从低于室温到高于室温的铁电超导体

    公开(公告)号:CN114430863A

    公开(公告)日:2022-05-03

    申请号:CN202080034542.4

    申请日:2020-04-06

    申请人: 波尔图大学

    IPC分类号: H01L39/00

    摘要: 本发明涉及一种包含铁电体的超导体,其在从低于室温到高于室温的温度下具有极高的介电常数,其中铁电体的偶极子的自发动态排列在表面处诱发超导性。使用该创新性超导体以及应用随后捕获产生的电流的现象,铁电体可被施加于两个相同的导体或半导体之间、两个相异的导体或半导体之间、或者作为导体的绝缘体芯或只是与空气接触。因此,本发明适用于在以下领域中能够无损耗地传输电力的应用:能量、捕集、存储、传感器、晶体管、计算机的部件、光伏电池或面板、风力涡轮机、SQUID、MRI、质谱仪、粒子加速器、智能电网、电力传输、变压器、电力存储装置和/或电动机。

    使用多个并联连接的超导检测部件进行单光子检测的设备和系统

    公开(公告)号:CN114096817A

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN202080034869.1

    申请日:2020-06-16

    摘要: 本发明涉及一种用于单光子检测的设备,该设备包括至少两个超导检测部件(1)以及偏置电流源(2)、滤波器元件(3)和读出电路(4),其中每个超导检测部件(1)形成适于吸收入射光子的检测区域并且并联连接,每个超导检测部件(1)维持在低于其临界温度(TC)的温度并被提供位于接近并低于其临界电流(IC)的偏置电流(IB),诸如以正常地维持在非电阻性超导状态,并且适于在光子吸收时从所述非电阻性超导状态过渡到电阻性状态,这是由于超导检测部件(1)内的电流密度增加到临界电流(IC)以上,所述读出电路(4)适于感测与超导检测部件(1)到其电阻性状态的所述过渡对应的电压改变,诸如以允许为所述超导检测部件(1)中的任何一个对入射光子的每次吸收产生事件信号。该设备的区别在于它还包括至少一个电流重新分配部件(5),该电流重新分配部件(5)适于至少部分地将在由所述超导检测部件(1)中的任何一个吸收入射光子之后产生的电流重新分配到所述电流重新分配设备(5)中,诸如以避免没有吸收入射光子的超导检测部件(1)中的任何一个遭受电流密度增加到其临界电流(IC)以上。本发明还涉及一种包括至少两个此类设备的用于单光子检测的系统。

    窄带吸收超导纳米线单光子探测器

    公开(公告)号:CN106549098B

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201510593967.X

    申请日:2015-09-17

    发明人: 李浩 尤立星 王镇

    IPC分类号: H01L39/00 H01L39/02

    摘要: 本发明提供一种窄带吸收超导纳米线单光子探测器,包括:衬底;高反膜,位于所述衬底表面;超导纳米线,位于所述高反膜表面;多层薄膜滤波器,位于所述高反膜的表面,且所述多层薄膜滤波器的底层薄膜层包覆所述超导纳米线。本发明的窄带吸收超导纳米线单光子探测器基于高反膜衬底制备超导纳米线,通过正面耦合可以将光直接照射到超导纳米线上,可以避免光学腔体结构超导纳米线单光子探测器件中远距离聚焦的问题,进而避免了衬底Fabry‑Perot腔对吸收效率的影响,且对目标波长具有较高的吸收效率,有效提高了器件探测效率;同时,纳米线上方的多层薄膜滤波器具有非目标波长滤波功能,可过滤入射光中的杂散光,进而有效抑制黑体辐射造成的暗计数。

    窄带吸收超导纳米线单光子探测器

    公开(公告)号:CN106549098A

    公开(公告)日:2017-03-29

    申请号:CN201510593967.X

    申请日:2015-09-17

    发明人: 李浩 尤立星 王镇

    IPC分类号: H01L39/00 H01L39/02

    摘要: 本发明提供一种窄带吸收超导纳米线单光子探测器,包括:衬底;高反膜,位于所述衬底表面;超导纳米线,位于所述高反膜表面;多层薄膜滤波器,位于所述高反膜的表面,且所述多层薄膜滤波器的底层薄膜层包覆所述超导纳米线。本发明的窄带吸收超导纳米线单光子探测器基于高反膜衬底制备超导纳米线,通过正面耦合可以将光直接照射到超导纳米线上,可以避免光学腔体结构超导纳米线单光子探测器件中远距离聚焦的问题,进而避免了衬底Fabry-Perot腔对吸收效率的影响,且对目标波长具有较高的吸收效率,有效提高了器件探测效率;同时,纳米线上方的多层薄膜滤波器具有非目标波长滤波功能,可过滤入射光中的杂散光,进而有效抑制黑体辐射造成的暗计数。