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公开(公告)号：CN118878313A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411355679.6
申请日：2024-09-27
申请人： 福建省德化铠宇陶瓷有限公司
IPC分类号： C04B35/19 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/81
摘要： 本发明涉及环保陶瓷技术领域，具体涉及一种日用高强度环保陶瓷及其制备工艺，包括以下重量份原料：钾长石30～35份、钠长石10～15份、锂辉石10～15份、掺杂膨润土的效调剂8～12份、莫来石8～10份、壳聚糖调节剂8～12份、纳米氧化锌2～5份、纳米银粉2～5份。本发明环保陶瓷采用钾长石、钠长石、锂辉石和莫来石等原料，配合纳米氧化锌、纳米银粉，优化产品的抗菌性能，同时加入的掺杂膨润土的效调剂、壳聚糖调节剂二者协配，共同协效，产品强度、清洁性能可实现协调式改进，以及产品的抗菌持久性效果显著。
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公开(公告)号：CN118239787B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410331645.7
申请日：2024-03-22
申请人： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
IPC分类号： C04B35/596 , C04B35/622 , C04B35/80 , C04B35/81 , C04B35/634 , C04B35/64 , B24B37/04 , B24B37/08 , B24B37/34
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体为一种研磨的氮化硅瓷片。该氮化硅瓷片的制备包括以下制备步骤：步骤一：将α‑氮化硅、改性增韧材料、烧结助剂加入到溶剂内，球磨混合均匀，得到分散液；步骤二：(1)将分散液离心，过滤出沉淀物，经干燥、研磨、过筛，得到粉料；(2)将粉料置于模具中，压制成型，保温一段时间后，得到氮化硅陶瓷坯体；步骤三：将氮化硅陶瓷坯体进行微波烧结，得到氮化硅陶瓷；步骤四：对氮化硅陶瓷依次进行一次双面研磨、返烧、二次双面研磨，得到氮化硅瓷片。该氮化硅瓷片表面缺陷少、厚薄均匀、翘曲度低、热导率高、剥离强度大，在半导体领域中具有更广泛的应用。
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公开(公告)号：CN118459208B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410931125.X
申请日：2024-07-12
申请人： 广东佛山市陶瓷研究所控股集团股份有限公司
摘要： 本申请涉及一种陶瓷辊棒及其制备方法与应用，属于辊棒技术领域。本申请通过在陶瓷辊棒的氧化铝陶瓷内外层之间设置特定的中间层，以有效避免氧化铝陶瓷内外层在制备以及在辊道窑中应用时脱落，使所得陶瓷辊棒既适用于氧化铝陶瓷外层较薄的情形，也适用于氧化铝陶瓷外层较厚的情形；当本申请陶瓷辊棒用于氧化铝陶瓷外层较厚的情形时，耐磨损性和抗热震性能更优。
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公开(公告)号：CN118745110A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410972150.2
申请日：2024-07-19
申请人： 湖南科技大学 , 冷水江市鑫达耐火材料制造有限公司
IPC分类号： C04B35/14 , C04B35/622 , C04B35/636 , C04B35/634 , C04B35/632 , C04B35/81 , C04B38/00
摘要： 本发明公开了一种高强度低密度轻质硅砖的制备方法，包括以下步骤：S1、取配方量的硅质原料、球形淀粉、复合矿化剂混合料进行球磨，得到第一混合料；S2、向步骤S1所得的第一混合料中加入配方量的聚碳硅烷、二茂铁，并在球磨机上球磨，得到第二混合料，并混合均匀；S3、将步骤S2所得的第二混合料在模具中压制成型，在60‑100℃的温度条件下干燥；S4、将干燥后的硅砖在第一烧结温度范围内进行预烧结，生成碳化硅纳米晶须；S5、将预烧结后的硅砖在第二烧结温度范围内进行最终烧结，得到碳化硅纳米晶须增强的高强度低密度轻质硅砖；本发明可制备出高气孔率高强度的轻质硅砖，使轻质硅砖在体密度减小的条件下，仍可以保持强度，并使得导热系数更低。
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公开(公告)号：CN118420365B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410884603.6
申请日：2024-07-03
申请人： 湖南荣岚智能科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶须多孔骨架复合氧化铝气凝胶及其制备方法，本发明采用低成本的水性铝溶胶，水性硅溶胶分别作为铝源和硅源先驱体，陶瓷晶须多孔骨架作为增强相，以简单可控工艺制备耐高温、低热导的晶须多孔骨架复合氧化铝气凝胶隔热材料。
