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公开(公告)号：CN107368451B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201710446112.3
申请日：2017-06-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出一种电路状态空间方程计算方法、装置和系统，其中，方法包括：利用所述电路中包括的功率开关器件对应的三端行为模型，对所述电路的结构进行更新；确定更新后的电路对应的支路信息，其中电路中的每个元件对应一条支路；根据预设的规则，确定所述电路对应的参数结构矩阵S；根据所述参数结构矩阵S，计算所述电路对应的关联矩阵Qb、基本割集矩阵D、基本回路矩阵P及支路对应的参数子矩阵；根据所述关联矩阵Qb、基本割集矩阵D、基本回路矩阵P及支路对应的参数子矩阵，计算得到所述电路对应的状态空间方程。由于，无需仿真软件即可对电路进行可靠分析，解决了现有技术中利用仿真软件得到的产品的性能的准确性较低的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107368451A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710446112.3
申请日：2017-06-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出一种电路状态空间方程计算方法、装置和系统，其中，方法包括：利用所述电路中包括的功率开关器件对应的三端行为模型，对所述电路的结构进行更新；确定更新后的电路对应的支路信息，其中电路中的每个元件对应一条支路；根据预设的规则，确定所述电路对应的参数结构矩阵S；根据所述参数结构矩阵S，计算所述电路对应的关联矩阵Qb、基本割集矩阵D、基本回路矩阵P及支路对应的参数子矩阵；根据所述关联矩阵Qb、基本割集矩阵D、基本回路矩阵P及支路对应的参数子矩阵，计算得到所述电路对应的状态空间方程。由于，无需仿真软件即可对电路进行可靠分析，解决了现有技术中利用仿真软件得到的产品的性能的准确性较低的技术问题。
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公开(公告)号：CN106991221A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710182414.4
申请日：2017-03-24
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种电力半导体器件IGBT在硬开关工作模式下瞬态物理过程的分段折线模型，其特征在于基于典型IGBT内部结构及其瞬态物理过程，在一定的简化假设条件下，用分段函数描述IGBT开通和关断过程中的集射极电压vce、集电极电流ic，和栅极电压vge。模型所有参数可从IGBT的数据手册(datasheet)获取。本发明还提供了一种IGBT分段折线模型在仿真电路中的应用方法，其特征在于，使用IGBT的折线模型描述整个换流回路的特性，不需要对与IGBT换流的续流二极管进行建模。本发明提供的分段折线模型参数提取方便，能够较准确地反映器件关键瞬态特性，适用于电路仿真应用。
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公开(公告)号：CN113411076B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110746404.5
申请日：2021-07-01
Applicant: 清华大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/04
Abstract: 本发明公开了属于电力电子技术领域的一种准确控制IGBT峰值电压改善开关特性的栅极驱动方法，首先通过峰值电压检测与数字化电路来准确采样到每次关断瞬态IGBT端电压峰值，再将其数字化，得到了与实际峰值电压vPK成确定比例关系的数字量，最后将该数字量输出到驱动板上现场可编程逻辑门阵列FPGA；FPGA芯片将该数字量与参考值Vref对应的数字量作比例‑积分PI运算，产生PI调节器所得的IGBT关断瞬态diC/d t阶段的驱动电压，并在关断瞬态diC/d t阶段施加到IGBT栅极；本发明实现不同负载电流下对vPK的控制和更低的关断延迟和关断损耗；且适应工况变化的；这种控制方法比已有的vPK控制方法的精度都高。
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公开(公告)号：CN113411076A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110746404.5
申请日：2021-07-01
Applicant: 清华大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/04
Abstract: 本发明公开了属于电力电子技术领域的一种准确控制IGBT峰值电压改善开关特性的栅极驱动方法，首先通过峰值电压检测与数字化电路来准确采样到每次关断瞬态IGBT端电压峰值，再将其数字化，得到了与实际峰值电压vPK成确定比例关系的数字量，最后将该数字量输出到驱动板上现场可编程逻辑门阵列FPGA；FPGA芯片将该数字量与参考值Vref对应的数字量作比例‑积分PI运算，产生PI调节器所得的IGBT关断瞬态diC/d t阶段的驱动电压，并在关断瞬态diC/d t阶段施加到IGBT栅极；本发明实现不同负载电流下对vPK的控制和更低的关断延迟和关断损耗；且适应工况变化的；这种控制方法比已有的vPK控制方法的精度都高。
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公开(公告)号：CN106991221B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201710182414.4
申请日：2017-03-24
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种电力半导体器件IGBT在硬开关工作模式下瞬态物理过程的分段折线建模方法，其特征在于基于典型IGBT内部结构及其瞬态物理过程，在一定的简化假设条件下，用分段函数描述IGBT开通和关断过程中的集射极电压vce、集电极电流ic，和栅极电压vge。建模所有参数可从IGBT的数据手册(datasheet)获取。本发明还提供了一种IGBT分段折线建模在仿真电路中的应用方法，其特征在于，使用IGBT的折线建模描述整个换流回路的特性，不需要对与IGBT换流的续流二极管进行建模。本发明提供的分段折线建模参数提取方便，能够较准确地反映器件关键瞬态特性，适用于电路仿真应用。
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