-
公开(公告)号:CN101746827A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200910243429.2
申请日:2009-12-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G35/00
Abstract: 一种负热膨胀材料TaVO5是将分析纯的V2O5与Ta2O5按摩尔比0.52∶0.48~0.6∶0.4混合,采用固相法合成。该负热膨胀材料TaVO5的制备方法是选取分析纯的V2O5与Ta2O5为原料,将V2O5和Ta2O5按摩尔比混合,在乙醇溶液中球磨1~24小时使其充分混匀。得到的粉末干燥后在750℃~850℃范围内保温2~10小时。降温冷却后压制成片,再在750℃~850℃范围内保温10~48小时。冷却后即可得到纯的具有负热膨胀性能的TaVO5,在室温至800℃的温度范围内,本征体膨胀系数为-1.22×10-5;在室温至600℃温度范围内,表观线膨胀系数α=-3.72×10-6,并具有良好的可重复性。该材料具有负热膨胀温度范围大,制备简单,无需大规模设备等优点。
-
公开(公告)号:CN100567209C
公开(公告)日:2009-12-09
申请号:CN200710179205.0
申请日:2007-12-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01B1/06
Abstract: 本发明提供了一种铈掺杂钨酸锆负热膨胀导电陶瓷粉体及其制备方法,属于无机非金属材料领域。其材料的组成为Zr1-xCexW2O8(0<x≤0.02),制备步骤是以ZrOCl2·8H2O,5(NH4)2O·12WO3·5H2O和(NH4)2Ce(NO3)6为前驱体,利用水热法合成。实施本发明所合成的铈掺杂钨酸锆负热膨胀导电陶瓷粉体,在350-700℃温度范围内既具有负热膨胀性又具有导电性能。所采用的水热合成方法,与传统的固相烧结方法相比,避免了高温烧结程序,节省了能源,简化了合成工艺。
-
公开(公告)号:CN100567160C
公开(公告)日:2009-12-09
申请号:CN200710119401.9
申请日:2007-07-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01F17/00
Abstract: 一种高比表面积介孔二氧化铈微球的制备方法,属于属稀土氧化物材料领域。其特征是利用水热法制备球状、半球状具有高比较面积及均一外观形貌的介孔氧化铈粉体;将(NH4)2Ce(NO3)4作为铈源溶于无水乙醇中搅拌30~60分钟使其充分混合,加入酸后再加入N,N-二甲基甲酰胺搅拌5~30分钟后放入水热反应釜,在100~160℃温度范围内反应40~140小时,所得样品Ce(COOH)3前驱体,前驱体在350~450℃温度范围内烧结2~8小时后,冷却后的样品即得到高比表面积球状、半球状介孔氧化铈。本发明材料制备方法简易,设备简单,合成温度低;原料价格低廉,无需昂贵的表面活性剂作模板剂;重复性好。获得的介孔二氧化铈,具有球形度高、尺度均一,孔径范围窄,比表面积大等优点。
-
公开(公告)号:CN101386425A
公开(公告)日:2009-03-18
申请号:CN200810225629.0
申请日:2008-10-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G23/00
Abstract: 一种用钛铁精矿作直接制备磁性材料的方法,涉及钛铁精矿的综合利用领域。其制备得到铁板钛矿材料。XRD图谱显示其物相为Fe2TiO5,该材料具有与纯物质Fe2TiO5相似的磁性质。此方法直接以矿为原料,成本低廉。整个过程采用一步固相合成的方法,流程短,方法简单。相对于传统火法或湿法对钛铁矿的处理,省去了对原料处理过程,没有了大量废酸和废渣,减少了环境污染。此方法适宜工业化生产,有望在磁性材料、颜料等领域得到广泛应用。
-
公开(公告)号:CN101186501A
公开(公告)日:2008-05-28
申请号:CN200710179206.5
申请日:2007-12-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01L41/187
Abstract: 一种铌酸盐压电陶瓷及其制备方法,涉及压电材料领域,特别涉及铌酸盐无铅压电陶瓷的制备。压电陶瓷的组成为(1-x)(Na0.5+yK0.5+y)NbO3-xBiScO3,式中x、y表示相应的组分所占摩尔数,其中0.0<x<0.02且0.02<y<0.05。本发明采用快速升温工艺,将陶瓷生坯以2-8℃/min升温至600℃保温一小时进行排胶,然后以10-20℃/min的速度升温至1000~1200℃,烧结1~10小时。通过掺杂和快速升温工艺结合制得的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷,有效地提高了压电性能并保持了高的居里温度。
-
公开(公告)号:CN1268547C
公开(公告)日:2006-08-09
申请号:CN200310115099.1
