一种MOSFET开关驱动电路
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108880521B

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN201810416594.2

    申请日:2018-05-03

    IPC分类号: H03K17/687

    摘要: 本发明涉及一种MOSFET开关驱动电路,通过控制信号捕捉电路、充电电路、信号脉冲发生电路和功率放大电路,能够实现百纳秒级脉冲宽度的快速开通和关断。并且,充电电路中的第一电容在充电过程中,电阻上产生了一个正向的电压脉冲信号,该电压脉冲信号的电压超过信号脉冲发生电路高电平识别基准的部分,将识别为具有一定脉冲宽度的高电平信号,经过脉冲发生电路转换成低电平的锁存信号,以锁定在脉冲持续期间与非门逻辑门电路能够持续输出高电平,不会被输入控制信号的抖动所影响,实现低电平的纳秒级方波脉冲信号的反馈闭锁。在无脉冲输出期间使得控制信号恢复成高电平后对充电电路进行放电,确保该电路的重复工作功能。

    一种MOSFET开关驱动电路
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108880521A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201810416594.2

    申请日:2018-05-03

    IPC分类号: H03K17/687

    摘要: 本发明涉及一种MOSFET开关驱动电路,通过控制信号捕捉电路、充电电路、信号脉冲发生电路和功率放大电路,能够实现百纳秒级脉冲宽度的快速开通和关断。并且,充电电路中的第一电容在充电过程中,电阻上产生了一个正向的电压脉冲信号,该电压脉冲信号的电压超过信号脉冲发生电路高电平识别基准的部分,将识别为具有一定脉冲宽度的高电平信号,经过脉冲发生电路转换成低电平的锁存信号,以锁定在脉冲持续期间与非门逻辑门电路能够持续输出高电平,不会被输入控制信号的抖动所影响,实现低电平的纳秒级方波脉冲信号的反馈闭锁。在无脉冲输出期间使得控制信号恢复成高电平后对充电电路进行放电,确保该电路的重复工作功能。