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公开(公告)号：CN111253159A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010058459.2
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/569 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B35/80 , C04B35/81 , B33Y70/10 , C04B38/00 , C30B29/36 , C30B29/62 , C30B25/00
Abstract: 本发明涉及一种有序无序SiC纳米线/晶须结构体及其制备方法，所述有序无序碳化硅纳米线/晶须结构体的制备方法包括：（1）选用增材制造方式，实现一维碳化硅纳米线/晶须定向有序排列，得到有序结构体；（2）通过催化原位生长方式，在所得有序结构体上实现非定向无序碳化硅纳米线/晶须结构的生长，得到所述有序无序碳化硅纳米线/晶须结构体。
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公开(公告)号：CN110333180A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910590513.5
申请日：2019-07-02
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: G01N17/00
Abstract: 本发明提供一种高温熔盐环境模拟装置及方法，该装置包括：惰性气氛源；用于形成保护气氛的手套箱，所述惰性气氛源与所述手套箱通过气体管路相连；整体设于所述手套箱内且用于模拟高温环境的马弗炉；设于所述马弗炉内且用于盛装熔盐和样品的石墨坩埚；用于维持所述手套箱内的环境温度的冷却装置。本发明能够解决现有技术无法模拟熔盐堆二级熔盐循环静态腐蚀环境条件的问题。
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公开(公告)号：CN107285793A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610223762.7
申请日：2016-04-12
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/52 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种纤维增强体及其制备方法，是通过在纤维编织体表面原位生长多级SiC纳米线而形成的所述增强体，所述多级SiC纳米线包括亚微米尺度和纳米尺度，其中亚微米尺度为0.1μm～1μm，纳米线尺度为5 nm～100 nm。本发明首次创新性地探索出纤维表面原位生长多级SiC纳米线增强体的制备方法，获得所需的多级SiC纳米线增强体。本发明制备工艺方法简单、生长易控制、安全性高。
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公开(公告)号：CN105016761B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410177477.7
申请日：2014-04-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种C/SiC复合材料的钎焊连接方法，所述方法包括：1）将Cu粉、Al粉、Ti源混合均匀，得到钎料粉末，加入粘结剂配制成钎料膏，其中，Ti源为Ti粉或TiH2粉；2）将步骤1）中制备的钎料膏涂覆在经表面预处理的C/SiC复合材料之间，制成C/SiC‑钎料膏‑C/SiC结构的预连接件；3）将步骤2）中制备的预连接件干燥后，移至真空钎焊炉中进行钎焊。
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公开(公告)号：CN106588060A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610990055.0
申请日：2016-11-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/573
Abstract: 本发明涉及一种高致密的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，包括：采用含有高产碳率树脂、低残碳率有机聚合物的前驱体液浸渍纤维预制体中，裂解后获得纤维/C熔渗预制体；以及将熔融的Si或熔融的Si与金属的合金渗入所述纤维/C熔渗预制体中进行熔渗反应，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。本发明通过添加低残碳率聚合物改变熔渗预制体中树脂裂解形成的碳的结构，促进反应熔渗时硅和碳的接触和反应，熔渗后金属在基体中呈弥散状分布并且有效避免了块状残余碳和块状残余金属的产生，从而显著提高复合材料的力学性能和热导率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105014257A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410177480.9
申请日：2014-04-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B23K35/30
CPC classification number: B23K35/302 , B23K2103/16
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC基复合材料连接的钎料，所述钎料包含由Cu粉、Ti粉和/或TiH2粉、以及Al粉组成的钎料粉末，所述钎料粉末中，Al的重量百分含量为1～10wt%，Ti和/或TiH2的百分含量为4～18wt%，余量为Cu。
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公开(公告)号：CN104987099A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510348735.8
申请日：2015-06-19
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种三维双轴向衬纱间隔针织物增强陶瓷基体结构材料及其制备方法，所述材料包括三维预成型体、以及填充三维预成型体的陶瓷基体，其中，三维预成型体包括上表面织物、下表面织物、以及位于上下表面织物之间的间隔织物。
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公开(公告)号：CN105474791B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201218007106.6
申请日：2012-12-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提出一种纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，包括以下步骤：采用化学气相渗透在纤维预制体的纤维上沉积一层或多层连续界面相；利用陶瓷有机前驱体溶液浸渍沉积了界面相的纤维预制体；将浸渍后的纤维预制体在真空炉中进行裂解，形成碳化硅基复合材料基体；将上述步骤获得的具有稳定形状的纤维预制体去除工装，获得成形体；将成形体浸渍有机前驱体溶液干燥后在真空炉中裂解，转化为陶瓷基体；重复上述步骤6～8次，获得相对致密的成形体；利用化学气相渗透将所获得材料进一步致密化。上述方法有利于制备复杂形状的纤维增强陶瓷基复合材料或部件，所获得的材料具有良好的抗热震性，同时陶瓷基体具有结合强度高的特点。
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公开(公告)号：CN106342035B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201218000408.0
申请日：2012-03-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提出了一种耐烧蚀、抗热震纤维增强陶瓷基复合材料上的高温抗氧化涂层，其特征在于，该涂层是在纤维增强陶瓷基复合材料基底表面通过CVI工艺形成CVI-SiC增强层后再采用CVD工艺形成的SiC涂层；或在采用前述SiC涂层作为过渡层的基础上采用CVD工艺交替沉积MC或MB2中的一种或两种超高温陶瓷层和SiC层所形成的(MC/SiC)n或(MB2/SiC)n或(MC/MB2/SiC)n多层超高温抗氧化涂层，1≤n≤100，多层超高温抗氧化涂层中SiC层表面通过CVD工艺原位生长形成SiC纳米线和/或SiC晶须。此外，本发明还提出了该高温抗氧化涂层的制备方法。本发明可广泛应用于热结构件表面耐烧蚀、抗热震高温抗氧化涂层制备。
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公开(公告)号：CN101863665B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200910049376.0
申请日：2009-04-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/622 , C04B35/80 , C04B35/83
Abstract: 本发明涉及自愈合抗氧化功能纤维增强陶瓷基复合材料的制备方法，通过浆料浸渍法向材料中引入硼粉作为活性填料；热处理过程中硼粉将与有机前躯体的裂解产物以及保护气氛发生反应生成含硼化合物。本发明具有工艺简单、周期短、重复性强、成本较低的优点。
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