光刻设备和器件制造方法

    公开(公告)号:CN102163002B

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201110042390.5

    申请日:2011-02-18

    IPC分类号: G03F7/20 G03F9/00

    CPC分类号: G03F7/70516 G03F7/70616

    摘要: 本发明提供一种光刻设备和器件制造方法。本发明公开一种形成用于光刻设备的至少一个监控晶片的方法。监控晶片能够与扫描控制模块结合使用以定期地从监控晶片获取用于限定基线的测量结果,由此根据基线确定参数漂移。由此,可以实现对所述漂移执行容许和/或校正。通过使用所述光刻设备初始地曝光监控晶片以在监控晶片的每一个上执行多次曝光通过来确定基线。本发明还公开相关联的光刻设备。

    光刻设备、器件制造方法和相关的数据处理设备以及计算机程序产品

    公开(公告)号:CN102763040B

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201180009597.0

    申请日:2011-01-12

    IPC分类号: G03F7/20

    CPC分类号: G03F7/70258 G03F7/70616

    摘要: 光刻设备通过相对于彼此以一移动次序移动衬底和图案形成装置操作,使得图案被施加到衬底上的连续部分上。衬底的每一部分通过扫描操作来形成图案,其中图案形成装置通过辐射束来扫描且同时同步地通过图案化的辐射束扫描衬底,以便施加图案到衬底上的期望部分上。在每一扫描操作期间施加场内校正,以便补偿在扫描操作期间变化的扭曲效应。场内校正包括投影系统的一个或更多的性质的校正性变化和可选地图案形成装置和/或衬底台的平面外的移动。

    对准方法和相关的对准以及光刻设备

    公开(公告)号:CN117043683A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202280019583.5

    申请日:2022-02-18

    IPC分类号: G03F9/00

    摘要: 公开了一种识别与对准标记中的不对称性相关的一个或多个主导性不对称模式的方法,该方法包括:使用多个对准条件,获得与至少一个衬底上的对准标记的测量结果相关的对准数据;识别对准数据的一个或多个主导性正交成分,一个或多个正交成分包括一数量的一起足以描述对准数据的方差的正交成分;以及如果不对称模式对应于与主导性正交成分之一最佳匹配的预期不对称模式形状,则将该不对称模式确定为主导性的。替代地,方法包括:对于每个已知的不对称模式,确定敏感度度量;以及如果敏感度度量高于敏感度阈值,则将不对称模式确定为主导性的。

    光刻设备和器件制造方法

    公开(公告)号:CN102163000B

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201110042167.0

    申请日:2011-02-17

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 本文公开了一种光刻设备和器件制造方法,尤其是一种控制光刻设备的扫描功能的方法以及如此配置的光刻设备。所述方法包括以下步骤:曝光监控晶片,以确定与所述扫描功能相关的基线控制参数;从所述监控晶片周期性地获取所述基线控制参数;根据所述基线控制参数确定参数漂移;和基于所述确定步骤进行校正动作,其中与用于在所述扫描控制模块和所述光刻设备之间的通信的参数表达不同的参数表达被用于控制所述扫描控制模块。

    光刻设备和器件制造方法

    公开(公告)号:CN102163002A

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:CN201110042390.5

    申请日:2011-02-18

    IPC分类号: G03F7/20 G03F9/00

    CPC分类号: G03F7/70516 G03F7/70616

    摘要: 本发明提供一种光刻设备和器件制造方法。本发明公开一种形成用于光刻设备的至少一个监控晶片的方法。监控晶片能够与扫描控制模块结合使用以定期地从监控晶片获取用于限定基线的测量结果,由此根据基线确定参数漂移。由此,可以实现对所述漂移执行容许和/或校正。通过使用所述光刻设备初始地曝光监控晶片以在监控晶片的每一个上执行多次曝光通过来确定基线。本发明还公开相关联的光刻设备。