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公开(公告)号:CN118191043A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202410393581.3
申请日:2024-04-02
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01N27/24
Abstract: 一种光脉冲激发的深能级瞬态谱系统及其测试方法。该系统依托于半导体电学性质随着光生电子‑空穴对注入而变化的原理,开发了一种少数载流子动力学的检测方法,能有效表征半导体材料中的多样缺陷信息。在传统深能级瞬态谱测量技术的基础上,本系统与传统需几秒钟操作时间的光源开关控制相比,本系统采用快速光开关控制技术,将反应时间大幅缩短至40微秒以内,从而能捕捉到更快速的电容瞬态变化。其次,使得系统能实时监测光脉冲的响应,精确挑选所需激发过程,并便于观察载流子在不同阶段的瞬态变化。系统采用自主开发的软件进行控制和快速数据处理,大大提高了实验效率和使用便利性。
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公开(公告)号:CN118067798A
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202410287072.2
申请日:2024-03-13
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提出了一种可以同时频率扫描以及温度扫描的导纳谱测量系统,在传统深能级瞬态谱测量技术的基础上,本系统进行了三方面的创新和改进。首先,本系统基于ZurichInstrument研制的阻抗分析仪MFIA搭建,不再使用传统的仪器,从而可以不用电路分析,直接得到所需的导纳值。其次,本系统采用升温测试的同时进行输入小信号的频率扫描,从而可以一次实验的同时得到频率扫描和温度扫描的两种结果。最后系统采用自主开发的软件进行控制和快速数据处理,大大提高了实验效率和使用便利性。
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