classification number: H01L51/442 , H01L51/0037 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/444 , H01L51/5215 , H01L51/5234 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/31533
Abstract: 本发明涉及多层导电透明电极,其包括:-基底层,-包括如下的导电层:○至少一种任选地被取代的聚噻吩导电聚合物,和○金属纳米丝的逾渗网络,所述导电层与所述基底层直接接触并且所述导电层还包括至少一种疏水性粘合聚合物或粘合共聚物。本发明还涉及用于制造这样的多层导电透明电极的工艺。
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公开(公告)号:CN106133862B
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201480077438.8
申请日:2014-01-27
Applicant: 哈钦森公司
CPC classification number: H01G11/28 , C09D109/02 , C09D131/04 , H01G11/68 , H01G11/86 , H01M4/667 , Y02E60/13 , Y02T10/7022
Abstract: 本发明涉及用于具有含水电解质溶液的存储电能的系统(1)的导电电极,所述电极包括金属集流体(3)和活性材料(7),所述集流体(3)包括至少一个对于电解质是不漏的并且放置在所述金属集流体(3)和所述活性材料(7)之间的导电性保护层(5),所述导电性保护层(5)包括:‑包括至少50%的氯乙烯单元的聚合物或共聚物粘合剂,‑交联的弹性体,‑至少一种用于使所述交联的弹性体交联的试剂,‑导电填料。
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公开(公告)号:CN104813499A
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201380061839.X
申请日:2013-10-02
Applicant: 哈钦森公司
CPC classification number: H01B5/14 , C03C17/3405 , H01B1/127 , H01L51/0037 , H01L51/442 , H01L51/5215 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及多层导电透明电极,其包括:-基底层(1),-包括至少一种任选地被取代的聚噻吩导电聚合物的导电层(2),和导电层(2)与基底层(1)直接接触并且导电层(2)还包括至少一种疏水性粘合聚合物,所述疏水性粘合聚合物具有与所述任选地被取代的聚噻吩导电聚合物的化学相容性,使得所述多层导电透明电极具有小于或等于3%的雾度系数。本发明还涉及用于制造这样的多层导电透明电极的工艺。
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