公开(公告)号：CN113168111B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN201980077324.6

申请日：2019-10-30

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： 张幼平 ,  B·门奇奇科夫 ,  C·E·塔贝里 ,  邹毅 ,  林晨希 ,  程亚娜 ,  西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯 ,  M·格宁

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 描述了一种用于预测与在衬底上制造半导体器件的过程有关的产率的方法，该方法包括：获得将模型化参数转换为产率参数的经训练第一模型，上述模型化参数包括：a)与以下中的一项或多项相关联的几何参数：通过该过程制造的器件元件的几何特性、尺寸或位置，以及b)经训练自由参数；获得包括表征该过程的过程参数的过程参数数据；将过程参数数据转换为几何参数的值；以及使用经训练第一模型和几何参数的值来预测产率参数。

公开(公告)号：CN113168111A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077324.6

申请日：2019-10-30

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： 张幼平 ,  B·门奇奇科夫 ,  C·E·塔贝里 ,  邹毅 ,  林晨希 ,  程亚娜 ,  西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯 ,  M·格宁

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 描述了一种用于预测与在衬底上制造半导体器件的过程有关的产率的方法，该方法包括：获得将模型化参数转换为产率参数的经训练第一模型，上述模型化参数包括：a)与以下中的一项或多项相关联的几何参数：通过该过程制造的器件元件的几何特性、尺寸或位置，以及b)经训练自由参数；获得包括表征该过程的过程参数的过程参数数据；将过程参数数据转换为几何参数的值；以及使用经训练第一模型和几何参数的值来预测产率参数。