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公开(公告)号：CN106796979B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201580050306.0
申请日：2015-07-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种安装基板，在安装基板(10)所具备的基材(20)的背面形成有外部连接用电极，在表面形成有安装用电极(71、72)。另外，在基材(20)的厚度方向形成有连接外部连接用电极与安装用电极(71、72)的孔内电极(51、52)。在基材(20)与安装用电极(71、72)之间形成含有Al的反射膜(40)。反射膜(40)被绝缘膜层(41)覆盖，在俯视观察下，在孔内电极(51、52)的形成区域具有开口(40A、40B)。反射膜(40)在俯视观察下具有外周从包括安装用电极(71、72)的导体形成区域(73)分离一定距离的大小。开口(40A、40B)在俯视观察下小于安装用电极(71、72)。由此，防止反射膜的变质，来抑制发光效率降低。
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公开(公告)号：CN111264031B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880068819.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够减少产品高度的增加并且将振动空间保持为真空的谐振装置。上述谐振装置具备MEMS设备和CMOS设备，上述MEMS设备具有：谐振子，具有下部电极、上部电极以及形成于下部电极与上部电极之间的压电膜；上盖，与谐振子的上部电极对置而设置；以及下盖，与谐振子的下部电极对置而设置、并设置为与上盖一起密封谐振子，上述CMOS设备安装于上盖和下盖之中任一个盖的与朝向谐振子的一侧相反侧的面，CMOS设备具有CMOS层、和在该CMOS层的与朝向谐振子的一侧相反侧的面所设置的保护层，上盖和下盖之中的与CMOS设备接合的盖具有将该CMOS设备与谐振子电连接的贯通电极。
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公开(公告)号：CN116671005A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180082839.2
申请日：2021-07-07
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明提供能够抑制振动部的粘附的压电振子、压电振荡器以及压电振子制造方法。晶体振子(1)具备：晶体振动元件(10)，包括晶体片(11)、配置于晶体片(11)的振动部(11A)的第一激励电极(14a)及第二激励电极(14b)、设置在晶体片(11)的第一主面(12a)并与第一激励电极(14a)电连接的第一引出电极(15a)、以及设置于晶体片(11)的第二主面(12b)并与第二激励电极(14b)电连接的第二引出电极(15b)；和绝缘层(40)，包括与第二激励电极(14b)之间形成空间的空洞部(41)，第一引出电极(15a)的厚度大于第二引出电极(15b)的厚度，在俯视时，第一引出电极(15a)的端部相对于空洞部(41)的端部被配置在包含振动部(11A)的一侧。
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公开(公告)号：CN1255738A
公开(公告)日：2000-06-07
申请号：CN99122837.5
申请日：1999-11-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/0272 , H01L21/31604 , H05K1/024 , H05K3/048 , Y10S438/951
Abstract: 本发明提供了一种形成介质薄膜图案的方法,包含步骤:通过汽相淀积方法,在其上具有抗蚀图案的基片上淀积介质薄膜,其中将CeO2,Sm2O3,Dy2O3,Y2O3,TiO2,Al2O3和MgO中的至少一种用作介质薄膜的材料;以及去掉抗蚀图案,由此使介质薄膜形成图案。
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公开(公告)号：CN116368608A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202180072114.5
申请日：2021-06-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/02
Abstract: 本发明提供一种能够抑制蚀刻对布线电极的损伤的压电振动元件、压电振动器以及压电振荡器。晶体振动元件(10)具备：具有第一主面(12a)和第二主面(12b)的晶体片(11)、从第一主面(12a)到第二主面(12b)贯通地设置的导通电极(17)、在第二主面(12b)覆盖导通电极(17)的导电性的蚀刻阻挡膜(18)、以及在第二主面(12b)覆盖蚀刻阻挡膜(18)的外缘的至少一部分的引出电极(15b)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111264031A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201880068819.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够减少产品高度的增加并且将振动空间保持为真空的谐振装置。上述谐振装置具备MEMS设备和CMOS设备，上述MEMS设备具有：谐振子，具有下部电极、上部电极以及形成于下部电极与上部电极之间的压电膜；上盖，与谐振子的上部电极对置而设置；以及下盖，与谐振子的下部电极对置而设置、并设置为与上盖一起密封谐振子，上述CMOS设备安装于上盖和下盖之中任一个盖的与朝向谐振子的一侧相反侧的面，CMOS设备具有CMOS层、和在该CMOS层的与朝向谐振子的一侧相反侧的面所设置的保护层，上盖和下盖之中的与CMOS设备接合的盖具有将该CMOS设备与谐振子电连接的贯通电极。
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公开(公告)号：CN105210179A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480025922.6
申请日：2014-03-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/329 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/868 , H01L33/48
CPC classification number: H01L25/167 , H01L23/481 , H01L23/585 , H01L23/60 , H01L27/0248 , H01L27/0694 , H01L29/866 , H01L33/62
Abstract: 本发明涉及静电保护元件以及发光模块。静电保护元件(10)具备由高电阻的半导体材料构成的基体(20)。在基体(20)的第一主面沿第一方向空出间隔形成有外部连接用焊盘(22、23)。在基体(20)的第一主面通过半导体工艺而形成二极管部(30)。二极管部(30)沿第一方向被形成在外部连接用焊盘(22、23)的形成区域之间。高浓度区域(40)与基体(20)的极性相同，是比基体(20)更多包含杂质的区域。高浓度区域(40)在俯视基体(20)时是环状，且以包围二极管部(30)的形状形成。
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公开(公告)号：CN1188902C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN99122837.5
申请日：1999-11-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/0272 , H01L21/31604 , H05K1/024 , H05K3/048 , Y10S438/951
Abstract: 本发明提供了一种形成介质薄膜图案的方法，包含步骤：通过汽相淀积方法，在其上具有抗蚀图案的基片上淀积介质薄膜，其中将CeO2，Sm2O3，Dy2O3，Y2O3，TiO2，Al2O3和MgO中的至少一种用作介质薄膜的材料；以及去掉抗蚀图案，由此使介质薄膜形成图案。
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公开(公告)号：CN1121710C
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN99125827.4
申请日：1999-11-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/0274 , H01L21/0272 , H05K3/048
Abstract: 本发明提供了一种形成布线图案的方法，其特征在于包含步骤：在基片上形成具有抑制收缩效应的抗蚀图案；通过烘焙抗蚀图案使气体从抗蚀图案中释放；在基片和抗蚀图案上形成电极材料薄膜，同时将基片的温度保持在低于抗蚀图案的烘焙温度；并通过将抗蚀图案从基片分离，去除抗蚀图案上的电极材料。
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公开(公告)号：CN118545672A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410208865.0
申请日：2024-02-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。该MEMS器件包括：处理层，包括至少一个腔和至少一个悬挂结构；第一器件层，包括至少一个静态电极；第二器件层，包括可移动地悬挂在第一器件层上方的至少一个感震元件；以及盖层。至少一个感震元件充当至少一个可移动电极，或者至少一个感震元件机械地耦接以与至少一个可移动电极一起移动。处理层、第一器件层、第二器件层和盖层、在处理层与第一器件层之间的第一电绝缘层以及在第一器件层与第二器件层之间的第二电绝缘层被配置成形成壳体，该壳体包括至少一个感震元件、至少一个静态电极和至少一个可移动电极。
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