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公开(公告)号：CN118598675A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410555877.0
申请日：2024-05-07
申请人： 武汉科技大学
IPC分类号： C04B35/628 , C04B35/624 , C04B35/81
摘要： 本发明涉及一种多孔镁铝尖晶石@氮化硅镁晶须复合粉体及其制备方法。其技术方案是：以异丙醇铝为铝源、以聚乙二醇为多孔模板剂和以氮化硅镁晶须为载体，将异丙醇铝溶解在异丙醇中，搅拌，得到混合溶液Ⅰ；将氮化硅镁晶须加入混合溶液Ⅰ中，超声分散，得混合溶液Ⅱ。向混合溶液Ⅱ中加入稀盐酸，水浴条件下磁力搅拌，制得一水合氧化铝@氮化硅镁溶胶，再加入聚乙二醇，于超声波振荡仪中振荡，得到溶胶凝胶；将溶胶凝胶抽滤、洗涤、干燥、研磨，得到包覆粉末；将包覆粉末于惰性气氛和1100～1200℃条件下保温，随炉冷却，破碎，筛分，制得多孔镁铝尖晶石@氮化硅镁晶须复合粉体。本发明壳结构可控，所制制品核壳结合强度高、稳定性强和抗氧化性优异。
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公开(公告)号：CN118598664A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410747960.8
申请日：2024-06-11
申请人： 中原工学院
IPC分类号： C04B35/528 , C04B35/81 , C04B35/622 , C04B35/65
摘要： 本发明涉及石墨复合材料技术领域，具体涉及一种原位生成碳化硅晶须增强石墨材料及其制备方法。所述原位生成碳化硅晶须增强石墨材料按重量份数包括以下原料：金刚石微粉100份、活性硅粉6‑60份、活性碳黑3‑60份、粘结剂5‑10份、表面活性剂0.5‑3份。制备方法如下：（1）浆料制备：按上述重量份数称原料，混合均匀，制得浆料；（2）将浆料烘干、研磨、破碎，最后过筛造粒；（3）模压成型，得到固体块材；（4）高温条件下，原位生成碳化硅晶须；（5）将步骤(4)处理的块体材料，放入模具内，然后装入烧结炉内，高温条件下进行烧结，得到原位生成碳化硅晶须增强石墨材料。本发明通过引入活性碳黑作为第二碳源，且采用微米级金刚石微粉替代目前常用的纳米级金刚石，在不降低材料性能的前提下，大大降低了材料生产成本，有利于推动高性能石墨材料的产业化应用。
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公开(公告)号：CN118459208A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410931125.X
申请日：2024-07-12
申请人： 广东佛山市陶瓷研究所控股集团股份有限公司
摘要： 本申请涉及一种陶瓷辊棒及其制备方法与应用，属于辊棒技术领域。本申请通过在陶瓷辊棒的氧化铝陶瓷内外层之间设置特定的中间层，以有效避免氧化铝陶瓷内外层在制备以及在辊道窑中应用时脱落，使所得陶瓷辊棒既适用于氧化铝陶瓷外层较薄的情形，也适用于氧化铝陶瓷外层较厚的情形；当本申请陶瓷辊棒用于氧化铝陶瓷外层较厚的情形时，耐磨损性和抗热震性能更优。
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公开(公告)号：CN117986028B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410404209.8
申请日：2024-04-07
申请人： 山东硅苑新材料科技股份有限公司 , 齐鲁工业大学(山东省科学院)
IPC分类号： C04B35/81 , C04B35/622 , C04B35/58
摘要： 本发明属于陶瓷材料及其制备的技术领域，具体涉及碳化硅晶须增韧高熵氮化物陶瓷刀具材料及其制备方法。所述的碳化硅晶须增韧高熵氮化物陶瓷刀具材料的制备方法：将HfN粉末、NbN粉末、TaN粉末、TiN粉末、ZrN粉末混合分散到分散液，制得(Hf0.2Nb0.2Ta0.2Ti0.2Zr0.2)N混合溶液，球磨；将碳化硅晶须粉末分散到分散液，制得碳化硅晶须分散液，继续球磨，干燥、过筛，利用(Hf0.2Nb0.2Ta0.2Ti0.2Zr0.2)N‑SiCw复合粉体制得碳化硅晶须增韧高熵氮化物陶瓷刀具材料。本发明提供的制备方法，所制备的碳化硅晶须增韧高熵氮化物陶瓷刀具材料，韧性好，综合力学性能好。
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公开(公告)号：CN118420331A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410893342.4
申请日：2024-07-04
申请人： 佛山市科菱斯科技有限公司
IPC分类号： C04B35/18 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/80 , C04B35/81 , C04B35/82 , F24C15/34
摘要： 本发明涉及耐火材料技术领域，尤其涉及一种耐高温隔热材料组合物、制备方法及隔热垫。该组合物包括以下重量百分比的组分：改性硅凝胶30~70%、硅酸铝纤维棉5~20%、碳化硅3~30%、玻璃纤维1~10%，硅微粉3~30%以及硫酸钙晶须3~30%。本发明还提供了其制备方法。与现有技术相比，本发明制备的隔热材料具备隔热性好、成本低、高强度等优点。
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