公开(公告)号：CN105408104B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201480024888.0

申请日：2014-05-02

申请人： TBF有限公司

发明人： 森蒂尔·库马尔·拉马达斯

IPC分类号： H05B33/04 ,  H01L51/52 ,  B82Y30/00 ,  B65D65/42

CPC分类号： H05K7/06 ,  B05D1/18 ,  B32B27/00 ,  B32B27/20 ,  B82Y30/00 ,  C08J7/045 ,  C08J2400/202 ,  C09D201/005 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5259 ,  H01L2251/5369 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开一种封装阻隔叠层，其能够封装水分和/或氧气敏感性物品并且包括多层膜层，其中所述多层膜层包括：‑一个或多个具有低水分和/或氧气渗透率的阻隔层，以及‑一个或多个布置为与至少一个阻隔层的表面接触从而覆盖阻隔叠层中的缺陷的密封层，其中所述一个或多个密封层包括多个树状聚合物封装的纳米颗粒，所述纳米颗粒是反应性的，因为其能够与水分和/或氧气相互作用以妨碍水分和/或氧气通过存在于阻隔层中的缺陷进行渗透。

公开(公告)号：CN109465456A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811283349.5

申请日：2018-10-31

申请人： 安徽亚珠金刚石股份有限公司

发明人： 侯大伟

IPC分类号： B22F5/00 ,  B22F1/00 ,  B22F3/105 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44

CPC分类号： B22F5/00 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/105 ,  B22F2003/1051 ,  B22F2005/001 ,  B22F2998/10 ,  C23C16/40 ,  C23C16/4417

摘要： 本发明公开了一种改进型人造金刚石烧结体制备工艺，包括金刚石微粉筛选配比净化、硼硅氧化物膜沉积、粘结剂配比、电离等离子烧结等步骤。有效降低现有制备技术中的高温高压要求，缩短制备时长，提高了人工金刚石烧结体的制备效率，降低制备能耗，大幅提高烧结产物的硬度和磨耗比，提高产物质量。

公开(公告)号：CN109440083A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811587319.3

申请日：2018-12-25

申请人： 重庆理工大学 ,  西安电子科技大学

发明人： 龚恒翔 ,  冯倩 ,  郝跃 ,  廖飞 ,  杨专青 ,  马五吉

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/448 ,  C23C16/40 ,  C23C18/12

CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/4486 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1258

摘要： 本发明公开一种雾化辅助CVD薄膜沉积方法，其特征在于包括如下步骤：步骤a：设计一款雾化辅助CVD薄膜沉积装置；步骤b：先将欲成膜的平面衬底放置在衬底模板上的安装孔中，再将衬底模板水平放置在下升降板上板面，并调整下升降板的位置；步骤d：反应区的温度达到预设温度后，先开启雾化源，雾化源将液体前驱体雾化成气溶胶前驱体，并利用雾化源发出的载气将气溶胶前驱体输入缓冲混合室内；步骤e:待反应区的温度接近室温或者在45℃以下时，先停止通过气相物进管和气溶胶进管向缓冲混合室内输入前驱体，再关闭抽气泵，最后打开密封盖，并将衬底模板取出，最后从衬底模板上取下衬底。本薄膜沉积方法沉积效率高，工艺安排合理，薄膜质量高。

公开(公告)号：CN109037383A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810820193.3

申请日：2018-07-24

申请人： 君泰创新(北京)科技有限公司

发明人： 崔鸽

IPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L31/072 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L31/1876

摘要： 本发明公开了一种HJT太阳能电池及其制作方法和光伏组件，在沉积所述第一TCO薄膜至所述第nTCO薄膜过程中，通入的氩气的流量保持不变，且通入的氧气的流量呈减小趋势，由于氧气的减少使TCO薄膜载流子浓度减小的原理，进而使得第iTCO薄膜的载流子浓度小于第i+1TCO薄膜的载流子浓度，避免了背面TCO薄膜层整体的载流子浓度过大的情况，并且能够使载流子浓度高且导电良好的第nTCO薄膜与背面电极接触，保证了沉积的背面TCO薄膜层在具有高功函数的同时，具有良好的导电性和光学性能，提高了HJT太阳能电池的性能。

公开(公告)号：CN108623330A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810218192.1

申请日：2018-01-25

申请人： 应用材料公司

发明人： V·菲鲁兹多尔 ,  S·班达 ,  R·丁德萨 ,  D·卞 ,  D·M·勒夫尔

IPC分类号： C04B41/87 ,  C04B41/89 ,  H01L21/683 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32477 ,  C04B41/87 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C23C16/40 ,  H01L21/6833 ,  C04B41/5042 ,  C04B41/4531 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/5031 ,  C04B38/00

