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公开(公告)号：CN1688034A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510058998.1
申请日：2005-03-29
申请人： 清华大学 , 北京英纳超导技术有限公司
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 一种大面积均匀薄膜或长超导导线的制备方法，尤其涉及一种制备高温超导覆膜导体的成膜方法，及装置。该方法可以满足超导长带材和大面积膜对热处理过程中的烧结温度和气氛气流的均匀性和精确性的要求；该装置包括炉体，石英炉管，送气系统，出气系统，螺旋管式长导线样品架或者片式大面积膜样品架，金属法兰盘旋转密封系统，可调速电机，测温热电偶及其管道。对于大面积薄膜沉积，不需要昂贵的真空室设备投资；对于超导长导线制备，不存在界面问题，从而能够制备出具有更好超导性能的长超导导线。采用的非真空制备方法能大大降低操作条件和实施成本，提高成膜的均匀性和连续带材的最终临界电流密度。
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公开(公告)号：CN100395847C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200510011756.7
申请日：2005-05-20
申请人： 清华大学 , 北京英纳超导技术有限公司
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 一种高温超导覆膜导体及其制备方法，具体涉及一种采用离子束辅助沉积(IBAD)工艺与化学溶液法制膜工艺相结合来制备的高温超导覆膜导体及其制备方法，属于高温超导覆膜导体及其制备领域。覆膜导体沿纵切面由超导保护层、YBCO超导层、CeO2缓冲层、IBAD YSZ缓冲层、金属基底组成。先在金属基带材料上制备出双轴织构缓冲层和附加缓冲层；再在这些缓冲层材料衬底上制备YBCO超导层和失超保护层，即得到这种高温超导覆膜导体。本发明结合了IBAD工艺成膜质量好和化学溶液法制备成本低的优点，能够在合适的柔性金属衬底上制备出具有均匀超导电流分布的高温超导覆膜导体。成膜质量好，制备成本低，在工业上有较好的实用前景。
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公开(公告)号：CN100372140C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200510058998.1
申请日：2005-03-29
申请人： 清华大学 , 北京英纳超导技术有限公司
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 一种大面积均匀薄膜或长超导导线的制备方法，尤其涉及一种制备高温超导覆膜导体的成膜方法，及装置。该方法可以满足超导长带材和大面积膜对热处理过程中的烧结温度和气氛气流的均匀性和精确性的要求；该装置包括炉体，石英炉管，送气系统，出气系统，螺旋管式长导线样品架或者片式大面积膜样品架，金属法兰盘旋转密封系统，可调速电机，测温热电偶及其管道。对于大面积薄膜沉积，不需要昂贵的真空室设备投资；对于超导长导线制备，不存在界面问题，从而能够制备出具有更好超导性能的长超导导线。采用的非真空制备方法能大大降低操作条件和实施成本，提高成膜的均匀性和连续带材的最终临界电流密度。
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公开(公告)号：CN1258618C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200310117384.7
申请日：2003-12-12
申请人： 清华大学 , 北京英纳超导技术有限公司
摘要： 本发明涉及一种直接在在金属基底上形成织构外延膜的方法，属于超导材料制备技术领域。其工艺过程依次为：金属基带轧制，制备涂膜溶液，在轧制金属基带上涂膜，加温使涂层热解成相形成织构缓冲层和织构基底。本发明提供的这种工艺方法的优越性在于，将传统的轧制金属基带织构形成和缓冲层织构形成两步工艺合成为一步工艺，这样可以大大的简化工艺，避免两步工艺中为了在金属基带中预先形成双轴织构而必须进行的高温热退火处理所带来的一系列问题。本方法重复性好，成本低廉，可以广泛应用于超导、铁电、光电子薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN1719553A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510011756.7
申请日：2005-05-20
申请人： 清华大学 , 北京英纳超导技术有限公司
