公开(公告)号：CN100502036C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200480038581.2

申请日：2004-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 沟口修二 ,  山中光浩 ,  郡司浩幸

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7808

Abstract: 本发明公开了纵型栅极半导体装置及其制造方法。作为晶体管发挥作用的第一区域11，具有：漏极区域111；本体区域112，形成在漏极区域111的上侧；源极区域113A，形成在本体区域112的上侧；以及沟渠，形成在本体区域112且埋人有栅极电极120。在延伸于第二区域12的本体区域112的上侧形成有源极区域113B。

公开(公告)号：CN1898801A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200480038581.2

申请日：2004-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 沟口修二 ,  山中光浩 ,  郡司浩幸

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7808

Abstract: 本发明公开了纵型栅极半导体装置及其制造方法。作为晶体管发挥作用的第一区域11，具有：漏极区域111；本体区域112，形成在漏极区域111的上侧；源极区域113A，形成在本体区域112的上侧；以及沟渠，形成在本体区域112且埋入有栅极电极120。在延伸于第二区域12的本体区域112的上侧形成有源极区域113B。