公开(公告)号：CN104124287B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201410278075.6

申请日：2014-06-20

申请人： 中山大学

发明人： 沈辉 ,  姜辰明 ,  李力 ,  王殿磊

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本发明公开了一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构，包括设于单晶硅片背表面的p型发射极和n型背面场，p型发射极和n型背面场相互交替分布且不相接触，还包括p型发射极主栅电极、n型背面场主栅电极、p型发射极细栅电极和n型背面场细栅电极，p型发射极细栅电极位于p型发射极上，n型背面场细栅电极位于n型背面场上，p型发射极细栅电极与p型发射极主栅电极相连接，n型背面场细栅电极与n型背面场主栅电极相连接，每个p型发射极细栅电极由多条平行均匀分布的细栅组成，多条平行均匀分布的细栅的末端通过一细栅相连，还公开了具有上述背表面栅线电极结构的背结背接触太阳电池，该电池可减少银浆使用量和背面复合，提高光电转换效率。

公开(公告)号：CN104124287A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410278075.6

申请日：2014-06-20

申请人： 中山大学

发明人： 沈辉 ,  姜辰明 ,  李力 ,  王殿磊

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682

摘要： 本发明公开了一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构，包括设于单晶硅片背表面的p型发射极和n型背面场，p型发射极和n型背面场相互交替分布且不相接触，还包括p型发射极主栅电极、n型背面场主栅电极、p型发射极细栅电极和n型背面场细栅电极，p型发射极细栅电极位于p型发射极上，n型背面场细栅电极位于n型背面场上，p型发射极细栅电极与p型发射极主栅电极相连接，n型背面场细栅电极与n型背面场主栅电极相连接，每个p型发射极细栅电极由多条平行均匀分布的细栅组成，多条平行均匀分布的细栅的末端通过一细栅相连，还公开了具有上述背表面栅线电极结构的背结背接触太阳电池，该电池可减少银浆使用量和背面复合，提高光电转换效率。