公开(公告)号：CN1469440A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03140742.0

申请日：2003-06-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 夏目进也 ,  三河巧 ,  十代勇治

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/304 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法，本发明的半导体器件的制造方法具有以下工序，形成绝缘膜(107)以便覆盖被图形化的含有贵金属的膜(106)，通过化学机械研磨对上述绝缘膜(107)进行研磨。采用这种方法就不会有裂痕、含有贵金属的膜变形及剥离的发生，在含有贵金属的膜上不残留膜地埋入含有贵金属的膜。

公开(公告)号：CN1482672A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03154691.9

申请日：2003-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  十代勇治 ,  夏目进也

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/31053 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括以下工序：在形成于衬底(10)上的第1绝缘层(4)和形成于第1绝缘层中的多个接触栓塞(3)上形成导电层(5)；对导电层进行构图而形成多个电容元件下部电极(6)；在第1绝缘层和电容元件下部电极上形成第2绝缘层(8)；在电容元件下部电极的上部区域的第2绝缘层中形成凹部(12)；对第2绝缘层进行研磨而使其平坦化；露出电容元件下部电极；以及在电容元件下部电极的上部形成电容绝缘膜和电容元件上部电极。在第2绝缘层的研磨时促进阶梯差缓和，抑制研磨残留、下部电极的剥离及损伤的产生，并且可降低总阶梯差。

公开(公告)号：CN1276501C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN03154691.9

申请日：2003-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  十代勇治 ,  夏目进也

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/31053 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括以下工序：在形成于衬底(10)上的第1绝缘层(4)和形成于第1绝缘层中的多个接触栓塞(3)上形成导电层(5)；对导电层进行构图而形成多个电容元件下部电极(6)；在第1绝缘层和电容元件下部电极上形成第2绝缘层(8)；在电容元件下部电极的上部区域的第2绝缘层中形成凹部(12)；对第2绝缘层进行研磨而使其平坦化；露出电容元件下部电极；以及在电容元件下部电极的上部形成电容绝缘膜和电容元件上部电极。在第2绝缘层的研磨时促进阶梯差缓和，抑制研磨残留、下部电极的剥离及损伤的产生，并且可降低总阶梯差。

公开(公告)号：CN1294655C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200410063756.7

申请日：2004-07-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 夏目进也 ,  林慎一郎

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L21/31637 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/90

Abstract: 电容元件(26)具有：在设置在半导体衬底(10)的第三层间绝缘膜(22)上的开口部(22a)的底面和壁面上形成的由贵重金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶体构成的下部电极(23)、形成在该下部电极(23)之上的由介质构成的电容绝缘膜(24)和形成在该电容绝缘膜(24)上的由贵重金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶体构成的上部电极(25)。通过该结构，能防止对电容绝缘膜(24)的用于介质结晶的热处理时产生的下部电极(23)和上部电极(25)的断线、构成电容绝缘膜(24)的原子的扩散。能防止由于对介质进行比较高温的热处理而产生的电极断线。

公开(公告)号：CN1577867A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410063756.7

申请日：2004-07-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 夏目进也 ,  林慎一郎

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L21/31637 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/90

Abstract: 电容元件(26)具有：在设置在半导体衬底(10)的第三层间绝缘膜(22)上的开口部(22a)的底面和壁面上形成的由贵重金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶体构成的下部电极(23)、形成在该下部电极(23)之上的由介质构成的电容绝缘膜(24)和形成在该电容绝缘膜(24)上的由贵重金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶体构成的上部电极(25)。通过该结构，能防止对电容绝缘膜(24)的用于介质结晶的热处理时产生的下部电极(23)和上部电极(25)的断线、构成电容绝缘膜(24)的原子的扩散。能防止由于对介质进行比较高温的热处理而产生的电极断线。