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公开(公告)号：CN119945340A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510028939.7
申请日：2025-01-08
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带可重构低噪声放大器，由输入至输出的方向，依次包括输入匹配网络、第一晶体管、级间匹配网络、第二晶体管和输出匹配网络，此外，第一晶体管还连接有负反馈网络。该级间网络包括第一电感、第一电容、第二电容和第三电容，其中第一电容和所述第三电容均为开关选频电容。负反馈网络由反馈电阻和反馈电容组成。本发明能够在不过度恶化噪声的情况下实现对双频段信号的放大，进而实现可重构的低噪声放大器。本发明可广泛应用于射频集成电路领域。
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公开(公告)号：CN107733412B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN201711158619.5
申请日：2017-11-20
Applicant: 广东工业大学
IPC: H03K17/62
Abstract: 本申请公开了一种射频开关的开关核，包括：M路开关，其中，每路开关包括与射频输入端相互连接的开关串联支路和开关并联支路，开关串联支路和开关并联支路至少有一个支路为树型支路，每个树型支路包括一个主开关堆叠器件和多个分支电路上的多个多级子开关堆叠器件，开关串联支路与开关并联支路一一对应；其中，子开关堆叠器件的导通时间晚于上一级的开关堆叠器件开始，子开关堆叠器件的导通时间早于上一级的开关堆叠器件结束，同级开关堆叠器件的导通时间均不相同；本申请由于开关串联支路和/或开关并联支路采用树型结构，减小了天线侧的寄生电容，减小插入损耗，提高隔离度，获得更好的射频性能。
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公开(公告)号：CN108053859B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201810063656.6
申请日：2018-01-23
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种串联烧录电路，对芯片阵列中各待烧录芯片唯一ID的烧录，所需信号线仅为各待烧录芯片两两之间的烧录连接线，而此连接线在烧录完成、芯片阵列投入使用后作废。本发明提供的串联烧录电路加工而成的芯片阵列，无需任何用于片选的信号线，各芯片通过无线通信模块接收无线形式的片选信号，将其中包含的ID与自身ID对比，即可实现片选。在不影响芯片阵列片选功能的前提下，大大减少了信号线的数量，进而节省了电路所占空间，并避免了信号线之间的信号干扰。本发明还提供一种芯片阵列、天线阵列及芯片片选方法，具有上述有益效果，在此不再赘述。
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公开(公告)号：CN108667428B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201810922597.3
申请日：2018-08-14
Applicant: 广东工业大学
IPC: H03B5/36
Abstract: 本发明提供了一种宽带压控振荡器，包括：谐振腔、负阻发生器和缓冲放大器；所述谐振腔、所述负阻发生器和所述缓冲放大器依次连接，所述谐振腔与第一电源连接，所述缓冲放大器的输出端与负载连接；当所述宽带压控振荡器向负载输出谐振信号时，所述缓冲放大器用于令所述宽带压控振荡器的输出阻抗与负载的阻抗进行匹配。在本发明中，谐振腔用于产生谐振信号，负阻发生器用于抵消谐振电路产生的正阻，谐振信号通过缓冲放大器后才输入负载中，缓冲放大器用于作输出匹配，以减小振荡器的负载牵引，能够降低外界对谐振电路的干扰，从而降低了谐振信号相位噪声。
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公开(公告)号：CN107395179B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201710774076.3
申请日：2017-08-31
Applicant: 广东工业大学
IPC: H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种用于射频开关的噪声抑制电路，通过第二振荡器、第三振荡器、异或门和D触发器，使得第一振荡器的输入端产生一个随机数信号，而该随机数信号能够使得第一振荡器的频率产生随机变化，进而控制时钟产生电路输出随机变化的时钟信号来驱动电荷泵电路，使通过负偏置电压耦合到射频信号中的杂波噪声在一定程度上被展宽。由于杂波噪声被展宽，因此，能够降低杂波噪声的能量，从而抑制杂波噪声对射频信号的影响。由此可见，本发明通过随机扩频时钟技术将耦合到射频信号中的时钟信号谐波分量的能量减小甚至消除，从而实现噪声抑制的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116388700A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310388799.5
