直流失调消除电路及系统
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117240315A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311490475.9

    申请日:2023-11-10

    IPC分类号: H04B1/30

    摘要: 本发明提供了一种直流失调消除电路及系统,只要每个电流镜单元对应的支路开关接收到相应的控制信号,即可快速控制相应的支路电流的导通或关断,进而调整通过第一输出端和第二输出端流过的电流,以实现直流失调消除,提高了直流失调消除的效率;另外,该电路由第一基准电流源、第二基准电流源、第一电流镜单元组、第二电流镜单元组、第三电流镜单元组、第四电流镜单元组、第一开关、第二开关、第三开关和第四开关构成,不需要引入电阻电容等,从而降低了电路的复杂度。

    一种高集成度小型化宽幅阻抗调谐器

    公开(公告)号:CN116707489B

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310989416.X

    申请日:2023-08-08

    IPC分类号: H03H11/28

    摘要: 本发明公开了一种高集成度小型化宽幅阻抗调谐器,包括控制电路单元、可重构电容网络单元和可重构电感网络单元;所述可重构电容网络单元包括若干个并联的支路,且每个支路上设置有串联的电容C和射频开关SW,所述可重构电容网络单元的容值采用二进制加权并行结构;所述可重构电感网络单元包括单刀双掷射频开关SPDT和若干个并联的支路,且每个支路上设置有串联的射频开关SW和有源电感,所述单刀双掷射频开关SPDT的第一输出端、第二输出端分别与可重构电容网络单元的两端连接。本发明可以在大范围内对天线与射频前端之间的阻抗失配进行调谐,同时,由于采用的元器件均适用于集成电路工艺,可实现电路小型化和单片化,具有较好的实用性。

    一种提高放大器芯片散热性能的晶体管电路优化方法

    公开(公告)号:CN115952764B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310227851.9

    申请日:2023-03-10

    摘要: 本发明涉及半导体技术领域,具体地说,涉及一种提高放大器芯片散热性能的晶体管电路优化方法;首先通过进行初步电路设计,在热模型中设置散热影响要素的参数进行仿真分析,计算出初始的晶体管结温和热源热影响区域范围;然后改变散热影响要素的参数,得到新的晶体管结温;最后对比晶体管结温,判断放大器芯片散热指标是否合格;若不合格,重复调整散热影响要素的参数,直至放大器芯片散热指标合格,得到散热影响要素优化后的参数;实现了放大器芯片晶体管电路结构的优化设计,改善了功率放大器芯片的散热能力,提高了芯片的高温工作性能指标和芯片长期工作的可靠性。

    一种宽带低噪声放大器和电子设备

    公开(公告)号:CN115913134B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310225576.7

    申请日:2023-03-10

    IPC分类号: H03F1/26 H03F1/42 H03F1/56

    摘要: 本申请提出一种宽带低噪声放大器和电子设备,涉及射频前端技术领域。在传统宽带低噪声放大器的输出匹配网络之前引入频率监测单元,通过耦合器在不同频率下耦合度的不同,得到一个随信号频率变化的功率信号,然后经过频率监测单元转换为电压信号。电压信号放大单元将电压信号放大后,得到一个用于驱动宽带噪声优化单元的电压信号。二极管D4b、电容C2b与电感L1b、电容C1b共同构成宽带低噪声放大器的输入匹配网络,二极管在反偏时可以得到一个随电压变化的可变电容值,通过电压信号放大单元得到的驱动电压,可以控制二极管在不同频率下表征出不同的电容值来改变输入匹配网络的中心频率,进而在宽频带下得到更加优异的噪声表现。

    一种Doherty功率放大器
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115842522B

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202310109343.0

    申请日:2023-02-14

    摘要: 本发明涉及射频前端技术领域,具体地说,涉及一种Doherty功率放大器;在第一功放单元和第二功放单元的基础上增加频率检测单元、补偿单元;通过设置频率检测单元,根据输入的第三信号生成控制信号;通过设置补偿单元,根据控制信号控制射频开关的导通和关断,在第二功放单元未开启状态时,增大第二功放单元的输出阻抗值,抑制所述第一信号的输出功率泄露,明显提升了Doherty功率放大器的工作带宽,通过设置功分单元,将输入信号进行功率分配的同时,根据频率的变化,调节进入第一功放单元支路和第二功放单元支路信号的功率比,补偿由于工作频率变化,第二功放单元输入阻抗随之变化导致的第二功放单元支路增益变化。

    一种同轴微带垂直转换结构

    公开(公告)号:CN115693310B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202310011285.8

