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公开(公告)号：CN118191043A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410393581.3
申请日：2024-04-02
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01N27/24
Abstract: 一种光脉冲激发的深能级瞬态谱系统及其测试方法。该系统依托于半导体电学性质随着光生电子‑空穴对注入而变化的原理，开发了一种少数载流子动力学的检测方法，能有效表征半导体材料中的多样缺陷信息。在传统深能级瞬态谱测量技术的基础上，本系统与传统需几秒钟操作时间的光源开关控制相比，本系统采用快速光开关控制技术，将反应时间大幅缩短至40微秒以内，从而能捕捉到更快速的电容瞬态变化。其次，使得系统能实时监测光脉冲的响应，精确挑选所需激发过程，并便于观察载流子在不同阶段的瞬态变化。系统采用自主开发的软件进行控制和快速数据处理，大大提高了实验效率和使用便利性。
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