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公开(公告)号：CN102085589A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010530856.1
申请日：2010-11-03
申请人： 宁波江丰电子材料有限公司 , 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片与背板的焊接方法，该方法采用自反应性Al-Ni薄膜作为钎料金属，并且该方法通过将LED芯片、自反应性Al-Ni薄膜以及背板依次叠放后，将所述自反应性Al-Ni薄膜点火，使所述自反应性Al-Ni薄膜产生自反应，实现快速自熔，从而实现焊接。提高了LED芯片与背板的结合强度，简化了工艺，节约了成本，并且可避免LED芯片受热损伤。
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公开(公告)号：CN102064266A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010530517.3
申请日：2010-11-03
申请人： 宁波江丰电子材料有限公司 , 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片用背板，该背板包括金属平板以及多个均匀分布的烟囱式突起结构，所述烟囱式突起结构穿通所述金属平板；所述烟囱式突起结构的顶部与底部均具有开口；且所述烟囱式突起结构的底部与所述金属平板的下表面位于同一水平面上，所述烟囱式突起结构的顶部高于所述金属平板的上表面，从而使得该LED芯片用背板具有更大的表面积，更有利于其散热；同时，本发明还提供种一种LED芯片用背板的制备方法，该方法利用具有突起阵列的模具对金属平板进行压制，在所述金属平板上形成顶部开口的多个均匀分布的烟囱式突起结构，该方法简单方便。
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公开(公告)号：CN102051506A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010530868.4
申请日：2010-11-03
申请人： 宁波江丰电子材料有限公司 , 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种铝合金材料，用于制备LED芯片散热封装用背板，该铝合金材料由铝合金原料制备而成，所述铝合金原料由以下成分组成，且各成分的重量比为：Mn：1.0％～2.2％，Zn：2.7％～3.3％，Fe：0.5％～1.2％，Mg：0.4％～0.6％，Cu：0.05％～0.1％，Co：0.8％～1.2％，其余为Al，本发明提供的铝合金材料的散热性能好，其热传导率为150～210W/m℃；同时，本发明还提供一种LED芯片用铝合金背板的制备方法，该方法将铝合金原料放入加热炉中进行加热熔化，并将所述熔化后的铝合金原料进行压铸成型，形成铝合金背板，从而提高了原料的利用率，降低了背板的制备成本。
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公开(公告)号：CN102064266B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201010530517.3
申请日：2010-11-03
申请人： 宁波江丰电子材料有限公司 , 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片用背板，该背板包括金属平板以及多个均匀分布的烟囱式突起结构，所述烟囱式突起结构穿通所述金属平板；所述烟囱式突起结构的顶部与底部均具有开口；且所述烟囱式突起结构的底部与所述金属平板的下表面位于同一水平面上，所述烟囱式突起结构的顶部高于所述金属平板的上表面，从而使得该LED芯片用背板具有更大的表面积，更有利于其散热；同时，本发明还提供种一种LED芯片用背板的制备方法，该方法利用具有突起阵列的模具对金属平板进行压制，在所述金属平板上形成顶部开口的多个均匀分布的烟囱式突起结构，该方法简单方便。
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公开(公告)号：CN102051506B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201010530868.4
申请日：2010-11-03
申请人： 宁波江丰电子材料有限公司 , 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种铝合金材料，用于制备LED芯片散热封装用背板，该铝合金材料由铝合金原料制备而成，所述铝合金原料由以下成分组成，且各成分的重量比为：Mn：1.0％～2.2％，Zn：2.7％～3.3％，Fe：0.5％～1.2％，Mg：0.4％～0.6％，Cu：0.05％～0.1％，Co：0.8％～1.2％，其余为Al，本发明提供的铝合金材料的散热性能好，其热传导率为150～210W/m℃；同时，本发明还提供一种LED芯片用铝合金背板的制备方法，该方法将铝合金原料放入加热炉中进行加热熔化，并将所述熔化后的铝合金原料进行压铸成型，形成铝合金背板，从而提高了原料的利用率，降低了背板的制备成本。
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公开(公告)号：CN102062366A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010530629.9
申请日：2010-11-03
申请人： 宁波江丰电子材料有限公司 , 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片用背板，所述背板的材料为开口泡沫铝合金，由于开口泡沫铝合金具有多孔结构，因而其散热性能很好，有利于将热量散发到环境中；并且本发明提供的开口泡沫铝合金的孔隙率为30％～70％，从而也能保证背板及时有效地吸收LED芯片发出的热量，因而可提高LED芯片的使用寿命，并进一步提高其发光效率。同时，本发明还公开了一种LED芯片用背板的材料的制备方法，其中，所述LED芯片用背板的材料为开口泡沫铝合金，且所述开口泡沫铝合金的制备该方法为粉体发泡法，该方法通过将铝合金粉末与发泡剂混合均匀后，在加热加压的条件下，促使所述发泡剂产生气体，使铝合金发泡；该方法简单方便。
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公开(公告)号：CN102130282A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110036728.6
申请日：2011-02-12
申请人： 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种白光LED封装结构，该封装结构通过在芯片表面制作一个聚焦透镜，并将荧光体透明薄膜贴于反光杯的顶部，由于所述荧光体透明薄膜距芯片表面有一定距离，从而不仅提高了器件的可靠性，并且大大提高了白光LED的出光效率；同时，还提供一种上述白光LED封装结构的封装方法，该方法只需将所述荧光体透明薄膜贴于所述反光杯的顶部，从而不需单独对荧光粉进行点胶制作工艺，因此能大幅度减少制备成本。
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公开(公告)号：CN102136531A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110036730.3
申请日：2011-02-12
申请人： 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，包括：提供(100)晶面的硅衬底；以图形化掩膜层为掩膜，湿法刻蚀硅衬底，将硅衬底的一部分转变为(111)晶面，从而使得硅衬底表面呈锥形；在硅衬底的(111)晶面上依次形成第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；形成贯穿硅衬底的接触插塞；在硅衬底远离第一导电类型半导体层的表面上形成第一电极，第一电极通过接触插塞与第一导电类型半导体层电连接；以及在第二导电类型半导体层上形成第二电极。本发明可提高发光二极管的光利用率，并且，散热效果更好，有利于节约芯片面积，提高芯片利用率。
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公开(公告)号：CN102064255A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010584046.4
申请日：2010-12-10
申请人： 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：硅衬底；形成于硅衬底上的缓冲层；依次形成于缓冲层上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，所述缓冲层的材料为SiC或InN。所述SiC或InN的晶格常数介于硅衬底和形成于缓冲层上的氮化镓材料的晶格常数之间并较为接近，可以解决硅衬底与氮化镓材料之间的晶格常数失配及应力问题，减小形成于衬底上的其它膜层的晶体缺陷，提高发光二极管的内量子效率；并且，所述SiC或InN材料具有良好的导电和导热性能，有利于提高发光二极管性能。
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