申请日：2023-04-13
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种毫米波可重构宽带低噪声放大器，包括宽带驱动级电路、级间耦合线电路、GaNFET射频开关电路、低频段放大级电路、高频段放大级电路和输出耦合线电路，其中，所述宽带驱动级电路、级间耦合线电路和GaNFET射频开关电路依次连接，所述GaN FET射频开关电路的输出端分别与低频段放大级电路的输入端和高频段放大级电路的输入端连接，所述低频段放大级电路的输出端和高频段放大级电路的输出端分别与输出耦合线电路的输入端连接。本发明通过耦合线和射频开关相结合输出三个频段可重构与高增益、低噪声、稳定的宽带信号。本发明作为一种毫米波可重构宽带低噪声放大器，可广泛应用于毫米波可重构集成电路技术领域。
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公开(公告)号：CN116317970A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310088409.2
申请日：2023-01-19
Applicant: 广东工业大学
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明涉及放大电路技术领域，尤其涉及一种低噪声放大器的电路结构及控制方法。其中，电路结构包括：第二供电电源、第三电阻、第二开关管、第一电容、第二电容；第二供电电源与第三电阻的第一端连接，第三电阻的第二端与第二开关管的第一端连接；第二开关管的第二端与有源放大管的第三端连接；第二开关管的第三端接地；第三开关管的第一端与第一供电电源连接，第三开关管的第二端与第一电容的第二端连接，第二电容的第一端与第二隔直电容的第一端连接；第三开关管的第三端与第二电容的第一端连接；第二电容的第二端接地。本发明提供的电路结构整体上提高了低噪声放大器的可靠性。
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公开(公告)号：CN112944964B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202110192644.5
申请日：2021-02-20
Applicant: 广东工业大学
IPC: F28D15/04
Abstract: 本发明涉及电子元器件散热技术领域，更具体地，涉及一种超快回流均热板及其制备方法。一种超快回流均热板，包括上盖板与下盖板，上盖板与下盖板之间形成有密封的腔体，腔体内部上下表面均为内凹面，内凹面上设有向外呈辐射状分布的若干微沟槽，下盖板侧面还设置有连通腔体的充液管。本发明的超快回流均热板，腔体内部的上下表面设置有向外呈辐射状分布的若干微沟槽，导致工质在流动时，不仅受到毛细压力，还受到重力影响，这两种影响因素相互叠加，加速了工质回流速度。本发明的超快回流均热板，提升了工质回流效率，均热板的整体散热性能得到了提升。
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公开(公告)号：CN115459716A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211148176.2
申请日：2022-09-20
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了用于SOI射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器，包括：第一电容、第一电阻、第二电阻、第一MOS管、分压单元和单级放大单元；分压单元包括依次串联的多个电阻，单级放大单元包括依次堆叠设置的多个MOS管，前一MOS管的漏极与后一MOS管的源极连接，分压单元中的各电阻与单级放大单元中对应的MOS管连接；第一电容的第一端与射频功率放大器的输入端连接，第一电容的第二端分别与分压单元、第一MOS管、单级放大单元连接；第一电阻与第二电阻串联，第一MOS管分别与第一电阻、第二电阻、分压单元及接地连接。本发明能自适应调整各堆叠MOS管的偏置电压，使射频功率放大器在保持高线性度的同时维持高回退效率。
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公开(公告)号：CN110707923B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910810186.X
申请日：2019-08-29
Applicant: 广东工业大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本申请提供了一种升降压电荷泵，包括：多个电荷泵单元，输入端电压馈入单元和输出端电压反馈单元；多个电荷泵单元串并联；输入端电压馈入单元与多个电荷泵单元的输入端连接；输出端电压反馈单元与第一个电荷泵单元的输出端连接；多个电荷泵单元、输入端电压馈入单元和输出端电压反馈单元的输入端均用于输入第一时钟信号；多个电荷泵单元、输入端电压馈入单元和输出端电压反馈单元的输出端均用于输入第二时钟信号。本申请提供的一种升降压电荷泵，能以更多的电压转换率适应宽范围的输入电压，保持输出电压的相对恒定，提升转换分辨率和转换效率。
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