公开(公告)号：CN1255738A

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN99122837.5

申请日：1999-11-26

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 越户义弘 ,  藤林桂 ,  丰田祐二 ,  大川忠行 ,  高桥亮一郎

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/31604 ,  H05K1/024 ,  H05K3/048 ,  Y10S438/951

Abstract: 本发明提供了一种形成介质薄膜图案的方法,包含步骤:通过汽相淀积方法,在其上具有抗蚀图案的基片上淀积介质薄膜,其中将CeO2,Sm2O3,Dy2O3,Y2O3,TiO2,Al2O3和MgO中的至少一种用作介质薄膜的材料;以及去掉抗蚀图案,由此使介质薄膜形成图案。

公开(公告)号：CN1254945A

公开(公告)日：2000-05-31

申请号：CN99125827.4

申请日：1999-11-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 丰田祐二 ,  越户义弘 ,  藤林桂 ,  高桥亮一郎 ,  大川忠行

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0274 ,  H01L21/0272 ,  H05K3/048

Abstract: 本发明提供了一种形成布线图案的方法,其特征在于包含步骤:在基片上形成具有抑制收缩效应的抗蚀图案;通过烘焙抗蚀图案使气体从抗蚀图案中释放;在基片和抗蚀图案上形成电极材料薄膜,同时将基片的温度保持在低于抗蚀图案的烘焙温度;并通过将抗蚀图案从基片分离,去除抗蚀图案上的电极材料。

公开(公告)号：CN1188902C

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN99122837.5

申请日：1999-11-26

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 越户义弘 ,  藤林桂 ,  丰田祐二 ,  大川忠行 ,  高桥亮一郎

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/31604 ,  H05K1/024 ,  H05K3/048 ,  Y10S438/951

Abstract: 本发明提供了一种形成介质薄膜图案的方法，包含步骤：通过汽相淀积方法，在其上具有抗蚀图案的基片上淀积介质薄膜，其中将CeO2，Sm2O3，Dy2O3，Y2O3，TiO2，Al2O3和MgO中的至少一种用作介质薄膜的材料；以及去掉抗蚀图案，由此使介质薄膜形成图案。

公开(公告)号：CN1121710C

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN99125827.4

申请日：1999-11-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 丰田祐二 ,  越户义弘 ,  藤林桂 ,  高桥亮一郎 ,  大川忠行

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0274 ,  H01L21/0272 ,  H05K3/048

Abstract: 本发明提供了一种形成布线图案的方法，其特征在于包含步骤：在基片上形成具有抑制收缩效应的抗蚀图案；通过烘焙抗蚀图案使气体从抗蚀图案中释放；在基片和抗蚀图案上形成电极材料薄膜，同时将基片的温度保持在低于抗蚀图案的烘焙温度；并通过将抗蚀图案从基片分离，去除抗蚀图案上的电极材料。