公开(公告)号：CN104813499A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380061839.X

申请日：2013-10-02

Applicant: 哈钦森公司

Inventor： J.雅克蒙德 ,  S.罗杰 ,  B.杜富尔 ,  P.桑塔格

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/52 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01B5/14 ,  C03C17/3405 ,  H01B1/127 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5215 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及多层导电透明电极，其包括：-基底层(1)，-包括至少一种任选地被取代的聚噻吩导电聚合物的导电层(2)，和导电层(2)与基底层(1)直接接触并且导电层(2)还包括至少一种疏水性粘合聚合物，所述疏水性粘合聚合物具有与所述任选地被取代的聚噻吩导电聚合物的化学相容性，使得所述多层导电透明电极具有小于或等于3％的雾度系数。本发明还涉及用于制造这样的多层导电透明电极的工艺。

公开(公告)号：CN104813499B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201380061839.X

申请日：2013-10-02

Applicant: 哈钦森公司

Inventor： J.雅克蒙德 ,  S.罗杰 ,  B.杜富尔 ,  P.桑塔格

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/52 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明涉及多层导电透明电极，其包括：‑基底层(1)，‑包括至少一种任选地被取代的聚噻吩导电聚合物的导电层(2)，和导电层(2)与基底层(1)直接接触并且导电层(2)还包括至少一种疏水性粘合聚合物，所述疏水性粘合聚合物具有与所述任选地被取代的聚噻吩导电聚合物的化学相容性，使得所述多层导电透明电极具有小于或等于3％的雾度系数。本发明还涉及用于制造这样的多层导电透明电极的工艺。

公开(公告)号：CN104813498A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380061804.6

申请日：2013-10-02

Applicant: 哈钦森公司

Inventor： J.雅克蒙德 ,  S.罗杰 ,  B.杜富尔 ,  P.桑塔格

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/52 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/442 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/444 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/5234 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/31533

Abstract: 本发明涉及多层导电透明电极，其包括：-基底层，-包括如下的导电层：○至少一种任选地被取代的聚噻吩导电聚合物，和○金属纳米丝的逾渗网络，所述导电层与所述基底层直接接触并且所述导电层还包括至少一种疏水性粘合聚合物或粘合共聚物。本发明还涉及用于制造这样的多层导电透明电极的工艺。