公开(公告)号：CN113808625B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202110273425.X

申请日：2021-03-15

申请人： 西部数据技术公司

发明人： C-C·胡 ,  Y-H·王 ,  M·毛 ,  李冠雄 ,  D·毛里 ,  刘小勇 ,  Y·冈田 ,  A·罗伊 ,  C·钱 ,  H·刘

IPC分类号： G11B5/127 ,  G11B5/23 ,  G11B5/11

摘要： 本发明的名称为具有双自由层磁性隧道结的二维磁记录读取器。本公开大体上涉及一种具有磁性隧道结(MTJ)的二维磁记录(TDMR)读头。上部读取器和下部读取器两者具有在两个屏蔽件之间的双自由层(DFL)MTJ结构。合成反铁磁(SAF)软偏置结构界定所述MTJ，且后硬偏置(RHB)结构安置在所述MTJ后方。所述DFL MTJ减小所述上部和下部读取器之间的距离，且因此改进面密度能力(ADC)。此外，所述SAF软偏置结构和所述后头偏置结构使所述双自由层MTJ在面向介质的表面(MFS)处具有剪刀状态磁矩。

公开(公告)号：CN113808625A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110273425.X

申请日：2021-03-15

申请人： 西部数据技术公司

发明人： C-C·胡 ,  Y-H·王 ,  M·毛 ,  李冠雄 ,  D·毛里 ,  刘小勇 ,  Y·冈田 ,  A·罗伊 ,  C·钱 ,  H·刘

IPC分类号： G11B5/127 ,  G11B5/23 ,  G11B5/11

摘要： 本发明的名称为具有双自由层磁性隧道结的二维磁记录读取器。本公开大体上涉及一种具有磁性隧道结(MTJ)的二维磁记录(TDMR)读头。上部读取器和下部读取器两者具有在两个屏蔽件之间的双自由层(DFL)MTJ结构。合成反铁磁(SAF)软偏置结构界定所述MTJ，且后硬偏置(RHB)结构安置在所述MTJ后方。所述DFL MTJ减小所述上部和下部读取器之间的距离，且因此改进面密度能力(ADC)。此外，所述SAF软偏置结构和所述后头偏置结构使所述双自由层MTJ在面向介质的表面(MFS)处具有剪刀状态磁矩。