摘要： 公开了多孔主体的通过原子层沉积的抗等离子体涂层。本文描述了使用原子层沉积(ALD)工艺将抗等离子体涂层沉积到多孔腔室部件的表面上并沉积到所述多孔腔室部件内的孔隙壁上的制品、系统和方法。多孔腔室部件可以包括多孔主体，多孔主体包括多孔主体内的多个孔隙，多个孔隙各自包括孔隙壁。多孔主体对气体是可渗透的。抗等离子体涂层可以包含Y2O3-ZrO2固溶体并且可以具有约5nm至约3μm的厚度，并且可以保护孔隙壁不受侵蚀。具有抗等离子体涂层的多孔主体保持对气体是可渗透的。

公开(公告)号：CN108411281A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810116717.0

申请日：2018-02-06

申请人： ASM ,  IP控股有限公司

发明人： 深泽笃毅 ,  福田秀明

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45542 ,  C23C16/045 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45563

摘要： 一种用于通过热ALD和PEALD将氧化物膜沉积于衬底上的方法，其包括：在反应室中提供衬底；通过热ALD在所述反应室中将第一氧化物膜沉积于所述衬底上；和在不中断真空的情况下，通过PEALD在所述反应室中将第二氧化物膜连续沉积于所述第一氧化物膜上。

公开(公告)号：CN104105666B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201380006939.2

申请日：2013-01-28

申请人： UP化学株式会社

发明人： 高元勇 ,  金炳洙 ,  马东焕

IPC分类号： C01G15/00 ,  C23C16/06 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01B1/08 ,  C23C14/086 ,  C23C16/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  G02F1/13439

摘要： 本发明涉及通过化学气相沉积或原子层沉积形成的氧化铟膜、或涉及含铟氧化膜，以及涉及形成该膜的方法。通过化学气相沉积或原子层沉积，其中使用在室温下为液体的铟材料，可以在具有大面积的衬底上形成含铟氧化膜，特别是可以在用于制造显示器的衬底上形成含铟氧化膜。

公开(公告)号：CN107849692A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680045271.6

申请日：2016-08-18

申请人： 学校法人冲绳科学技术大学院大学学园

发明人： S·施泰因豪尔 ,  V·达尔·辛格 ,  M·I·索万

IPC分类号： C23C16/40 ,  B01J37/02 ,  B82Y40/00

CPC分类号： B01J37/0226 ,  B01J23/892 ,  B01J23/8926 ,  B01J35/0013 ,  B01J35/06 ,  B01J37/14 ,  B01J37/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G3/02 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/80 ,  C23C16/40 ,  C30B29/16 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00

摘要： 一种通过具有沉积室和与其连接的聚集室的真空沉积系统制造经纳米颗粒修饰的纳米线的方法，所述方法包括：在沉积室中安放金属部件；对氧气气氛下的沉积室中的金属部件进行热氧化，以在金属部件的表面上生长金属氧化物纳米线；在不破坏真空沉积系统的真空的情况下，在与沉积室连接的聚集室中产生催化金属颗粒簇的蒸气；和在不破坏真空沉积系统的真空的情况下，将所产生的催化金属颗粒簇输送到沉积室中，从而以由催化金属颗粒制成的催化金属纳米颗粒对金属氧化物纳米线进行修饰。

公开(公告)号：CN107567509A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201680024250.6

申请日：2016-04-18

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 韩泰晟 ,  姜大凤 ,  郭在灿 ,  金卡兰 ,  金斗荣 ,  徐东源 ,  李相斗 ,  李圣光 ,  赵炳夏 ,  千东硕 ,  黃喆周

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/513

CPC分类号： H01L21/67017 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/50 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/68771

摘要： 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置包括：腔室；设置于所述腔室底部的基座；设置于所述基座上的腔室盖；第一源气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射源气体；第二源气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射源气体；以及第一吹扫气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射吹扫气体。所述第一吹扫气体喷射器设置于所述第一源气体喷射器和第二源气体喷射器之间。

公开(公告)号：CN104508809B

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201280074905.2

申请日：2012-07-26

申请人： EV ,  集团 ,  E·索尔纳有限责任公司

发明人： M.温普林格

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/83 ,  B32B37/24 ,  B32B38/0008 ,  B32B2037/243 ,  B32B2037/246 ,  B32B2457/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29287 ,  H01L2224/29394 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0531 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种将第一至少大致透明衬底(1)的第一接触面(3)接合至第二至少大致透明衬底(2)的第二接触面(4)的方法，在所述接触面的至少一者上使用氧化物来进行接合，在第一及第二接触面(3、4)上由该氧化物形成至少大致透明的连接层(14)，其具有：至少10e1S/cm2的电导率(测量：四点法，相对于300K的温度)及大于0.8的光透射率(针对400 nm至1500 nm的波长范围)。