公开(公告)号：CN103066135B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201310016810.1

申请日：2013-01-17

申请人： 中山大学

发明人： 沈辉 ,  刘家敬 ,  刘斌辉 ,  李力 ,  李明华 ,  陈思铭

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开一种前电极主栅线与硅衬底隔离的选择性发射极太阳电池及其制备方法，该选择性发射极太阳电池，包括p型片为衬底的硅片，所述硅片的前表面依次设有扩磷的n+层、细栅线图案底部的n++层、氮化硅减反膜层、氮化硅隔离层以及银前电极，所述银前电极上设有置于底部的主栅线图案和细栅线图案，所述硅片的背面依次为铝背场及铝背电极。本发明采用前电极主栅线与硅衬底隔离技术，可以有效减少前表面重掺区域比例，降低栅线底部区域的缺陷复合，同时可增加硅片前表面氮化硅钝化区域，避免主栅线金属银与硅衬底的欧姆接触造成的复合，有效提高开路电压、短路电流及电池转化效率。该技术工艺简单，制造成本较低，适合规模化生产，具有很大的市场前景。

公开(公告)号：CN105162415A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510435732.8

申请日：2015-07-22

申请人： 中山大学

发明人： 王自鑫 ,  沈辉 ,  陈弟虎 ,  陈鸣 ,  颜奕 ,  钱少萍 ,  何逸枫 ,  孙韵琳 ,  惠红林

IPC分类号： H02S50/10

摘要： 本发明公开一种光伏阵列的电流电压测试仪，包括采样模块、控制模块和与所述控制模块连接的存储模块，所述采样模块包括第二继电器、第三继电器、第四继电器、电流采样单元和模数转换单元，所述第四继电器的第二开关端与所述模数转换单元连接；所述第二继电器的第二开关端经所述电流采样单元与所述模数转换单元连接；所述第三继电器的第一开关端与所述电流采样单元连接。本发明在电流采样电路和第二继电器之间设置第三继电器，从而实现在电流采样电路和电压采样电路实现协作，可以利用一个半导体开关即可实现电流和电压的同步采样，消除由于继电器开闭时引入的抖动噪声，提高了测试仪的测试准确性。

公开(公告)号：CN103077975B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201310001832.0

申请日：2013-01-05

申请人： 中山大学

发明人： 汪保卫 ,  沈辉

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种低成本n型双面太阳电池，所述太阳电池前表面为硼扩散形成的硼发射极，硼发射极上面沉积有钝化层和减反射层，太阳电池背表面的背电极接触位置为局部磷背场，其余为非掺杂区域，非掺杂区域上面沉积有钝化层，前表面制备有金属前电极，背表面制备有金属背电极。本发明还公开了该低成本n型双面太阳电池的制备方法。与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明利用激光掺杂含磷薄膜或涂敷的磷源，形成局部n+掺杂区域，同时保持钝化效果，无需二次高温磷扩散和其它掩膜过程，就可同时形成前表面场和背表面场，简化双面n型太阳电池的制备工艺和降低制造成本。

公开(公告)号：CN103466695B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201310374584.4

申请日：2013-08-23

申请人： 中山大学

发明人： 刘勇 ,  辛凌 ,  李宝军 ,  沈辉

IPC分类号： C01G23/047 ,  C01G23/053 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种制备高比表面积二氧化钛亚微米管的方法，含以下步骤：(1)取钛源、聚丙烯酰胺、纯水搅拌均匀得到混合液；(2)将混合液放入密闭的水热反应釜中，然后放入恒温箱中，调节反应温度为90～230℃，反应时间是1～100小时，反应后冷却至室温；(3)取出反应容器中的样品，清洗、烘干后获得高比表面积二氧化钛亚微米管。该方法工艺简单、易于操作控制、成本低、安全环保，制成的二氧化钛亚微米管具有高的比表面积。

公开(公告)号：CN103285776B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201310208210.5

申请日：2013-05-29

申请人： 中山大学

发明人： 刘庆才 ,  沈辉

IPC分类号： B01J6/00

摘要： 本发明属于加热器产品技术领域，具体涉及双椭圆柱曲面聚焦加热器，包括金属基座、石英玻璃内胆层及端盖结构，所述金属基座包括基座体、基座盖，石英玻璃内胆层与基座体相贴合的表面处设有镀银反射膜层，基座盖、基座体、镀银反射膜层及石英玻璃内胆层的内外表面依次贴合，且镀银反射膜层的内表面所在上半椭圆柱体与下半椭圆柱体在长轴方向有一重合的公共焦线和两条非重合的焦线，沿着至少一非重合的焦线上设有用于加热的光源，沿着或邻近公共焦线处的区域设有待加热的硅片或硅粉。该聚焦加热器利用光线聚焦进行加热，热利用率高，减少散热损失，能较快达到硅的熔点温度，方便太阳能光伏硅材料领域硅粉加热熔化成型制作；且耐高温能力提高，运行更稳定，维护性和可靠性都明显改善。

公开(公告)号：CN104124287A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410278075.6