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 一种高温超导覆膜导体及其制备方法，具体涉及一种采用离子束辅助沉积(IBAD)工艺与化学溶液法制膜工艺相结合来制备的高温超导覆膜导体及其制备方法，属于高温超导覆膜导体及其制备领域。覆膜导体沿纵切面由超导保护层、YBCO超导层、CeO2缓冲层、IBAD YSZ缓冲层、金属基底组成。先在金属基带材料上制备出双轴织构缓冲层和附加缓冲层；再在这些缓冲层材料衬底上制备YBCO超导层和失超保护层，即得到这种高温超导覆膜导体。本发明结合了IBAD工艺成膜质量好和化学溶液法制备成本低的优点，能够在合适的柔性金属衬底上制备出具有均匀超导电流分布的高温超导覆膜导体。成膜质量好，制备成本低，在工业上有较好的实用前景。
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公开(公告)号：CN1546725A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310117384.7
申请日：2003-12-12
申请人： 清华大学 , 北京英纳超导技术有限公司
摘要： 本发明涉及一种直接在金属基底上形成织构外延膜的方法，属于超导材料制备技术领域。其工艺过程依次为：金属基带轧制，制备涂膜溶液，在轧制金属基带上涂膜，加温使涂层热解成相形成织构缓冲层和织构基底。本发明提供的这种工艺方法的优越性在于，将传统的轧制金属基带织构形成和缓冲层织构形成两步工艺合成为一步工艺，这样可以大大的简化工艺，避免两步工艺中为了在金属基带中预先形成双轴织构而必须进行的高温热退火处理所带来的一系列问题。本方法重复性好，成本低廉，可以广泛应用于超导、铁电、光电子薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN1917339A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200510090734.4
申请日：2005-08-15
申请人： 北京英纳超导技术有限公司
IPC分类号： H02K55/00
摘要： 本发明涉及超导电机，具体涉及的是一种利用高温超导材料制备的高温超导电机，其包含固定的定子和可旋转的转子，其特征在于定子的绕组中使用高温超导导线，并且定子中还包含低温冷却系统以使超导体处于超导态，利用该结构制造的高温超导电机具有较好的可靠性、较小的体积和重量，并且所需的制冷功率较低。
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公开(公告)号：CN1811260A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610007249.0
申请日：2006-02-16
申请人： 北京英纳超导技术有限公司
IPC分类号： F17C3/10
摘要： 本发明涉及一种杜瓦瓶，特别是一种用于制备高温超导磁体的杜瓦瓶，它包括罐体、盖体和真空系统，其中罐体和盖体内含真空夹层，真空系统包含密封罩，该密封罩至少包围罐体和盖体的连接处，密封罩分别与罐体和盖体密封连接，密封罩上有阀门便于抽真空，使得密封罩与罐体和盖体包围住的区域为真空，该杜瓦瓶的密封性能较高，制备过程易于操作，适宜于大规模生产。
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公开(公告)号：CN1687998A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510070732.9
申请日：2005-05-18
申请人： 北京英纳超导技术有限公司
发明人： 刘莉
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 本发明涉及超导导线组件，具体涉及的是一种利用高温超导材料制备的高温超导导线组件及其制备方法，其包含至少两根具有超导性能的单根超导导线，这些单根超导导线之间通过电接触形成超导导线组，并且在上述超导导线组的外表面上至少有一层覆盖层，利用该方法制备的高温超导导线组件具有较高的机械强度、较好的安全性和稳定性。
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公开(公告)号：CN101471158B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200710304308.5
申请日：2007-12-27
申请人： 北京英纳超导技术有限公司
发明人： 刘莉
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 本发明涉及一种多芯高温超导带材及其制备方法，包含至少两类单芯超导导线和包在它们周围的最外层金属基体材料，第1类单芯超导导线包含具有超导性能的超导芯和包在其周围的第一导电基体，第2类单芯超导导线包含具有超导性能的超导芯和包在其周围的第二导电基体，第一导电基体的强度小于第二导电基体的强度，单芯超导导线之间沿着长度方向互相平行，在横截面上分层密排，第1类单芯超导导线位于带材的内层，第2类单芯超导导线位于带材的外层，利用该方法制备的多芯高温超导带材中超导芯密度分布具有较高的均匀性，从而可有效地提高整个超导带材的电学性能。
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