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公开(公告)号：CN1318203A
公开(公告)日：2001-10-17
申请号：CN00801476.0
申请日：2000-06-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J9/025
Abstract: 本发明的冷电子发射器件，由采用对在基板(1)上边沿着同一晶轴生长了柱状晶粒的柱状多晶膜(2)施行刻蚀的办法形成的发射器构成。若采用这样的冷电子发射器件，则即便是在已形成了多个发射器的情况下，也可以抑制起因于发射器形状变动的电子发射特性的波动，因而可以得到在大面积基板上边具有均一发射特性的冷电子发射器件。
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