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公开(公告)号：CN115198394B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210854285.X
申请日：2022-07-14
申请人： 山东科技大学
摘要： 本发明涉及一种氮掺杂空心碳球改性的石墨烯复合纤维、制备方法及应用。本发明中所述氮掺杂空心碳球改性的石墨烯复合纤维的制备方法，包括：将不同质量的氮掺杂空心碳球改性的石墨烯复合纤维氮掺杂空心碳球与非液晶氧化石墨烯溶液配制成纺丝液，采用注射泵将配制的纺丝液注射到凝固浴中进行纺丝。氮掺杂空心碳球的引入有利于阻止石墨烯片层的堆叠、电解质离子的传输并引入赝电容，复合纤维电化学性能优异。
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公开(公告)号：CN114959817B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202210584443.4
申请日：2022-05-27
申请人： 山东科技大学
摘要： 本申请公开了一种管线钢表面超疏水Ni‑CeO2层的制备方法及其应用，属于金属材料表面改性领域，包括以下步骤：(1)钢材基体前处理：将管线钢表面打磨光滑，进行清洗活化后备用；(2)电沉积溶液的配制：将六水合氯化镍溶液与硼酸溶液混合得到溶液A，再加入氯化胆碱溶液，加入CeO2搅拌均匀即得；(3)电沉积制备Ni‑CeO2层：利用电沉积技术将步骤(2)得到的电沉积溶液沉积在步骤(1)得到的管线钢表面形成Ni‑CeO2微纳米结构层，再将其进行真空处理，室温放置后即得。本申请通过电沉积的方法制备的Ni‑CeO2层在不经低能修饰的条件下通过吸附诱导实现了超疏水性，无需使金属基表面进行低能修饰，可以有效应对管线中的复杂环境。
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公开(公告)号：CN114890949A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210479104.X
申请日：2022-05-05
申请人： 山东科技大学
IPC分类号： C07D221/18 , C07D401/10 , C07D413/10 , C07D417/10 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
摘要： 本发明公开了一种有机电致蓝光材料、其制备方法、应用及有机电致发光器件，属于显示发光材料领域。其技术方案包括提供一种基于二苯并吖啶制备的一类窄发射蓝光的有机电致蓝光材料，结构式如(I)所示，X彼此独立的选自氢、氟或者氰基；Y彼此独立的选自二苯胺基、咔唑基、二氢吖啶基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、三苯胺基、苯基咔唑基、苯基二氢吖啶基、苯基吩噁嗪基或苯基吩噻嗪基。本发明应用于高清显示方面，解决现有用于OLEDs器件的发光材料因具有较宽的发射谱带，而不能兼顾超高清显示需求与器件的外量子效率和能量损失的问题，具有本征窄谱带发光、高的荧光量子效率、以及发光色纯度和效率高的特点。
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公开(公告)号：CN113447608A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110712812.9
申请日：2021-06-25
申请人： 山东科技大学
IPC分类号： G01N31/16
摘要： 本发明涉及金属卤化物钙钛矿材料领域，具体涉及一种调整混合卤素钙钛矿带隙的方法及其应用。该方法为：将金属卤化物钙钛矿晶体溶解于溶剂中制备成待测液，采用电位滴定法测定待测液中卤素含量，计算出带隙宽度，再与计算的最优带隙值进行比较，依据比较结果对卤素的比例进行调整，直至获得最佳带隙宽度。该方法是本领域内首次直接通过检测钙钛矿晶体中的卤素比例来调控带隙宽度，也是首次基于电化学中的电位滴定法测定混合卤素钙钛矿中的卤素含量，利用该方法可准确测定出晶体中卤素离子的相对含量，从而使金属卤化物钙钛矿中光学带隙的调整更为精确。
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公开(公告)号：CN111286779A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010181819.8
申请日：2020-03-16
申请人： 山东科技大学
摘要： 本发明提供一种采用三元混合溶剂生长一种纯无机、大尺寸、含碘的光学带隙可调谐CsPbIxBr3-x钙钛矿单晶的方法。该方法利用CsPbIxBr3-x在三元溶剂中的逆温度溶解度特性，从三元溶剂形成的稳定溶液中生长大尺寸单晶。其方法为：将溴化铅(PbBr2)、碘化铯(CsI)按照摩尔比为1：1的比例，分别混合溶解于DMSO后，继续滴加DMF和GBL两种溶剂，得到三元混合溶剂所溶解的前驱体溶液。将该溶液密封后逐渐升温至90℃下，利用逆溶解度原理，生长大尺寸的CsPbIxBr3-x钙钛矿单晶，其中x为I的掺杂含量，选自0～3中的任意数值；吸收光谱范围为560-700nm。