申请日：2014-06-20

申请人： 中山大学

发明人： 沈辉 ,  姜辰明 ,  李力 ,  王殿磊

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682

摘要： 本发明公开了一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构，包括设于单晶硅片背表面的p型发射极和n型背面场，p型发射极和n型背面场相互交替分布且不相接触，还包括p型发射极主栅电极、n型背面场主栅电极、p型发射极细栅电极和n型背面场细栅电极，p型发射极细栅电极位于p型发射极上，n型背面场细栅电极位于n型背面场上，p型发射极细栅电极与p型发射极主栅电极相连接，n型背面场细栅电极与n型背面场主栅电极相连接，每个p型发射极细栅电极由多条平行均匀分布的细栅组成，多条平行均匀分布的细栅的末端通过一细栅相连，还公开了具有上述背表面栅线电极结构的背结背接触太阳电池，该电池可减少银浆使用量和背面复合，提高光电转换效率。

公开(公告)号：CN102706458B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210171905.6

申请日：2012-05-29

申请人： 顺德中山大学太阳能研究院

发明人： 林杨欢 ,  王学孟 ,  沈辉

IPC分类号： G01J5/00 ,  G01B11/00

摘要： 本发明公开了一种红外热像坐标定位方法，含以下步骤：(1)选取红外热像定位板，红外热像定位板包括底板和垂直设于底板上的多个散热柱；(2)均匀加热红外热像定位板；(3)拍摄红外热像定位板的红外热像图；(4)找出红外热像定位板的红外热像图中的低温点；(5)根据红外热像图中红外热像定位板上散热柱的位置参数，计算出红外热像图中每个像素点的实际坐标位置；(6)取下拍摄完的红外热像定位板，拍摄待分析样品的红外热像图，根据换算散热柱与待分析样品的位置关系，确定待分析样品各部位的实际坐标位置。该方法简单、精度高，能够快速确定温度异常点的位置情况，可以适用于各种场合，具有很强的实用性。

公开(公告)号：CN102694393B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210194145.0

申请日：2012-06-13

申请人： 顺德中山大学太阳能研究院

发明人： 屈柏耿 ,  孙韵琳 ,  侯进旺 ,  沈辉 ,  段春艳 ,  章大钧 ,  李柏青

IPC分类号： H02J3/38 ,  H02J9/06

CPC分类号： Y02B10/72 ,  Y02E10/563 ,  Y02E10/566

摘要： 本发明涉及一种用于并网与离网光伏发电系统切换的控制器，包括检测控制装置、主切换器和四个接线端；所述检测控制装置包括逻辑锁定模块以及分别与其连接的电网故障检测模块、第一光伏控制模块、第二光伏控制模块；所述逻辑锁定单元与主切换器连接，用于根据电网故障检测模块、第一光伏控制模块和第二光伏控制模块的检测信息，控制主切换器完成并网光伏发电系统和离网光伏发电系统之间的切换。本发明通过逻辑锁定模块控制主切换器快速切换并网或离网光伏发电方式，保证了用户的负载或重要负载可不受市电故障或断电的影响而得以连续不间断的运行，有效地将并网光伏发电系统和离网光伏发电系统良好地融合在一起。

公开(公告)号：CN103537794A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310498635.4

申请日：2013-10-22

申请人： 中山大学

发明人： 贾晓洁 ,  刘超 ,  艾斌 ,  邓幼俊 ,  沈辉

IPC分类号： B23K26/00 ,  B23K26/066

CPC分类号： H01L21/02678 ,  B23K26/064 ,  B23K26/083 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02686

摘要： 本发明公开了一种样品做一维精密平动实现二维激光SLS晶化的方法，包括以下步骤：1）提供一种多点激光掩膜，该激光掩膜具有a(h)×n个半径r为10～25μm的掩膜孔，配合单位速度为d的y轴一维精密平移台一同使用；2）设计掩膜的重叠率与大小，配合微平移的速度与激光脉冲频率，使脉冲每次平移的距离都小于侧向生长距离，达到超级横向生长，在薄膜样品中形成面积较大的晶岛。本发明通过设计巧妙的激光掩膜图案配合样品台的一维精密平动来实现SLS激光晶化过程，降低了SLS激光晶化装置对样品台精密平动的要求，大大降低了SLS激光晶化的成本。

公开(公告)号：CN102709163A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210165251.6

申请日：2012-05-24

申请人： 中山大学

发明人： 沈辉 ,  刘超 ,  梁齐兵

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/306

摘要： 本发明属于太阳电池技术领域，具体公开基于激光干涉诱导反应的晶体硅制绒工艺。其具体步骤是：（1）腐蚀处理：硅片通过腐蚀去除表面的机械损伤；（2）将硅片放入室温的一定浓度的碱性溶液中；（3）通过激光局部加热浸泡在强碱溶液中的晶体硅片：（4）形成绒面：用干涉激光扫描整个硅片，直到硅片表面形成均匀的绒面。该制绒工艺不需要太高功率的激光器，节约能源和加工成本；而且其工艺是被控制在光斑以内而对其他位置的硅片影响很小；此外，其制作过程简便快捷；在制绒过程中不会产生有毒气体，避免了对工人的身体健康和环境带来的不利影响；其能大大提升工艺过程的速度，具有很好的产业化前景；能极大地提高电池的效率。