公开(公告)号：CN119494248A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411532851.0

申请日：2024-10-30

Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司

Inventor： 周华良 ,  王勇 ,  余昊 ,  贺朝会 ,  苏战涛 ,  杨卫涛 ,  王高明 ,  邹志杨 ,  徐一骝 ,  徐政 ,  陈露露

IPC: G06F30/25 ,  G06F18/2431 ,  G06F18/2433 ,  G06F111/08 ,  G06F113/04 ,  G06F117/02 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明提出一种变电站二次设备软错误故障模拟注入方法及系统，属于电力系统自动化领域，方法包括：基于蒙特卡洛原理开展芯片粒子效应建模及仿真测试，模拟分析粒子辐射对芯片存储部件的影响，并结合粒子辐射效应仿真模拟的特征与规律，通过改变不同存储器单元数据值的方式进行软错误故障注入，取得底层存储单元的异常分布、故障类型及相关统计信息，获取存储器不同单元数据变位时二次设备的行为表现，进行失效波及故障范围的影响分析。本发明可以快速、经济、有效地验证二次设备在数据异常变位情况下的功能和性能，科学评估变电站二次设备内存数据故障的实际危害性，提升变电站二次设备在实际应用中的安全性和可靠性。