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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104736336A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054591.4
申请日：2013-10-11
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 江连秀敏
IPC: B32B9/00 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/50 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B2255/10 , B32B2255/24 , B32B2264/102 , B32B2307/202 , B32B2307/7242 , B32B2457/202 , B32B2457/206 , C23C16/22 , C23C16/308 , C23C16/40 , C23C16/401 , C23C16/545 , C23C16/56 , B32B9/00 , C23C16/509
Abstract: 本发明的课题在于提供即便在高温高湿的使用环境下也能够维持优异的气体阻隔性、且挠性(弯曲性)和密合性优异的气体阻隔性膜的制造方法以及气体阻隔性膜和使用其的电子设备元件。本发明的气体阻隔性膜的制造方法是在树脂基材的一个面上具备含有碳原子、硅原子和氧原子的气体阻隔层并在该树脂基材的与具有气体阻隔层的面相反的一侧的面上具有导电层的气体阻隔性膜的制造方法，其特征在于，上述气体阻隔层是使用含有有机硅化合物的原料气体和氧气并利用在施加了磁场的辊间具有放电空间的放电等离子体化学气相生长法而形成的，上述导电层在23℃、50％RH的环境下的表面电阻率值在1×103～1×1010Ω/□的范围内。
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公开(公告)号：CN103796830A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280042683.6
申请日：2012-08-24
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
IPC: B32B23/02 , B29C41/24 , B29C47/00 , B29C55/02 , B29C71/02 , B32B5/02 , B32B9/00 , G02F1/1333 , B29K1/00 , B29L7/00 , B29L9/00
CPC classification number: G02B1/105 , B29C41/24 , B29C47/0021 , B29C47/065 , B29C55/12 , B29K2001/08 , B29K2995/0067 , B29K2995/0069 , G02B1/14 , Y10T428/31975
Abstract: 本发明提供气体阻隔性膜及其制造方法、以及使用了其的电子元件用基板。本发明的气体阻隔性膜具有片状基材和形成于上述片状基材的至少单面的气体阻隔层，所述片状基材含有纤维素纳米纤维的羟基的氢原子的至少一部分被碳数1～8的酰基取代了的表面改性纤维素纳米纤维，基体树脂的含量相对于上述纤维素纳米纤维和所述基体树脂的总量为10质量％以下。另外，本发明的气体阻隔性膜的制造方法，具有将纤维素纳米纤维的羟基的氢原子的至少一部分用碳数1～8的酰基进行取代而得到表面改性纤维素纳米纤维、将上述表面改性纤维素纳米纤维用熔融挤出法或溶液浇铸法进行制膜而得到片状基材的工序A和在上述片状基材上形成气体阻隔层的工序B。
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公开(公告)号：CN104736336B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380054591.4
申请日：2013-10-11
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 江连秀敏
IPC: B32B9/00 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/50 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B2255/10 , B32B2255/24 , B32B2264/102 , B32B2307/202 , B32B2307/7242 , B32B2457/202 , B32B2457/206 , C23C16/22 , C23C16/308 , C23C16/40 , C23C16/401 , C23C16/545 , C23C16/56
Abstract: 本发明的课题在于提供即便在高温高湿的使用环境下也能够维持优异的气体阻隔性、且挠性(弯曲性)和密合性优异的气体阻隔性膜的制造方法以及气体阻隔性膜和使用其的电子设备元件。本发明的气体阻隔性膜的制造方法是在树脂基材的一个面上具备含有碳原子、硅原子和氧原子的气体阻隔层并在该树脂基材的与具有气体阻隔层的面相反的一侧的面上具有导电层的气体阻隔性膜的制造方法，其特征在于，上述气体阻隔层是使用含有有机硅化合物的原料气体和氧气并利用在施加了磁场的辊间具有放电空间的放电等离子体化学气相生长法而形成的，上述导电层在23℃、50％RH的环境下的表面电阻率值在1×103～1×1010Ω/□的范围内。
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公开(公告)号：CN103796830B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201280042683.6
申请日：2012-08-24
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
IPC: B32B23/02 , B29C41/24 , B29C47/00 , B29C55/02 , B29C71/02 , B32B5/02 , B32B9/00 , G02F1/1333 , B29K1/00 , B29L7/00 , B29L9/00
CPC classification number: G02B1/105 , B29C41/24 , B29C47/0021 , B29C47/065 , B29C55/12 , B29K2001/08 , B29K2995/0067 , B29K2995/0069 , G02B1/14 , Y10T428/31975
Abstract: 本发明提供气体阻隔性膜及其制造方法、以及使用了其的电子元件用基板。本发明的气体阻隔性膜具有片状基材和形成于上述片状基材的至少单面的气体阻隔层，所述片状基材含有纤维素纳米纤维的羟基的氢原子的至少一部分被碳数1～8的酰基取代了的表面改性纤维素纳米纤维，基体树脂的含量相对于上述纤维素纳米纤维和所述基体树脂的总量为10质量％以下。另外，本发明的气体阻隔性膜的制造方法，具有将纤维素纳米纤维的羟基的氢原子的至少一部分用碳数1～8的酰基进行取代而得到表面改性纤维素纳米纤维、将上述表面改性纤维素纳米纤维用熔融挤出法或溶液浇铸法进行制膜而得到片状基材的工序A和在上述片状基材上形成气体阻隔层的工序B。
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公开(公告)号：CN105264042A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480032097.2
申请日：2014-05-13
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 江连秀敏
CPC classification number: C09K11/02 , C09K11/08 , C09K11/703 , C09K11/88 , G02B1/04
Abstract: 本发明的解决课题在于，提供一种光学材料，其具备能够长时间抑制氧等引起的半导体纳米粒子劣化的耐久性且透明性优异。该光学材料的特征在于含有聚硅氮烷及聚硅氮烷改性体中的至少一种化合物和半导体纳米粒子。
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