    申请日:2023-01-05

    IPC分类号: H01R24/44 H01R24/50 H01P5/10

    摘要: 本发明公开了一种同轴微带垂直转换结构,所述电路板上对应设置有信号孔和接地孔,信号孔为非金属化通孔;所述信号孔外围的反焊盘的外围的电路板的顶层上设置有信号孔焊盘、焊锡、同轴微带过渡段、微带线,信号针的端部穿过电路板并通过焊锡与信号孔焊盘的一端连接,所述信号孔焊盘的另一端和同轴微带过渡段的一端连接,所述同轴微带过渡段位于反焊盘上,且同轴微带过渡段的另一端跨越反焊盘并与微带线连接。本发明将信号孔设计为非金属化孔,避免了寄生电容,本发明同时兼顾信号针传输段阻抗匹配问题和在反焊盘内的微带线阻抗失配问题,极大的改善了现有同轴连接器与电路板上的微带线垂直连接转换时存在的阻抗不连续问题和回波损耗较大的问题。

    一种适用于5G系统的高线性功率放大器

    公开(公告)号:CN115913155A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202310050283.X

    申请日:2023-02-01

    摘要: 本发明公开了一种适用于5G系统的高线性功率放大器,包括射频放大单元、自适应偏置单元、偏置电压检测单元和低包络阻抗单元。射频放大单元包括若干个级联的放大电路,末级的放大电路的HBT晶体管Qn的集电极与输出匹配网络连接,且基极通过电阻Rm+1与末级的自适应偏置电路连接;偏置电压检测单元的一端设置在电阻Rm+1与末级的自适应偏置电路之间,且另一端与低包络阻抗单元连接,低包络阻抗单元与HBT晶体管Qn的基极连接。由于低包络阻抗单元具备选频特性,在功率放大器工作频率恒定呈现高组态,在基带频率为放大器末级放大管输入端提供可控的低阻包络频率到地通路,从而抑制记忆效应对线性功率放大器线性度的不良影响。

    一种宽带低噪声放大器和电子设备

    公开(公告)号:CN115913134A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202310225576.7

    申请日:2023-03-10

    IPC分类号: H03F1/26 H03F1/42 H03F1/56

    摘要: 本申请提出一种宽带低噪声放大器和电子设备,涉及射频前端技术领域。在传统宽带低噪声放大器的输出匹配网络之前引入频率监测单元,通过耦合器在不同频率下耦合度的不同,得到一个随信号频率变化的功率信号,然后经过频率监测单元转换为电压信号。电压信号放大单元将电压信号放大后,得到一个用于驱动宽带噪声优化单元的电压信号。二极管D4b、电容C2b与电感L1b、电容C1b共同构成宽带低噪声放大器的输入匹配网络,二极管在反偏时可以得到一个随电压变化的可变电容值,通过电压信号放大单元得到的驱动电压,可以控制二极管在不同频率下表征出不同的电容值来改变输入匹配网络的中心频率,进而在宽频带下得到更加优异的噪声表现。

    一种可变占空比的时钟产生电路及电子设备

    公开(公告)号:CN117040498B

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311288192.6

    申请日:2023-10-08

    IPC分类号: H03K5/156 H03L7/099 H03B19/14

    摘要: 本发明提供了一种可变占空比的时钟产生电路及电子设备,涉及电路技术领域,包括:信号产生电路、占空比校正电路和频率倍频电路;信号产生电路、占空比校正电路和频率倍频电路依次串联;信号产生电路用于产生振荡信号;占空比校正电路用于接收振荡信号,将振荡信号转换为占空比为预设百分比的时钟信号,将时钟信号发送至频率倍频电路;频率倍频电路用于接收时钟信号,将时钟信号进行延迟处理得到延迟信号,基于延迟信号和时钟信号确定倍频时钟信号。该方式中,通过将信号产生电路产生的振荡信号发送至占空比校正电路进行校正,保证了发送至频率倍频电路的时钟信号的占空比满足预设百分比,从而使得到的倍频时钟信号的频率具有稳定性。

    一种工艺角失配校准电路架构及电子器件

    公开(公告)号:CN117375605A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311649962.5

    申请日:2023-12-05

    摘要: 本发明涉及校准电路架构技术领域,尤其涉及一种工艺角失配校准电路架构及电子器件,所述电路架构包括:参考电压产生电路,用于产生并输出参考电压;电流产生电路,与所述参考电压产生电路的输出端电性连接,所述电流产生电路用于产生并输出电流。通过参考参考电压产生电路产生参考电压、通过电流产生电路产生电流经开关电容积分电路以产生一个高比特数高精度码字,通过码字映射之后输出低比特数码字给相应电路模块使用。在电路模块用于校准的电阻电容阵列面积不增大的条件下,提高了工艺角的校准精度,满足绝大部分工艺敏感的高精度模拟芯片的工艺稳定要求。