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公开(公告)号：CN113659622A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110940386.4
申请日：2021-08-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于电力电子技术领域的一种实现两台并联运行逆变器主从机无缝切换控制方法，具体说是基于占空比同步的电力电子变压器主从切换控制方法。所述两台并联运行的逆变器系统，其中一台逆变器称为主机，另一台称为从机，其中主机采取三相独立的电压PR控制方法，从机采取两相旋转坐标系下的PI控制方法，主从切换时，两台并联逆变器同时改变控制器模式，通过占空比跟随和初始值给定方法实现主从机；的无缝切换；保证两台逆变器切换时序按照设计的“主机先切换，从机再切换”的时序进行；实验和仿真结果表明，该方法在不影响稳态性能的前提下，提升了系统主从切换瞬间的稳定性，为电力电子变压器集群运行提供了技术支撑。
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公开(公告)号：CN112448414A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011284088.6
申请日：2020-11-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种四端口电能路由器的低电压穿越控制方法，MVAC端口连接中压交流电网且工作于功率跟随模式；LVAC端口连接低压交流电网且工作于恒定功率模式；电能路由器的四个端口之间采用功率协同控制策略，各端口保持有功功率实时交互，通过调节LVAC端口的有功功率间接改变MVAC端口从中压交流电网吸收的有功功率大小，从而防止MVAC端口在网侧电压跌落、故障恢复时出现输入过流或直流母线过压，及其它端口甩负荷或停止运行。所述控制方法无需借助对外部光伏或储能的DC/DC变换器的控制来实现低电压穿越功能。
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公开(公告)号：CN102931822B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210466965.0
申请日：2012-11-16
Applicant: 清华大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明公开了电力电子应用技术领域的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置。其技术方案是，所述装置包括状态反馈电路、门极驱动电路、静态均压电路和控制芯片。本发明解决高压IGBT串联电路中各高压IGBT器件的电压均衡问题，防止器件承受超过其耐压水平的过高电压而发生损坏，同时有效限制串联电路损耗和开关时间，保证系统可靠性、效率和控制性能。本发明采样串联电路各高压IGBT承受的主电路脉冲，提取其有用信息反馈至控制芯片，控制芯片根据反馈量调整各串联高压IGBT门极信号的时序，实现高压IGBT串联电路的动态均压。
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公开(公告)号：CN102931822A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210466965.0
申请日：2012-11-16
Applicant: 清华大学
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明公开了电力电子应用技术领域的一种基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置。其技术方案是，所述装置包括状态反馈电路、门极驱动电路、静态均压电路和控制芯片。本发明解决高压IGBT串联电路中各高压IGBT器件的电压均衡问题，防止器件承受超过其耐压水平的过高电压而发生损坏，同时有效限制串联电路损耗和开关时间，保证系统可靠性、效率和控制性能。本发明采样串联电路各高压IGBT承受的主电路脉冲，提取其有用信息反馈至控制芯片，控制芯片根据反馈量调整各串联高压IGBT门极信号的时序，实现高压IGBT串联电路的动态均压。
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公开(公告)号：CN117054717A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311014569.9
申请日：2023-08-11
Applicant: 清华大学
IPC: G01R15/18 , G06F30/367 , H01F5/02 , G01R19/00
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件开关瞬态电流测量技术领域，特别涉及一种基于小负载电阻的罗氏线圈高频带宽拓展方法及装置，其中，方法包括：构建负载电阻小于预设电阻的罗氏线圈，其中，罗氏线圈在预设第一自积分频率以上和在预设第一自谐振频率以下均呈现自积分特性；利用运算放大器构建有源同相积分器，以在低频至预设第一自谐振频率的频率区间内增益电流；将有源同相积分器与罗氏线圈并联，以根据预设满足条件对罗氏线圈的输出信号进行抵抗电磁干扰调理，以扩展高频带宽上限。该方法基于小负载电阻的自积分罗氏线圈，能够提高罗氏线圈的自谐振频率和高频带宽上限，并增强调理电路抵抗电磁干扰的能力。本发明主要应用于低跨阻放大系数罗氏线圈领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116488628A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310395006.2
