一种MOSFET开关驱动电路
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108880521A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201810416594.2

    申请日:2018-05-03

    IPC分类号: H03K17/687

    摘要: 本发明涉及一种MOSFET开关驱动电路,通过控制信号捕捉电路、充电电路、信号脉冲发生电路和功率放大电路,能够实现百纳秒级脉冲宽度的快速开通和关断。并且,充电电路中的第一电容在充电过程中,电阻上产生了一个正向的电压脉冲信号,该电压脉冲信号的电压超过信号脉冲发生电路高电平识别基准的部分,将识别为具有一定脉冲宽度的高电平信号,经过脉冲发生电路转换成低电平的锁存信号,以锁定在脉冲持续期间与非门逻辑门电路能够持续输出高电平,不会被输入控制信号的抖动所影响,实现低电平的纳秒级方波脉冲信号的反馈闭锁。在无脉冲输出期间使得控制信号恢复成高电平后对充电电路进行放电,确保该电路的重复工作功能。

    一种快前沿纳秒高压电光开关驱动源

    公开(公告)号:CN106385244B

    公开(公告)日:2019-07-16

    申请号:CN201611035570.X

    申请日:2016-11-18

    IPC分类号: H03K3/537

    摘要: 本发明涉及一种快前沿纳秒高压电光开关驱动源,包括一个Blumlein PFN脉冲网络回路,所述Blumlein PFN脉冲网络回路包括两组单仿真线,其中一组单仿真线设有高压直流电源,每组单仿真线均包括多级LC单元,所述设有高压直流电源的单仿真线中,远离高压直流电源的最后一级LC单元还包括一个火花隙开关(S2)和一个辅助充电电阻(R2),该级LC单元的电感与所述火花隙开关(S2)串联,所述辅助充电电阻(R2)与所述火花隙开关(R2)并联。该驱动源的输出高压方波脉冲前沿和后沿时间较短,相应提高了等离子体电光开关的性能和使用寿命,同时输出电压具有倍压功能,能够极大地减小驱动源系统的体积和造价,提高驱动源的可靠性。

    准直镜夹持装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105182495A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201510418053.X

    申请日:2015-07-16

    IPC分类号: G02B7/02

    摘要: 本发明公开了一种准直镜夹持装置。该夹持装置的基座上开设镜头插孔,并在基座上设置胀套,胀套的内孔与镜头插孔同轴连通,胀套的悬伸端具有可在径向弹性收张的夹持爪,并在胀套的外周上套装有压帽,压帽的一端设有与基座通过与插孔同轴的螺纹副连接的螺接部、另一端设有与夹持爪楔面配合的楔紧部,楔紧部的内壁和夹持爪的外周中至少一个上设置的配合楔面沿胀套的悬伸方向逐渐向内或向外倾斜。这样在旋拧压帽的过程中,压帽的楔紧部会通过楔面配合压紧胀套的夹持爪,以使穿装在胀套内的准直镜被夹持在胀套的夹持爪之间,从而通过胀紧装配、楔面配合和螺纹副相配合,使得准直镜被可靠的夹紧。

    两电极气体开关
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105405729B

    公开(公告)日:2017-09-08

    申请号:CN201510748209.0

    申请日:2015-11-06

    IPC分类号: H01J17/42 H01J17/06 H01J17/10

    摘要: 本发明涉及两电极气体开关。两电极气体开关,包括第一电极座、第二电极座和用于形成电极间隙的两电极,第一电极座为桶状,所述电极间隙位于第一电极座的内腔中,所述第一电极座的径向侧壁上设有用于使第一电极座与外部物体导电连接的导电连接结构,在第一电极座的轴向方向上,所述导电连接结构位于所述电极间隙靠近第二电极座的一侧。电流通过时,通过第一电极座径向侧壁的电流流向就与通过电极间隙的电流流向相反,通过第一电极座径向侧壁的电流产生的电磁力作用在两个电极间隙放电的电弧上,会对两个电极间隙的放电电弧产生箍束力,使热量、电弧和石墨颗粒集中,使石墨颗粒更多地氧化成气体,减少石墨颗粒对绝缘圆筒的污染,延长开关寿命。