公开(公告)号：CN1296632A

公开(公告)日：2001-05-23

申请号：CN00800293.2

申请日：2000-03-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 和田直树 ,  则兼哲也 ,  中井正

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/3042 ,  H01J2201/319

Abstract: 一种场发射器件(FED)包括无定形衬底;杂质扩散防止层;在无定形硅或多晶硅制成的半导体层的一个形成表面上形成的FET;通过蚀刻FET漏区的半导体层制成的一个或多个发射极;以及集电极。半导体层由CVD工艺制成。在环形或多边形FET漏区内形成发射极阵列,该阵列被环形或多边形栅极和源极所包围。整个FET区由绝缘层和金属层覆盖。此结构在发射极芯片中提供了均匀的电流发射特性,实现了沿所有方向的均匀电子发射。把本FED应用于平板显示器件实现了高的画面质量、低功耗和低制造成本。

公开(公告)号：CN1318203A

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：CN00801476.0

申请日：2000-06-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 则兼哲也 ,  平中弘一 ,  和田直树 ,  佐藤安代

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J9/025

Abstract: 本发明的冷电子发射器件，由采用对在基板(1)上边沿着同一晶轴生长了柱状晶粒的柱状多晶膜(2)施行刻蚀的办法形成的发射器构成。若采用这样的冷电子发射器件，则即便是在已形成了多个发射器的情况下，也可以抑制起因于发射器形状变动的电子发射特性的波动，因而可以得到在大面积基板上边具有均一发射特性的冷电子发射器件。