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公开(公告)号：CN114864540A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202111119583.6
申请日：2021-09-24
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/64
摘要： 本申请公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件可以包括：第一电极；第二电极；绝缘层，置于第一电极和第二电极之间并包括具有倾斜侧壁的开口；形成在开口中的可变电阻层，可变电阻层包括第一表面和第二表面，第一表面面对第一电极并具有第一面积，第二表面面对第二电极并具有与第一面积不同的第二面积，可变电阻层在编程操作期间保持非晶态；以及衬垫，置于可变电阻层和绝缘层之间以及可变电阻层和第一电极之间。
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公开(公告)号：CN112599663B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202010711127.X
申请日：2020-07-22
申请人： 爱思开海力士有限公司
摘要： 本申请提供一种硫族化物材料、可变电阻存储器件以及电子设备。硫族化物材料可以包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)和0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。可变电阻存储器件可以包括第一电极、第二电极以及介于第一电极与第二电极之间的硫族化物膜，并且硫族化物膜包括0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。此外，电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括列线、与列线交叉的行线以及位于列线与行线之间的存储单元，其中存储单元包括硫族化物膜，所述硫族化物膜包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)以及0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。
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公开(公告)号：CN112599663A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010711127.X
申请日：2020-07-22
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本申请提供一种硫族化物材料、可变电阻存储器件以及电子设备。硫族化物材料可以包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)和0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。可变电阻存储器件可以包括第一电极、第二电极以及介于第一电极与第二电极之间的硫族化物膜，并且硫族化物膜包括0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。此外，电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括列线、与列线交叉的行线以及位于列线与行线之间的存储单元，其中存储单元包括硫族化物膜，所述硫族化物膜包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)以及0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。
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公开(公告)号：CN115125507A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202111438566.9
申请日：2021-11-30
申请人： 爱思开海力士有限公司
摘要： 本公开提供了一种包括涂层或屏蔽件的PVD室屏蔽结构。根据所公开的技术的实施方式的屏蔽结构可以包括：屏蔽件，所述屏蔽件被配置为包围设置在PVD室体中的溅射靶材与衬底之间的空间，所述屏蔽件具有带内表面和外表面的中空形状；以及涂层，所述涂层形成在屏蔽件的内表面上，其中，所述涂层具有：i)介电常数，其不大于沉积在衬底上的材料的介电常数；ii)孔隙率，其大于0vol％且小于100vol％；以及iii)厚度，其大于150μm且小于给定的上限，所述上限被设定为防止沉积在涂层之上的材料发生剥离。
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