公开(公告)号：CN101207129B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200710160024.3

申请日：2007-12-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 车田希总 ,  石仓聪 ,  寺野登志夫

IPC: H01L27/11 ,  G11C11/41

CPC classification number: G11C11/413

Abstract: 本发明公开了半导体存储装置。目的在于：降低整个存储器在半导体基板所占的面积。具有多层次比特线结构的半导体存储装置包括存储单元、和放大通过比特线从存储单元读出的信号的放大电路。单元N阱区域和放大电路N阱区域连续地形成着，在该单元N阱区域中形成上述存储单元的P沟道晶体管，在该放大电路N阱区域中形成上述放大电路的P沟道晶体管。

公开(公告)号：CN102105941A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980128707.8

申请日：2009-07-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 里见胜治 ,  寺野登志夫 ,  竹村和浩 ,  车田希总

IPC: G11C11/413 ,  G11C11/412

CPC classification number: G11C11/418 ,  G11C8/08

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置。控制电路(11)在包括第1期间和接在第1期间之后的第2期间在内的字线驱动期间中，向字线(WL1、WL2)中的与写入对象的存储单元(MC1)对应的字线(WL1)提供字线驱动电压(WD1)，在第1期间中减少在写入对象的存储单元(MC1)中包含的负载晶体管(QLa、QLb)的电流能力，在第2期间中增加在写入对象的存储单元(MC1)中包含的负载晶体管(QLa、QLb)的电流能力。

公开(公告)号：CN101207129A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710160024.3

申请日：2007-12-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 车田希总 ,  石仓聪 ,  寺野登志夫

IPC: H01L27/11 ,  G11C11/41

CPC classification number: G11C11/413

Abstract: 本发明公开了半导体存储装置。目的在于：降低整个存储器在半导体基板所占的面积。具有多层次比特线结构的半导体存储装置包括存储单元、和放大通过比特线从存储单元读出的信号的放大电路。单元N阱区域和放大电路N阱区域连续地形成着，在该单元N阱区域中形成上述存储单元的P沟道晶体管，在该放大电路N阱区域中形成上述放大电路的P沟道晶体管。

公开(公告)号：CN101206918A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710199397.1

申请日：2007-12-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石仓聪 ,  车田希总 ,  奥山博昭 ,  山上由展 ,  寺野登志夫

IPC: G11C11/413 ,  H01L27/11 ,  G11C7/18

Abstract: 具有保存存储数据的保存电路、和输出对应保存在保存电路中数据的信号的读出专用输出电路的多个存储单元的半导体记忆装置，上述读出专用输出电路，具有对应于保存在保存电路中的信号被控制的读出驱动晶体管，上述读出驱动晶体管的栅极长度，形成的比构成上述保存电路的晶体管的栅极长度长。还有，上述读出专用输出电路，具有由读出字选择电路控制的读出驱动晶体管，上述读出驱动晶体管的栅极长度，形成的比构成上述保存电路的晶体管的栅极长度长。

公开(公告)号：CN101206918B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200710199397.1

申请日：2007-12-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石仓聪 ,  车田希总 ,  奥山博昭 ,  山上由展 ,  寺野登志夫

IPC: G11C11/413 ,  H01L27/11 ,  G11C7/18

Abstract: 具有保存存储数据的保存电路、和输出对应保存在保存电路中数据的信号的读出专用输出电路的多个存储单元的半导体记忆装置，上述读出专用输出电路，具有对应于保存在保存电路中的信号被控制的读出驱动晶体管，上述读出驱动晶体管的栅极长度，形成的比构成上述保存电路的晶体管的栅极长度长。还有，上述读出专用输出电路，具有由读出字选择电路控制的读出驱动晶体管，上述读出驱动晶体管的栅极长度，形成的比构成上述保存电路的晶体管的栅极长度长。