申请日:2003-11-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G19/00 , C01G21/22 , C04B35/453 , C04B35/624
Abstract: 一种制备纳米晶锡酸铅粉末的方法,属于陶瓷材料领域,特别涉及一种铁电功能陶瓷材料的制备方法。本发明采用易溶于水的无机盐前驱体,原料为:Pb(NO3)2(分析纯)、SnCl4·5H2O(分析纯)、NaOH(分析纯)、HNO3(分析纯);制备方法为:将摩尔比为1∶1的Pb(NO3)2与SnCl4·5H2O溶于HNO3溶液当中制成溶液A,再将NaOH溶于去离子水中,配成PH值为12的溶液B;将A溶液滴到与A溶液等量的B溶液中,温度维持在80℃,并不断在磁性搅拌机上搅拌约8个小时,PH值维持在11,得到乳白色溶胶,经成化、加热脱水得到10nm大小的高纯PbSnO3多晶粉末。本发明方法简单,易于操作和产业化,原料比较便宜,对迟豫型铁电陶瓷开发有重要应用价值。
-
公开(公告)号:CN1204084C
公开(公告)日:2005-06-01
申请号:CN03100012.6
申请日:2003-01-03
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/47 , C04B35/472 , C04B35/622
Abstract: 定热膨胀铅锶钛酸盐正阻温系数陶瓷的制备方法。属于半导体材料领域,特别涉及一种铁电功能陶瓷材料的制备方法。其特征在于本发明采用的原料为:Pb(NO3)纯度99.5%、SrCO3纯度99.5%、TiO2纯度99.9%。本发明利用PbTiO3的负热膨胀属性,通过调整固溶度的方式,制备热膨胀系数从-1.62×10-5/℃到3.42×10-5/℃的PbxSr1-xTiO3陶瓷材料,而且保持实用的PTCR特性。此方法简单,易于操作和工业化,对系列PbxSr1-xTiO3铁电陶瓷材料的开发有重要应用价值。
-
公开(公告)号:CN119929763A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202510113034.X
申请日:2025-01-24
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B25/42
Abstract: 本发明涉及功能材料技术领域,具体涉及一种形貌光滑且致密的焦磷酸盐制备方法,所述制备方法为:以磷酸为磷源,以金属氧化物粉末为金属源,将磷酸水溶液与金属氧化物粉末混合后,在搅拌条件下进行预反应得到块状前体产物,然后高温煅烧、粉碎研磨筛分,得到所需粒径的焦磷酸盐及其固溶体,所述金属氧化物为二价金属Ca、Mg、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mn或Cd的氧化物,所述高温煅烧的温度为700‑1200℃,所述高温煅烧的时间为1‑72h。本发明所述制备方法制得的焦磷酸盐形状规则,表面光滑,性能均一,而且制备方法简单,成本低廉,制备周期短,适合批量化生产。
-
公开(公告)号:CN118619664B
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202410681817.3
申请日:2024-05-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种具有高储能密度和优异环境稳定性的钛酸铋钾基陶瓷及其制备方法,属于电介质储能陶瓷材料领域。所述陶瓷的化学式为:(1‑x)(0.5Bi0.5K0.5TiO3‑0.5Bi0.5Na0.5TiO3)‑xNaTaO3,其中x为NaTaO3的掺杂系数,x=0.0001~0.4。当x=0.18时,弛豫铁电陶瓷的击穿场强为740 kV/cm,高于大多数铋基储能陶瓷,其储能密度为15.0 J/cm3。此外,该陶瓷还表现出优异的环境稳定性,在10‑200Hz测试条件,有效储能密度为10.90±0.09 J/cm3;在101‑108循环次数下,有效储能密度为9.30±0.13 J/cm3。
-
公开(公告)号:CN119592858A
公开(公告)日:2025-03-11
申请号:CN202411805352.4
申请日:2024-12-10
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种金刚石和负膨胀颗粒增强铝基复合材料及制备方法,属于复合材料技术领域。所述铝基复合材料由分散于铝基体中的金刚石相和负热膨胀相组成;金刚石相的平均粒径为10‑1000μm,所述金刚石相的平均粒径与负热膨胀颗粒的平均粒径之比为10~20;与所述金刚石相相邻的负热膨胀颗粒的粒径小于远离所述金刚石相的负热膨胀颗粒的粒径。通过调控金刚石以及负膨胀颗粒的体积分数来获得具有优异热物理性能的金刚石和负膨胀颗粒增强铝基复合材料,通过协同优化策略,制备得到与半导体材料相匹配的热膨胀系数,应用于电子封装散热材料领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-