公开(公告)号：CN112037834A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201911241650.4

申请日：2019-12-06

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 潘尚炫 ,  李范锡 ,  李禹太 ,  金泰勋 ,  张桓埈 ,  崔惠晶

IPC分类号： G11C13/00

摘要： 本申请提供一种电子设备以及操作电子设备中的存储单元的方法。电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括：字线；位线；以及存储单元，其耦接到字线和位线并且设置在字线与位线之间，所述存储单元包括可变电阻层，所述可变电阻层不管储存在存储单元中的数据的值如何都保持在非晶态，其中，在复位操作中，通过将比存储单元的阈值电压的0.7倍大而比阈值电压的0.95倍小的亚阈值电压施加到存储单元，存储单元被编程为高电阻非晶态。

公开(公告)号：CN112037834B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201911241650.4

申请日：2019-12-06

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 潘尚炫 ,  李范锡 ,  李禹太 ,  金泰勋 ,  张桓埈 ,  崔惠晶

IPC分类号： G11C13/00

摘要： 本申请提供一种电子设备以及操作电子设备中的存储单元的方法。电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括：字线；位线；以及存储单元，其耦接到字线和位线并且设置在字线与位线之间，所述存储单元包括可变电阻层，所述可变电阻层不管储存在存储单元中的数据的值如何都保持在非晶态，其中，在复位操作中，通过将比存储单元的阈值电压的0.7倍大而比阈值电压的0.95倍小的亚阈值电压施加到存储单元，存储单元被编程为高电阻非晶态。

公开(公告)号：CN113363379B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202011203558.1

申请日：2020-11-02

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 金明燮 ,  金泰勋 ,  李范锡 ,  李承润 ,  张桓埈 ,  赵炳直 ,  韩智宣

IPC分类号： H10N70/00 ,  H10B63/10 ,  H10N50/01 ,  H10N50/80 ,  H10N50/10 ,  H10B61/00

摘要： 一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：形成第一碳电极材料；对第一碳电极材料进行表面处理以减小第一碳电极材料的表面粗糙度；以及在处理后的第一碳电极材料的表面上形成第二碳电极材料。第二碳电极材料的厚度可以大于第一碳电极材料的厚度。

公开(公告)号：CN112599663B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202010711127.X

申请日：2020-07-22

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 郑光先 ,  潘尚炫 ,  安俊九 ,  李范锡 ,  李泳昊 ,  李禹太 ,  李钟豪 ,  张桓埈 ,  赵性来 ,  曹艺天 ,  黄旭

IPC分类号： H10N70/20 ,  H10B63/00 ,  H10B63/10

摘要： 本申请提供一种硫族化物材料、可变电阻存储器件以及电子设备。硫族化物材料可以包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)和0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。可变电阻存储器件可以包括第一电极、第二电极以及介于第一电极与第二电极之间的硫族化物膜，并且硫族化物膜包括0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。此外，电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括列线、与列线交叉的行线以及位于列线与行线之间的存储单元，其中存储单元包括硫族化物膜，所述硫族化物膜包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)以及0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。

公开(公告)号：CN113363379A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202011203558.1

申请日：2020-11-02

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 金明燮 ,  金泰勋 ,  李范锡 ,  李承润 ,  张桓埈 ,  赵炳直 ,  韩智宣

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L43/12 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24

摘要： 一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：形成第一碳电极材料；对第一碳电极材料进行表面处理以减小第一碳电极材料的表面粗糙度；以及在处理后的第一碳电极材料的表面上形成第二碳电极材料。第二碳电极材料的厚度可以大于第一碳电极材料的厚度。

公开(公告)号：CN118450713A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410407712.9

申请日：2020-11-02

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 金明燮 ,  金泰勋 ,  李范锡 ,  李承润 ,  张桓埈 ,  赵炳直 ,  韩智宣

IPC分类号： H10B61/00 ,  H10B63/00 ,  H10B63/10 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00

摘要： 一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：形成第一碳电极材料；对第一碳电极材料进行表面处理以减小第一碳电极材料的表面粗糙度；以及在处理后的第一碳电极材料的表面上形成第二碳电极材料。第二碳电极材料的厚度可以大于第一碳电极材料的厚度。

公开(公告)号：CN112599663A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202010711127.X

申请日：2020-07-22

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 郑光先 ,  潘尚炫 ,  安俊九 ,  李范锡 ,  李泳昊 ,  李禹太 ,  李钟豪 ,  张桓埈 ,  赵性来 ,  曹艺天 ,  黄旭

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本申请提供一种硫族化物材料、可变电阻存储器件以及电子设备。硫族化物材料可以包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)和0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。可变电阻存储器件可以包括第一电极、第二电极以及介于第一电极与第二电极之间的硫族化物膜，并且硫族化物膜包括0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。此外，电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括列线、与列线交叉的行线以及位于列线与行线之间的存储单元，其中存储单元包括硫族化物膜，所述硫族化物膜包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)以及0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。