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公开(公告)号：CN102085589A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010530856.1
申请日：2010-11-03
申请人： 宁波江丰电子材料有限公司 , 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片与背板的焊接方法，该方法采用自反应性Al-Ni薄膜作为钎料金属，并且该方法通过将LED芯片、自反应性Al-Ni薄膜以及背板依次叠放后，将所述自反应性Al-Ni薄膜点火，使所述自反应性Al-Ni薄膜产生自反应，实现快速自熔，从而实现焊接。提高了LED芯片与背板的结合强度，简化了工艺，节约了成本，并且可避免LED芯片受热损伤。
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公开(公告)号：CN102051506B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201010530868.4
申请日：2010-11-03
申请人： 宁波江丰电子材料有限公司 , 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种铝合金材料，用于制备LED芯片散热封装用背板，该铝合金材料由铝合金原料制备而成，所述铝合金原料由以下成分组成，且各成分的重量比为：Mn：1.0％～2.2％，Zn：2.7％～3.3％，Fe：0.5％～1.2％，Mg：0.4％～0.6％，Cu：0.05％～0.1％，Co：0.8％～1.2％，其余为Al，本发明提供的铝合金材料的散热性能好，其热传导率为150～210W/m℃；同时，本发明还提供一种LED芯片用铝合金背板的制备方法，该方法将铝合金原料放入加热炉中进行加热熔化，并将所述熔化后的铝合金原料进行压铸成型，形成铝合金背板，从而提高了原料的利用率，降低了背板的制备成本。
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公开(公告)号：CN102062366A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010530629.9
申请日：2010-11-03
申请人： 宁波江丰电子材料有限公司 , 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片用背板，所述背板的材料为开口泡沫铝合金，由于开口泡沫铝合金具有多孔结构，因而其散热性能很好，有利于将热量散发到环境中；并且本发明提供的开口泡沫铝合金的孔隙率为30％～70％，从而也能保证背板及时有效地吸收LED芯片发出的热量，因而可提高LED芯片的使用寿命，并进一步提高其发光效率。同时，本发明还公开了一种LED芯片用背板的材料的制备方法，其中，所述LED芯片用背板的材料为开口泡沫铝合金，且所述开口泡沫铝合金的制备该方法为粉体发泡法，该方法通过将铝合金粉末与发泡剂混合均匀后，在加热加压的条件下，促使所述发泡剂产生气体，使铝合金发泡；该方法简单方便。
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公开(公告)号：CN102064266B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201010530517.3
申请日：2010-11-03
申请人： 宁波江丰电子材料有限公司 , 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片用背板，该背板包括金属平板以及多个均匀分布的烟囱式突起结构，所述烟囱式突起结构穿通所述金属平板；所述烟囱式突起结构的顶部与底部均具有开口；且所述烟囱式突起结构的底部与所述金属平板的下表面位于同一水平面上，所述烟囱式突起结构的顶部高于所述金属平板的上表面，从而使得该LED芯片用背板具有更大的表面积，更有利于其散热；同时，本发明还提供种一种LED芯片用背板的制备方法，该方法利用具有突起阵列的模具对金属平板进行压制，在所述金属平板上形成顶部开口的多个均匀分布的烟囱式突起结构，该方法简单方便。
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公开(公告)号：CN102064266A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010530517.3
申请日：2010-11-03
申请人： 宁波江丰电子材料有限公司 , 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种LED芯片用背板，该背板包括金属平板以及多个均匀分布的烟囱式突起结构，所述烟囱式突起结构穿通所述金属平板；所述烟囱式突起结构的顶部与底部均具有开口；且所述烟囱式突起结构的底部与所述金属平板的下表面位于同一水平面上，所述烟囱式突起结构的顶部高于所述金属平板的上表面，从而使得该LED芯片用背板具有更大的表面积，更有利于其散热；同时，本发明还提供种一种LED芯片用背板的制备方法，该方法利用具有突起阵列的模具对金属平板进行压制，在所述金属平板上形成顶部开口的多个均匀分布的烟囱式突起结构，该方法简单方便。
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公开(公告)号：CN102051506A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010530868.4
申请日：2010-11-03
申请人： 宁波江丰电子材料有限公司 , 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种铝合金材料，用于制备LED芯片散热封装用背板，该铝合金材料由铝合金原料制备而成，所述铝合金原料由以下成分组成，且各成分的重量比为：Mn：1.0％～2.2％，Zn：2.7％～3.3％，Fe：0.5％～1.2％，Mg：0.4％～0.6％，Cu：0.05％～0.1％，Co：0.8％～1.2％，其余为Al，本发明提供的铝合金材料的散热性能好，其热传导率为150～210W/m℃；同时，本发明还提供一种LED芯片用铝合金背板的制备方法，该方法将铝合金原料放入加热炉中进行加热熔化，并将所述熔化后的铝合金原料进行压铸成型，形成铝合金背板，从而提高了原料的利用率，降低了背板的制备成本。
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公开(公告)号：CN102185070A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110117040.0
申请日：2011-05-06
申请人： 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管包括衬底，所述衬底包括接触孔；位于所述衬底一侧的第一导电半导体层，覆盖所述第一导电半导体层的有源层，覆盖所述有源层的第二导电半导体层，所述第一导电半导体层邻近所述有源层的一侧表面形成有多个高密度凸起，所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层具有相反掺杂类型；位于所述衬底另一侧的电极层，所述电极层通过所述接触孔与所述第一导电半导体层接触。本发明的发光二极管既能够增加发光面积又能降低功耗。
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公开(公告)号：CN102185068A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110117114.0
申请日：2011-05-06
申请人： 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管包括第一导电半导体层，覆盖所述第一导电半导体层的有源层，覆盖所述有源层的第二导电半导体层，所述第一导电半导体层邻近所述有源层的一侧形成有多个高密度凸起，所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层具有相反掺杂类型。本发明的发光二极管具有较大的发光面积。
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公开(公告)号：CN102185067A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110117112.1
申请日：2011-05-06
申请人： 西安神光安瑞光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种发光二极管及其制备方法，所述发光二极管包括第一导电半导体层，覆盖所述第一导电半导体层的有源层，覆盖所述有源层的第二导电半导体层，所述第一导电半导体层邻近所述有源层的一侧表面形成有多个高密度凸起，所述第一导电半导体层邻近所述发光二极管衬底的一侧形成多个空穴，所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层具有相反掺杂类型。本发明的发光二极管具有较大的发光面积并且能够降低第一导电半导体层中的位错密度，增加反射光强度。
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