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公开(公告)号：CN110144625A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910528378.1
申请日：2019-06-18
申请人： 山东科技大学
发明人： 丁建旭
摘要： 本发明专利提出了一种单晶的生长方法，尤其是涉及一种八边形红光无铅二维钙钛矿单晶的生长方法。具体所述单晶为(CH3NH3)2MnCl4，所述红光八边形无铅二维钙钛矿单晶的生长方法二次结晶转型技术。所述二次结晶转型技术包含以下2个步骤，分别为A)步骤和B)步骤：所述A)步骤为：将氯化锰(MnCl2)、氯化甲胺(CH3NH3Cl)与二甲基亚砜(DMSO)、N-N二甲基甲酰胺(DMF)按比例组成的溶液体系，通过缓慢结晶，获得一种红光的、晶体形态为正方形的(CH3NH3)2MnCl4无铅二维钙钛矿单晶；所述B)步骤为：将步骤A)中获得正方形的红光无铅二维钙钛矿单晶放入浓度为36-38％盐酸溶液中，通过缓慢结晶，最终获得一种红光的、晶体形态为八边形的(CH3NH3)2MnCl4无铅二维钙钛矿单晶。(CH3NH3)2MnCl4无铅二维钙钛矿单晶具有极大的激子结合能、良好的发光特性以及更高的稳定性，对于发光材料的发展以及在LED中的应用尤为迫切也具有尤为重要的意义。
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公开(公告)号：CN116600632B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310861188.8
申请日：2023-07-14
申请人： 山东科技大学
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种稳定性忆容器件及其制备方法。所述忆容器件包括基底、功能层和顶电极，所述功能层包括两层，第一功能层为在衬底上旋涂的TiO2纳米片薄膜，第二层为进行冷冻干燥后阵列排布在第一功能层上的TiO2纳米片薄膜。第一功能层是旋涂在衬底上的TiO2纳米片薄膜，其作用是作为过渡层，有效增加了功能层与导电基底的接触面积，提高了能层在基底上的附着力，使功能层不易脱落；第二功能层上的TiO2纳米片薄膜通过冷冻干燥技术，改变二维TiO2纳米片的堆积状态，使TiO2纳米片阵列化，从而获得具有稳定性的忆容器件，该制备方法简单，成本低。
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公开(公告)号：CN115125607B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210749026.0
申请日：2022-06-29
申请人： 山东科技大学
摘要： 本发明提供了一种生长面积和厚度可控的超薄钙钛矿单晶薄膜的方法，该方法采用点加热诱导形核而后点加热逐步扩大的加热方式来控制晶片生长面积，以达到钙钛矿单晶薄膜面积可控的效果。其次，该方法采用基板间施力的方式来控制基板间距，以达到钙钛矿单晶薄膜厚度可控的效果。此外，该方法还适用于多种钙钛矿材料，包括有机‑无机杂化、纯无机以及多元阳离子钙钛矿。使用该方法可以生长出厚度、面积等规格较为统一的钙钛矿单晶薄膜，有利于未来钙钛矿单晶薄膜光电器件的统一化生产。
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公开(公告)号：CN115852378A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211171938.0
申请日：2022-09-26
申请人： 山东科技大学
摘要： 本申请公开了一种添加阻垢剂的疏水氧化铝纳米孔涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)铝合金基体前处理：将铝合金基体打磨光滑，超声清洗后干燥；(2)阳极氧化：将铝合金基体和石墨片放入电解液中，铝合金为阳极，石墨片为阴极，进行超声阳极氧化处理；(3)阻垢剂的导入：将阳极氧化处理后的铝合金基体放入阻垢剂溶液中，超声后取出，真空保温；(4)低能修饰：将步骤(3)得到的铝合金基体放入低能修饰液中浸泡，取出后真空烘干，即得添加阻垢剂的疏水氧化铝纳米孔涂层；其中，阻垢剂溶液为2‑膦酸丁烷‑1,2,4‑三羧酸溶液。本申请向阳极氧化制备的氧化铝纳米管层导入阻垢剂，再经过低能修饰后，即可得到具有优异防垢性能的超疏水表面涂层。
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公开(公告)号：CN111270310A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010181827.2
申请日：2020-03-16
申请人： 山东科技大学
摘要： 本发明提供一种纯无机、大尺寸、二维钙钛矿发窄谱蓝紫光单晶材料及其生长方法，该方法利用从溶剂中缓慢降温或挥发溶剂的方法获得大尺寸单晶；其中所述大尺寸二维钙钛矿发光单晶的化学式为CsPb2Cl5。该单晶为二维晶体结构；发光峰半峰宽窄，发光峰位417nm，半高宽小于18nm，单晶尺寸大。
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