申请日：2023-04-13
Applicant: 清华大学
IPC: H03K17/687 , H03K17/04
Abstract: 本申请公开了一种SiC MOSFET栅极驱动器，属于电子电路技术领域，包括：弱电侧单元用于驱动器中驱动单元的整体供电，以及建立控制器与驱动单元间的通信，并在驱动单元反馈短路故障时，对驱动信号实施闭锁；隔离单元用于从弱电侧单元取电并向驱动单元供电，以及建立弱电侧单元与驱动单元间的通信；驱动单元用于实时监测SiC MOSFET器件的状态，并根据SiC MOSFET器件的状态对SiC MOSFET器件进行短路保护和串扰抑制。可以在不影响SiC MOSFET器件的正常通断的同时，为器件提供可靠的短路保护功能与防串扰功能，实现SiC MOSFET器件的智能驱动。
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公开(公告)号：CN115833220A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310004746.9
申请日：2023-01-03
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请公开了一种高频交流母线型电能路由器的直流端口控制方法及装置，通过采集高频母线信息以及端口内高频电感电流信息，对该类电能路由器核心层级的模块化多有源桥内部传输的无功功率进行抑制，从而减小电感电流有效值，提升系统效率。解决了在单移相控制下，当各个端口的电压转换比不同时，模块化多有源桥内部会产生较大的电流应力，端口间存在大量无功功率传输，造成系统效率的下降等问题。
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公开(公告)号：CN113411076B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110746404.5
申请日：2021-07-01
Applicant: 清华大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/04
Abstract: 本发明公开了属于电力电子技术领域的一种准确控制IGBT峰值电压改善开关特性的栅极驱动方法，首先通过峰值电压检测与数字化电路来准确采样到每次关断瞬态IGBT端电压峰值，再将其数字化，得到了与实际峰值电压vPK成确定比例关系的数字量，最后将该数字量输出到驱动板上现场可编程逻辑门阵列FPGA；FPGA芯片将该数字量与参考值Vref对应的数字量作比例‑积分PI运算，产生PI调节器所得的IGBT关断瞬态diC/d t阶段的驱动电压，并在关断瞬态diC/d t阶段施加到IGBT栅极；本发明实现不同负载电流下对vPK的控制和更低的关断延迟和关断损耗；且适应工况变化的；这种控制方法比已有的vPK控制方法的精度都高。
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公开(公告)号：CN113411076A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110746404.5
申请日：2021-07-01
Applicant: 清华大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/04
Abstract: 本发明公开了属于电力电子技术领域的一种准确控制IGBT峰值电压改善开关特性的栅极驱动方法，首先通过峰值电压检测与数字化电路来准确采样到每次关断瞬态IGBT端电压峰值，再将其数字化，得到了与实际峰值电压vPK成确定比例关系的数字量，最后将该数字量输出到驱动板上现场可编程逻辑门阵列FPGA；FPGA芯片将该数字量与参考值Vref对应的数字量作比例‑积分PI运算，产生PI调节器所得的IGBT关断瞬态diC/d t阶段的驱动电压，并在关断瞬态diC/d t阶段施加到IGBT栅极；本发明实现不同负载电流下对vPK的控制和更低的关断延迟和关断损耗；且适应工况变化的；这种控制方法比已有的vPK控制方法的精度都高。
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公开(公告)号：CN118611394A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410723915.9
申请日：2024-06-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体低开关损耗开关瞬态换流电路及其协调方法，包括：吸收电容单元、变压器单元和弱电能量吸收单元，其中，吸收电容单元用于在功率半导体器件关断瞬态过程中吸收功率半导体器件关断瞬态能量；变压器单元用于在功率半导体器件开通时吸收功率半导体器件的开通瞬态能量，并在功率半导体器件关断瞬态过程中，将变压器单元的原边的电压尖峰能量耦合至弱电能量吸收单元；弱电能量吸收单元用于在功率半导体器件关断瞬态过程中吸收变压器单元上的电压尖峰能量。由此，通过吸收功率半导体开关状态切换中产生的瞬态能量，实现了功率半导体器件开通和关断损耗、电压尖峰的抑制，降低功率半导体器件过压击穿风险，提升功率半导体的可靠性。
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